Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Расчет РПДУ_new1.doc
Скачиваний:
25
Добавлен:
08.09.2019
Размер:
1.26 Mб
Скачать

§2. Расчет коллекторной цепи.

Вся последующая методика расчета генератора справед­лива для схемы с общим эмиттером и с транзистором типа p-n-p.

Если выбрана двухтактная или параллельная схема ге­нератора, расчет производится на одно плечо с одним тран­зистором, а в конце расчета дается пересчет на оба плеча.

  1. Выбирается напряжение на коллекторе .

  2. Задаются значением нижнего угла отсечки коллектор­ного тока в критическом режиме Θc=600…1200.

  3. По таблицам Берга для принятого угла Θc находятся коэффициенты разложения α0 и α1 (см. приложение 2).

  4. Коэффициент использования коллекторного напряжения . Если в рассчитываемом генераторе критический режим не используется, то следует принять:

    • для слабонедонапряженного

    • для слабоперенапряженного

  5. Амплитуда напряжения на коллекторе .

  6. Амплитуда первой гармоники коллекторного тока .

  7. Амплитуда импульсов коллекторного тока .

  8. Проверяется условие . Если это условие не выполняется, то следует выбрать другой транзистор или для выбранного транзистора впослед­ствии рассчитать радиатор.

  9. Постоянная составляющая коллекторного тока .

  10. Эквивалентное сопротивление коллекторной нагрузки, обеспечивающее рассчитываемый режим .

  11. Мощность, потребляемая от источников питания .

  12. Мощность, рассеиваемая на коллекторе .

  13. Проверяется условие . Если это условие не выполняется, в заключение расчета всего каскада рассчитывается теплоотводящий радиатор.

  14. КПД генератора по коллекторной цепи .

§3. Расчет базовой цепи

В отличие от расчета коллекторной цепи, расчет базовой цепи может осуществляться по-разному, в зависимости от рабочей частоты генератора и соотношения ее с граничной частотой транзистора. Определяются следующие параметры:

  1. Угол дрейфа используемого транзистора на наивысшей частоте диапазона в следующем порядке:

    1. находится предельная частота транзистора, при кото­рой коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице , где k=0,6 - для дрейфовых транзисторов, k=0,82 - для диффузионных.

    2. рассчитывается время дрейфа транзистора .

    3. определяется угол дрейфа на высшей частоте диапазона . Если при расчете угла дрейфа его значение не превышает 10° ( <10°), то расчет по пунктам 2, 3, 4, 5, 6 не производится и можно считать, что Θс= Θe и ie max=ic max, а в формулу для U’bm вместо ie max подставляется ic max найденное при расчете коллекторной цепи.

  2. Нижний угол отсечки положительных импульсов эмиттерного тока . По таблице Берга находим коэффициенты разложения , .

  3. Модуль коэффициента усиления по току транзистора на рабочей частоте , - коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером на рабочей частоте.

  4. Амплитуда первой гармоники тока эмиттера .

  5. Амплитуда положительного импульса эмиттерного тока .

  6. Постоянная составляющая тока эмиттера .

  7. Амплитуда переменного напряжения на переходе эмит­тер-база .

  8. Модуль коэффициента передачи напряжения возбуж­дения с зажимов входных электродов на переход эмиттер-база .

  9. Амплитуда напряжения возбуждения, требуемая от источника внешнего сигнала (с нагрузки предыдущего кас­када) .

  10. При определении входного сопротивления каскада на высокой частоте, кроме rB (объемного сопротивления базы), необходимо учитывать параллельную цепочку, составленную из проводимости qeb и емкости Сеb (см. рис. 5, б). Тогда , где - сопротивление це­почки gebCeb. Для можно написать другое выражение , где определяется по графику рис. 8 при известном .

Рис.8. Зависимость параметра KR транзистора от коэффициента передачи KПЕР

  1. Мощность возбуждения на входных зажимах .

  2. Первая гармоника тока базы .

  3. Реальная величина постоянного тока базы .

  4. Напряжение смещения, обеспечивающее заданный угол отсечки эмиттерного тока . Последнее слагаемое учитывает падение напряжения по­стоянной составляющей тока базы, на объемном сопротив­лении области базы rB (для транзисторов тип n-p-n пе­ред вторым и третьим слагаемыми знак меняется на обратный).

  5. Угол отсечки базового тока . По таблицам Берга находятся коэффициенты разложе­ния α0 и α1.

  6. Максимальное значение положительного импульса тока базы .

  7. Постоянная составляющая положительных импульсов тока базы .

  8. Мощность, теряемая в цепях базового смещения .

  9. Мощность рассеяния в цепи базы .

  10. Коэффициент усиления генераторного каскада по мощности .