Національний Університет
«Львівська Політехніка»
Реферат
На тему:
«Електролюмінесцентні джерела випромінювання»
Виконав:
ст.гр. ОТ-31
Буткевич В.В.
Перевірив:
Доцент
Вороняк Т.І.
Львів 2012
Фотоефект
Фотоефе́кт — явище «вибивання» світлом електронів із металів.
Щоб вивільнити електрон із металу йому необхідно передати енергію, більшу за роботу виходу.
Припустивши, що світло і поглинається квантами, Ейнштейн зміг пояснити залежність швидкості вибитих електронів від довжини хвилі опромінення.
де ν — частота світла, h — стала Планка, m — маса електрона, v — його швидкість, A — робота виходу.
Три закони фотоефекту:
Кількість фотоелектронів прямо пропорційна інтенсивності світла.
Максимальна кінетична енергія фотоелектронів не залежить від інтенсивності світла, кінетична енергія фотоелектронів прямо пропорційна частоті світла.
Для кожної речовини існують порогові значення частоти та довжини хвилі світла, які відповідають межі існування фотоефекту; світло з меншою частотою та більшою довжиною хвилі фотоефекту не викликає.
Оскільки це порогове значення завжди ближче до червоного світла, то йому дали назву червона межа фотоефекту.
Зрозуміло, що червона межа фотоефекту існує завдяки притягуванню електронів до ядер. Разом з тим, останній закон не можна пояснити на основі уявлення про світло як неперервні плавні коливання у вакуумі-ефірі: такі хвилі мали довго розгойдувати електрони до того моменту, коли швидкість останніх стала б достатньою для відриву від металу.
Повне пояснення фотоефекту належить Альберту Ейнштейну, який використав ідею німецького фізика М.Планка про те, що світло випромінюється і поширюється окремими порціями - квантами (або інша назва фотони). Для обчислення енергії кванта світла Макс Планк запропонував просту формулу ε= hν.
Ейнштейн висловив припущення, що фотоефект відбувається внаслідок поглинання фотоном одного кванта, а інші кванти не можуть брати участь у цьому процесі. Тоді енергія одного кванта світла (фотона) витрачається на подолання бар'єру (виконання роботи виходу, відриву від матеріалу) і надання кінетичної енергії фотоелектрону.
Це дозволило йому записати закон збереження енергії для процесу - наведене вище рівняння Ейнштейна для фотоефекту.
На основі явища внутрішнього фотоефекту працюють сучасні фотодетектори.
CMOS
КМОН (. К-МОН; комплементарна логіка на транзисторах метал-оксид-напівпровідник; КМДП [1]; англ CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide напівпровідник) - технологія побудови електронних схем. У технології КМОН використовуються польові транзистори з ізольованим затвором з каналами різної провідності. Відмінною особливістю схем КМОН в порівнянні з біполярними технологіями (ТТЛ, ЕСЛ та ін) є дуже мале енергоспоживання в статичному режимі (в більшості випадків можна вважати, що енергія споживається тільки під час перемикання станів). Відмінною особливістю структури КМОН в порівнянні з іншими МОН структурами (N-МОН, P-МОН) є наявність як n-, так і р-канальних польових транзисторів, як наслідок, КМОН-схеми володіють більш високою швидкодією і меншим енергоспоживанням, проте при цьому характеризуються складнішим технологічним процесом виготовлення і меншою щільністю упаковки. Переважна більшість сучасних логічних мікросхем, в тому числі, процесорів, використовують схемотехніку КМОН.