- •7.1. Теоретическое введение
- •7.1.1. Физико-химические основы высокочастотной плазмы
- •7.1.2. Обоснование выбора плазмообразующей среды
- •7.1.3 Химические аспекты пхт кремнийсодержащих материалов
- •7.1.4. Зависимость скорости травления от параметров процесса
- •7.1.6. Определение скоростей травления кремния и диоксида кремния
- •7.1.7Плазмохимическое удаление фоторезистов
- •2. Описание установки, используемые материалы
- •7.2.1. Применяемое оборудование
2. Описание установки, используемые материалы
7.2.1. Применяемое оборудование
Процесс плазмохимического травления проводится на установке «Плазма 600 Т», схема которой представлена на рис. 7.4. Технические данные установки:
Давление остаточных газов.................................................................. не более 2,7 Па
Выходная мощность генератора высокой частоты …………………………..не менее 40 Вт
Рабочая частота генератора………………………………………………………………..13 560 кГц ± 1 %
Установка «Плазма 600 Т» является системой с емкостным возбуждением газового разряда, при этом, с целью исключения загрязнения подложек материалом электродов (ионная бомбардировка приводит к их физическому распылению) последние вынесены за пределы кварцевого реактора . Подложки 1 располагаются на кассете 2 в перфорированном алюминиевом цилиндре 3, который расположен в трубе кварцевого реактора 4 соосно с ним. Ввод рабочего газа осуществляется через коллекторы 5. ВЧ-электрод 6 располагается на внешней стороне кварцевого реактора 4. При подаче на электроды ВЧ напряжения от генератора между заземленным перфорированным цилиндром и электродами возбуждается газовый разряд. Нейтральные химически активные частицы, образующиеся в разряде, диффундируют через отверстия в перфорированном цилиндре и осуществляют травление подложек. Газообразные продукты гетерогенных реакций откачиваются из камеры с помощью механического насоса.