Министерство образования российской Федерации

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ

УНИВЕРСИТЕТ им. А.Н.ТУПОЛЕВА

Кафедра теоретической радиотехники и электроники

Д.В. ПОГОДИН

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И электроника

Учебное пособие для самоподготовке к экзамену

(тестированию) по дисциплине Э и Э, часть 2 - ЭЛЕКТРОНИКА

Для студентов заочного и дневного отделения

Казань 2005

Раздел 1.

Электрофизические свойства полупроводников. P-n переход.

1. Какой тип электропроводности имеет собственный (чистый) полупроводник.

1. Примесный. 2. n-типа. 4. p-типа. 5. i-типа.

2. Какие полупроводниковые материалы применяются при изготовлении полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов).

1. Примесные. 2. Чистые. 3. только n-типа. 4. только p-типа. 5. только i-типа.

3. Какую электропроводность имеет полупроводник n-типа.

1. Примесную. 2. электронную. 3. Собственную. 4. Дырочную

4. Какую электропроводность имеет полупроводник р-типа.

1. Примесную. 2. электронную. 3. Собственную. 4. Дырочную

5. Примесь называется донорной, которая создает:

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Вакансии.

6. Примесь называется акцепторной, которая создает:

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Центры рекомбинации.

7. Примесь, создающая электроны называется

1. Акцепторной. 2. Донорной. 3. Электронной. 4. Дырочной.

8. Примесь, создающая дырки называется

1. Акцепторной. 2. Донорной. 3. Электронной. 4. Дырочной.

9. Процесс образования свободных электронов и дырок в полупроводнике i-типа называется:

1. Рекомбинация. 2. Генерация. 3. Инжекция. 4. Экстракция.

10. Процесс исчезновения свободных электронов и дырок в полупроводнике i-типа называется:

1. Рекомбинация. 2. Генерация. 3. Инжекция. 4. Экстракция.

11. Какие свободные носители заряда в примесном полупроводнике называют основными.

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Те, концентрация которых много больше концентрации другой. 4. Те, концентрация которых много меньше концентрации другой.

12. Какие свободные носители заряда в примесном полупроводнике называют неосновными.

1. Электроны. 2. Дырки. 3. Те, концентрация которых много больше концентрации другой. 4. Те, концентрация которых много меньше концентрации другой.

13. Какие свободные носители заряда являются основными в полупроводнике р-типа.

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Центры рекомбинации. 5. Ионы примесей.

14. Какие свободные носители заряда являются основными в полупроводнике n-типа.

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Центры рекомбинации.5. Ионы примесей.

15. Какие основные носители заряда возникают в полупроводнике n-типа.

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Электроны и ионы донорной примеси. 4. Электроны и ионы акцепторной примеси.

16. Какие основные носители заряда возникают в полупроводнике р-типа.

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Электроны и ионы донорной примеси. 4. Дырки и ионы акцепторной примеси.

17. Дырки являются основными носителями заряда в полупроводнике

1. n-типа. 2. р-типа. 3. i-типа.

18. Электроны являются основными носителями заряда в полупроводнике

1. n-типа. 2.р-типа. 3. i-типа.

19. Движение зарядов под действием сил электрического поля называется:

1. Дрейфом. 2. Диффузией. 3. Инжекцией. 4. Экстракцией.

20. В полупроводниках возможно два механизма движения зарядов

1. Дрейф и диффузия. 2. Диффузия и инжекция. 3. Диффузия и эксракция. 4. Экстракция и инжекция.

21. Электрический ток под действием градиента концентрации называется:

1. Диффузионным. 2. Дрейфовым. 3. Инжекционным. 4. Экстракционным.

22. Электрический ток под действием сил электрического поля называется:

1. Диффузионным. 2. Дрейфовым. 3. Инжекционным. 4. Экстракционным.

23. Движение зарядов под действием градиента концентрации называется

1. Дрейфом. 2. Диффузией. 3. Инжекцией. 4. Эксракцией.

24. Какие заряды создают диффузионную емкость.

1. заряды ионов примеси. 2. Электроны. 3. Накопление неосновных зарядов. 4. Дырки.

25. Какие заряды создают барьерную емкость.

1. заряды ионов примеси. 2. Электроны. 3. Накопление неосновных зарядов. 4. Дырки.

26. От чего зависит величина диффузионной емкости.

1. величины прямого тока. 2. Величины обратного напряжения. 3. От величины прямого напряжения. 4. От величины обратного тока.

27. От чего зависит величина барьерной емкости.

1. величины прямого тока. 2. Величины обратного напряжения. 3. От величины прямого напряжения. 4. От величины обратного тока.

28. Какой ток, диффузионный или дрейфовый, преобладает в изолированном (равновесном) р-п переходе.

1. Iдиф  Iдр 2. . Iдиф  Iдр 3. . Iдиф = Iдр 4. Iдиф = 0 5. Iдр = 0.

29. Какой ток, диффузионный или дрейфовый, преобладает при прямом смещении р-п перехода.

1. Iдиф  Iдр 2. Iдиф  Iдр 3. Iдиф = Iдр 4. Iдиф = 0. 5. Iдр =0.

30. Какой ток, диффузионный или дрейфовый, преобладает при обратном смещении р-п перехода.

1. Iдиф  Iдр 2. . Iдиф  Iдр 3. . Iдиф = Iдр 4. Iдиф = 0 5. Iдр = 0.

31. Какие носители заряда создают ток при прямом смещение р-n перехода.

1. основные 2. неосновные 3. дырки 4. Электроны.

32. С движением каких носителей заряда связан прямой ток р-n перехода.

1. основных 2. Неосновных 3. дырок 4. Электронов.

33. Почему прямые токи р-n перехода могут достигать больших величин.

1. Из за высокой концентрации основных носителей заряда.

2. Из за большой площади р-n перехода.

3. Из за низкой концентрации основных носителей заряда.

4. Из за низкой концентрации неосновных носителей заряда.

34. Почему обратные токи р-n перехода имеют малую величину.

1. Из за высокой концентрации основных носителей заряда.

2. Из за большой площади р-n перехода.

3. Из за низкой концентрации основных носителей заряда.

4. Из за низкой концентрации неосновных носителей заряда.

35. С движением каких носителей заряда связан обратный ток р-n перехода.

1. основных 2. неосновных 3. дырок 4. электронов.

36. Каково соотношение между барьерной и диффузионной емкостью р-n перехода.

Сдиф Сбар. 2. Сдиф< Сбар. 3. Сдиф= Сбар.

37. Каково соотношение между барьерной и диффузионной емкостью при прямом смещение р-n перехода.

1. Сдиф Сбар. 2. Сдиф< Сбар. 3. Сдиф= Сбар.

38. С какими зарядами связана диффузионной емкостью р-n перехода.

1. с накоплением основных 2. С накоплением неосновных. 3. С неподвижными ионами примесей.

39. С какими зарядами связана барьерная емкостью р-n перехода.

1. с накоплением основных 2. С накоплением неосновных. 3. С неподвижными ионами примесей.

40. Каково соотношение между барьерной и диффузионной емкостью р-n перехода при обратном смещение.

1. Сдиф Сбар. 2. Сдиф< Сбар. 3. Сдиф= Сбар.

41. Почему величина барьерной емкости р-n перехода много меньше диффузионной.