
- •Тема 2.3.1: Запоминающие устройства на имс. Типы, назначение зу, основные характеристики.
- •Ход лекции
- •Типы запоминающих устройств, классификация, назначение зу
- •2. Основные характеристики зу
- •Тема 2.3.2: Оперативные запоминающие устройства (озу). Организация озу статического, динамического
- •Ход лекции
- •Принципы построения зу с произвольным доступом
- •Зэ для статических биполярных озу
- •3. Схема динамического зэ
- •4. Статическое озу с матричным накопителем
- •Тема 2.3.3: Постоянные зу (пзу). Перепрограммируемые пзу (ппзу). План
- •Ход лекции
- •1. Особенности построения пзу
- •2. Однотранзисторный зэ биполярного ппзу
- •3. Структурная схема включения элементов программирования в состав ппзу
- •4. Репрограммируемые постоянные зу
4. Репрограммируемые постоянные зу
Эти ЗУ обладают всеми достоинствами ПЗУ, храня записанную информацию неопределенно долго и при отключенном питании. В то же время они допускают стирание записанной информации и запись новой информации. Однако если чтение осуществляется за доли микросекунды, то запись требует не много порядков большего времени.
С
тирание
информации в одних микросхемах
производится путем подачи соответствующих
напряжений, в других – путем подачи
ультрафиолетового излучения через
прозрачную крышку в корпусе микросхемы.
Под действием напряжений либо светового
излучения, действующего в течение 10
мин., снимается заряд с затвора транзисторов
и все транзисторы накопителя оказываются
установлены в непроводящее состояние.
Обычное комнатное освещение практически
не оказывает влияния на состояние
транзисторов. Схема элемента памяти с
электрической записью информации и
стиранием ультрафиолетовым светом
приведена на рис. 3.