1. Основные 2. Неосновные 3. Дырки 4. Электроны.
Какими носителями заряда определяется обратная ветвь ВАХ диода.
1. Основные 2. Неосновные 3. Дырки 4. Электроны.
Каково соотношение между барьерной и диффузионной емкостью в варикапе.
1. Сдиф Сбар. 2. Сдиф< Сбар. 3. Сдиф= Сбар.
Показать ВАХ идеального выпрямительного диода (рис.3.2).
1. 2. 3. 4. 5. 6.
Показать ВАХ реального выпрямительного диода (рис.3.2).
1. 2. 3. 4. 5. 6.
Показать ВАХ стабилитрона (рис.3.2).
1. 2. 3. 4. 5. 6.
Показать кулон-вольтную характеристику варикапа (рис.3.2).
1. 2. 3. 4. 5. 6.
Показать ВАХ туннельного диода (рис.3.2).
1. 2. 3. 4. 5. 6.
Показать ВАХ обращенного диода (рис.3.2).
1. 2. 3. 4. 5. 6.
Показать прямую ветвь ВАХ диода (рис.3.2).
1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом
Показать обратную ветвь ВАХ диода (рис.3.2).
1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом
Показать участок теплового пробоя.
1. аб. 2. зи. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. де.
Показать рабочий участок ВАХ стабилитрона (рис.3.2).
1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом
Показать рабочий участок ВАХ стабистора (рис.3.2).
1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом
П
оказать
рабочий участок ВАХ туннельного диода
(рис.3.2).
1. аб. 2. бв. 3. кл. 4.жи. 5.мн. 6. ом
Показать проводящий ток участок ВАХ обращенного диода (рис.3.2).
1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом
Показать непроводящий ток участок ВАХ обращенного диода (рис.3.2).
1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом
Показать участок, на котором преобладает диффузионная емкость (рис.3.2).
1. аб. 2. зи. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. жз.
Показать участок, на котором преобладает барьерная емкость (рис.3.2).
1. аб. 2. зи. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. жз.
Показать на ВАХ участок с отрицательным сопротивлением (рис.3.2).
1. аб. 2. зи. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. жз.
С каким физическим процессом связан участок аб (рис. 3.2).
1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Пробой перехода. 3. Туннельный эффект.
С каким физическим процессом связан участок бв (рис. 3.2).
1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Пробой перехода. 3. Туннельный эффект.
С каким физическим процессом связан участок гд (рис. 3.2).
1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.
С каким физическим процессом связан участок де (рис. 3.2).
1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.
С каким физическим процессом связан участок кл (рис. 3.2).
1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.
С каким физическим процессом связан участок мн (рис. 3.2).
1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.
С каким физическим процессом связан участок жз (рис. 3.2).
1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.
С каким физическим процессом связан участок зи (рис. 3.2).
1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.
Как называют выводы полупроводникового диода.
1. коллектор, база. 2. База, эмиттер. 3. Коллектор, база, эмиттер. 4. Анод 1, анод 2. 5. Сток, исток, затвор.
Что определяет быстродействие переключения импульсных диодов на р-п переходе.
1. накопление и рассасывание неосновных носителей заряда. 2. Перезаряд барьерной емкости. 3. 1и 2. 4. накопление и рассасывание основных носителей заряда.
Что определяет быстродействие переключения диодов Шотки.
1. накопление и рассасывание неосновных носителей заряда. 2. Перезаряд барьерной емкости. 3. 1и 2. 4. накопление и рассасывание основных носителей заряда.
Показать выражение для ВАХ диода.
Показать выражение для прямой ветви ВАХ диода.
Показать выражение для обратной ветви ВАХ диода.
Показать выражение для барьерной емкости р-n перехода.
Показать выражение для диффузионной емкости р-n перехода.
