Раздел 3. Биполярные транзисторы

1. В каком, соотношение находятся площади эмиттерного (S_эп) и коллекторного (S_кп) переходов.

1. Sэп = Sкп. 2. Sэп .>Sкп. 3. Sэп < Sкп.

2. В транзисторе ток эмиттера Iэ=10мА, Iб=100мкА. Найти Iк, α, β.

1. Iк=9,9мА, α=0,99, β=99. 2.Iк=9,9мА, α=0,9, β=100. 3.Iк=110мкА, α=0,999, β=999. 4.Iк=10,1мА, α=0,99, β=99 5.Iк=90мА, α=0,9, β=9.

3. В транзисторе ток коллектора Iк=9.9mА, Iб=100мкА. Найти Iэ, α, β.

1. Iэ=10мА, α=0,99, β=99. 2.Iэ=9,8мА, α=0,9, β=100. 3.Iэ=110мкА, α=0,999, β=999. 4.Iэ=90мкА, α=1,1, β=0,1 5.Iэ=90мА, α=0,9, β=9.

4. В транзисторе ток эмиттера Iэ=10мА, α=0.99,. Найти Iк, Iб, β.

1. Iк=10,1мА, Iб =1мА, β=99. 2. Iк=9,9мА, Iб=100мкА , β=99. 3. Iк=110мкА, Iб =100мкА , β=999. 4. Iк=90мкА, Iб=, β=0,1 5. Iк=90мА, α=0,9, β=9.

5. В транзисторе ток эмиттера Iэ=100мА, Iб=1мА. Найти Iк, α, β.

1. Iк=99мА, α=0,99, β=99. 2.Iк=99мА, α=0,9, β=100. 3.Iк=110мА, α=0,999, β=999. 4.Iк=101мА, α=0,99, β=99 5.Iк=90мА, α=0,9, β=9.

6. В транзисторе ток коллектора Iк=99mА, Iб=1мА. Найти Iэ, α, β.

1. Iэ=100мА, α=0,99, β=99. 2.Iэ=98мА, α=0,9, β=100. 3.Iэ=110мА, α=0,999, β=999. 4.Iэ=90мА, α=1,1, β=0,1 5.Iэ=90мА, α=0,9, β=9.

7. В транзисторе ток эмиттера Iэ=100мА, α=0.99,. Найти Iк, Iб, β.

1. Iк=101мА, Iб =1мА, β=99. 2. Iк=99мА, Iб=1мА , β=99. 3. Iк=110мА, Iб =1мА , β=999. 4. Iк=90мА, Iб=, β=0,1 5. Iк=90мА, α=0,9, β=9.

8. В транзисторе ток коллектора Iк=99mА, α =0.99. Найти Iэ, Iб, β.

1. Iэ=100мА, β=99. , Iб =1мА 2.Iэ=98мА, β=100. , Iб =1мА. 3.Iэ=110мА, Iб =1мА β=999. 4.Iэ=90мА, , Iб =1,11мА , β=0,1 5.Iэ=90мА, α=0,9, β=9.

9. В транзисторе ток коллектора Iк=99mА, β=99. Найти Iэ, α,. Iб.

1. Iэ=100мА, α=0,99, Iб =1мА 2.Iэ=98мА, α=0,9, Iб =1мА 3.Iэ=110мА, Iб =1мА α=0,999, 4.Iэ=90мА, α=1,1, β=0,1 5.Iэ=90мА, α=0,9, Iб =1мА .

10. В транзисторе ток эмиттера Iэ=100мА, β=0.99,. Найти Iк, Iб, α.

1. Iк=101мА, Iб =1мА, α=0,99. 2. Iк=99мА, Iб=1мА , α=0,9. 3. Iк=110мА, Iб =1мА , α=0,999. 4. Iк=90мА, Iб =1мА, α=0,1 5. Iк=90мА, Iб =1.1мА, α=0,9.

11. Как смещены р-n переходы при работе транзистора в активном режиме.

1. ЭП и КП – в прямом направлении. 2. ЭП и КП – в обратном направлении.

3. ЭП- в прямом, а КП- в обратном направлении. 4. КП – в прямом направлении, ЭП- в обратном направлении

12. Как смещены р-n переходы при работе транзистора в режиме отсечки.

1. ЭП и КП – в прямом направлении. 2. ЭП и КП – в обратном направлении.

