4.3 Лабораторне завдання

Завдання передбачає моделювання частотних характеристик коефіцієнта підсилення по напрузі і вхідного опору транзистора з ЗЕ. Варіанти завдань приведені в таблиці 4.1, де представлені параметри малосигнальної моделі транзистора.

Таблиця 4.1

№	S (мА/В)	(мСм)	(пФ)	(пФ)	№	S (мА/В)	(мСм)	(пФ)	(пФ)
1	30	0,1	5	5	16	90	0,4	20	25
2	34	0,12	6	7	17	94	0,42	21	37
3	38	0,14	7	9	18	98	0,44	22	39
4	42	0,16	8	11	19	102	0,46	23	41
5	46	0,18	9	13	20	106	0,48	24	43
6	50	0,2	10	15	21	110	0,5	25	45
7	54	0,22	11	17	22	114	0,52	26	47
8	58	0,24	12	19	23	118	0,54	27	49
9	62	0,26	13	21	24	122	0,56	28	51
10	66	0,28	14	23	25	126	0,58	29	53
11	70	0,3	15	25	26	130	0,6	30	55
12	74	0,32	16	27	27	134	0,62	31	57
13	78	0,34	17	29	28	138	0,64	32	59
14	82	0,36	18	31	29	142	0,66	33	61
15	86	0,38	19	33	30	146	0,68	34	63

Додаткові дані: См, мСм, мкСм.

У роботі необхідно:

1. По співвідношенню (4.4), (4.6), (4.7) скласти програму для побудови в графічній формі АЧХ і ФЧХ коефіцієнта підсилення транзистора по напрузі. Графіки АЧХ побудувати у вигляді залежності і від частоти f. Визначити частоту , на якій модуль коефіцієнта підсилення приймає максимальне значення . Визначити нижню і вер­хню частоти смуги пропускання підсилювача, на яких ко­ефіцієнт підсилення зменшується до значення або на 3дБ. При побудові графіків діапазон зміни частоти узяти по рівню . Вісь частот представити в логарифмічному масш­табі.

2. Досліджувати вплив на частотні характеристики коефіцієнта підсилення зміни крутизни S, а також ємності . Побудувати графіки АЧХ при збільшувані в два рази крутизни і зменшенні в два рази ємності .

3. Скласти програму для розрахунку по співвідношенню (4.4) зна­чень вхідного комплексного опору на частотах , , с представленням результатів в алгебраічній та показній фор­мах:

,

При складанні програм можна використовувати символ на панелі інструментів Calculator для обчислення модуля комплексного числа, а на панелі інструментів Matrix для обчислення визначника матриці. Набір вбудованих операторів і функцій для роботи з триго­нометричними функціями і комплексними числами вказується у вікні вставки вбудованих функцій, які викликаються командою Function, що знаходиться в меню Insert, а також за допомогою кнопки f(x).

4.4 ЗМІСТ ЗВІТУ

1. Короткі теоретичні відомості, розрахункові формули, еквівален­тні схеми.

2. Графіки АЧХ і ФЧХ коефіцієнта посилення транзистора по на­прузі, причому АЧХ у вигляді залежностей і .

3. Значення частот , , . Значення коефіцієнта підсилення .

4. Графіки АЧХ при збільшенні крутизни S в 2 рази, зменшенні ємності в 2 рази.

5. Значення комплексного вхідного опору транзистора на частотах , , з представленням даних у алгебраічній та по­казовій формах.

6. Висновки по виконаній роботі.