3. ЭП- в прямом, а КП- в обратном направлении. 4. КП – в прямом направлении, ЭП- в обратном направлении.

13. Движение, каких носителей заряда определяет вид входной ВАХ биполярного транзистора.

1. основных. 2.неосновных. 3.электронов. 4. дырок.

14. Свойствами какого р-п-перехода определяется в основном вид входной ВАХ биполярного транзистора.

1. ЭП. 2. КП. 3. ЭК.

15. Свойствами какого р-п-перехода определяется в основном вид выходной ВАХ биполярного транзистора.

1. ЭП. 2. КП. 3. ЭК.

16. Движение, каких носителей заряда определяет вид выходной ВАХ биполярного транзистора.

1.основных. 2.неосновных. 3.электронов. 4. дырок.

17. Биполярный транзистор- это прибор управляемый:

1.током. 2.напряжением. 3. электрически полем. 4.сопротивлением.

18. В какой из 3-х схем включения (ОБ, ОЭ, ОК) биполярный транзистор обладает наибольшим коэффициентом усиления по току.

1. с ОБ, 2.с ОЭ, 3.с ОК 4.с ОЭ и ОК одинаково

19. В какой из 3-х схем включения (ОБ, ОЭ, ОК) биполярный транзистор обладает наибольшим коэффициентом усиления по мощности.

1. с ОБ, 2.с ОЭ, 3.с ОК 4.с ОЭ и ОК одинаково.

20. Показать условное обозначение n – р - n транзистора (рис. 3.1).

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.

21. Показать условное обозначение р - n - р транзистора (рис. 3.1).

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.

22. Показать (рис. 3.1).условное обозначение статически индукционного транзистора (СИТ).

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.

23. Показать (рис. 3.1).условное обозначение биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ).

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.

24. Какова основная причина зависимости параметров биполярного транзистора от температуры?

1.Изменение собственной концентрации носителей заряда полупроводника.

2.Изменение концентрации носителей зарядов, обусловленных введением примесей.

3. Изменение коэффициента передачи тока биполярного транзистора.

4. Изменение напряжения питания биполярного транзистора.

25. Как должны быть смещены эмиттерный и коллекторный переходы (ЭП и КП) биполярного транзистора при его работе в активном режиме.

1.ЭП в обратном, КП в прямом. 2. ЭП в прямом, КП в прямом.

3. ЭП в обратном, КП в обратном.4. ЭП в прямом, КП в обратном.

26. Как должны быть смещены эмиттерный и коллекторный переходы биполярного транзистора при его работе в режиме насыщения.

1.ЭП в обратном, КП в прямом. 2. ЭП в прямом, КП в прямом.

3. ЭП в обратном, КП в обратном.4. ЭП в прямом, КП в обратном.

27. Как должны быть смещены эмиттерный и коллекторный переходы биполярного транзистора при его работе в инверсном режиме.

1.ЭП в обратном, КП в прямом. 2. ЭП в прямом, КП в прямом.

3. ЭП в обратном, КП в обратном.4. ЭП в прямом, КП в обратном.

28. Как должны быть смещены эмиттерный и коллекторный переходы биполярного транзистора при его работе в режиме отсечки.

1.ЭП в обратном, КП в прямом. 2. ЭП в прямом, КП в прямом.

3. ЭП в обратном, КП в обратном.4. ЭП в прямом, КП в обратном.

29. Показать (рис.3.2 ) графики входных ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОЭ.

1. 2. 3. 4.

30. Показать (рис.3.2. ) графики выходные ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОЭ.

1 . 2. 3. 4.

31. Показать (рис.3.2. ) графики входных входные ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОБ.

1. 2. 3. 4.

32. Показать (рис.3.2. ) графики выходные ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОБ.

1. 2. 3. 4.

33. Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора р-п-р-типа в активном режиме по схеме ОЭ и показать направления токов.

34. . Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора n-р-n-типа в активном режиме по схеме ОЭ и показать направления токов.

35. . Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора р-n-р-типа по схеме ОБ в активном режиме и показать направления токов.

36. Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора n-р-n-типа по схеме ОБ в активном режиме и показать направления токов.

37. Н арисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора n-р-n-типа по схеме ОК в активном режиме и показать направления токов.

38. Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора р n-р-типа по схеме ОК в активном режиме и показать направления токов.

39. В каком соотношении находятся входные сопротивления биполярного и полевого транзисторов.

1. R_ВХ.БТ =R_ВХ.ПТ. 2. . R_ВХ.БТ >R_ВХ.ПТ. 3. . R_ВХ.БТ <<R_ВХ.ПТ. 4. . R_ВХ.БТ >>R_ВХ.ПТ. . R_ВХ.БТ =R_ВХ.ПТ.

40. Как называют выводы биполярного транзистора.

1. коллектор, база. 2. База, эмиттер. 3. Коллектор, база, эмиттер. 4. Анод 1, анод 2. 5. Сток, исток, затвор.

41. Входная ВАХ биполярного транзистора с ОБ при обратном смещении КП смещается влево, вследствие:.

1. сужения базы. 2. Расширения базы. 3. Учета падения напряжения на переходе БЭ от тока коллектора.

42. Входная ВАХ биполярного транзистора с ОЭ при обратном смещении КП смещается влево.

1. сужения базы. 2. Расширения базы. 3. Учета падения напряжения на переходе БЭ от тока коллектора.

43. Что называют пробоем транзистора.

1. резкое возрастание коллекторного тока. 2. Сужение базы. 3. Расширение коллекторного перехода.

44. Как зависят α и β от напряжения на коллекторном переходе.

1. возрастают. 2. Убывают. 3. Имеют максимум при определенном значении напряжения.

45. Как зависят α и β от величины коллекторного тока.

1. возрастают. 2. Убывают. 3. Имеют максимум при определенном значении тока.

46. С чем связаны инерционные свойства биполярного транзистора.

1. Перезарядом емкости ЭП и КП. 2. Конечным временем пролета области базы.

3. 1 и 2. 4. Конечным временем пролета коллекторного перехода.

47. Чему равен ток коллектора при работе биполярного транзистора в активном режиме.

1. Iк=КIвх +Iко. 2. Iк=Iко. 3. Iк=Iнас.. 4. Iэ=КIвх +Iко.

48. Чему равен ток коллектора при работе биполярного транзистора в режиме отсечки.

1. Iк=КIвх +Iко. 2. Iк=Iко. 3. Iк=Iнас. 4. Iэ=КIвх +Iко.

49. Чему равен ток коллектора при работе биполярного транзистора в режиме насыщения.

1. Iк=КIвх +Iко. 2. Iк=Iко. 3. Iк=Iнас.. 4. Iэ=КIвх +Iко.

50. Чему равен выходной ток при работе биполярного транзистора в инверсном режиме.

1. Iк=КIвх +Iко. 2. Iк=Iко. 3. Iк=Iнас.. 4. Iэ=КIвх +Iко.

51. Как называют эффеккт связанный с модуляцией ширины базы.

1. Эрли. 2. Инжекция . 3. Экстракция. 4. Рекомбинация.

50. Эффект в результате которого, основные носители проходя через р-п переход становятся неосновными называется:

1.Эрли. 2. Инжекция . 3. Экстракция. 4. Рекомбинация.

52. Эффект в результате которого, неосновные носители проходя через р-п переход становятся основными называется:

1. Эрли. 2. Инжекция . 3. Экстракция. 4. Рекомбинация.

53. Носители заряда определяющие тепловой ток коллекторного перехода возникают за счет:

1. эффекта Эрли. 2. Инжекции . 3. Экстракции. 4. Рекомбинации. 5. Термогенерации.

54. С движением каких носителей заряда связана инжекция

1. основных. 2. Неосновных. 3. Электронов. 4. дырок.

55. С движением каких носителей заряда связана экстракция.

1. основных. 2. Неосновных. 3. Электронов. 4. дырок.

56. Формальную схему замещения транзистора составляют:

1. по физической модели транзистора. 2. По основным уравнениям четырехполюсника. 3. По математической модели транзистора.

57. Физическую схему замещения транзистора составляют:

1. по физической модели транзистора. 2. По основным уравнениям четырехполюсника. 3. По математической модели.

58. П оказать на выходных биполярного транзистора ВАХ (рис.3.10 ) область насыщения.

1. 2. 3.

59. Показать на выходных ВАХ биполярного транзистора (рис.3.10 ) линейную область.

1. 2. 3.

60. Показать на выходных биполярного транзистора ВАХ (рис.3.10 ) область пробоя.

1. 2. 3.