681.142.011.56
П-883
МИНИСТЕРСТВО ТОПЛИВА И ЭНЕРГЕТИКИ УКРАИНЫ
Севастопольский национальный университет
ядерной энергии и промышленности
С.В. Петров, Ю. М. Быковский, Б. Н. Вакаев
Сборник тестов итогового контроля по дисциплине
“ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА”
(4 Семестр)
Севастополь
2012
681.142011.56
П -883
УДК 681.142.0116(075.8)
Петров С. В., Быковский Ю. М., Вакаев Б. Н.
П-883 Сборник тестов итогового контроля по дисциплине «Основы электроники».
Учеб. пособие для очной и заочной форм обучения.
- Севастополь: СНУЯЭи П, 2012. - _39_с: ил.
Предназначено для студентов по направлению подготовки
0507 « Электротехника и электромеханика ».
© Издание СНУЯЭиП, 2012
Оглавление
Перечень тестов итогового контроля 4
Литература 39
Перечень тестов итогового контроля
№ п/п |
Вопрос |
Ответы |
|
1 |
Сопротивление, какого резистора определяет общее сопротивление электрической цепи, состоящей из двух последовательно соединенных резисторов? |
Прав1-С большим сопротивлением 2-С меньшим сопротивлением |
|
2 |
Сопротивление, какого резистора определяет общее сопротивление электрической цепи, состоящей из двух параллельно соединенных резисторов? |
1-С большим сопротивлением Прав 2-С меньшим сопротивлением |
|
3 |
Общее сопротивление данной электрической цепи определяется как
|
Прав 1-
2-
3-
|
|
4 |
Общее сопротивление данной электрической цепи определяется как
|
1- Прав 2- 3- |
|
5 |
Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 Ом? |
1- 2,7 2- 2,7 R 3- 2,7 к 4- 2,7 К 5- 2,7 М 6- 2,7 м |
|
6 |
Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 кОм? |
1- 2,7 2- 2,7 R 3- 2,7 к 4- 2,7 К 5- 2,7 М 6- 2,7 м |
|
7 |
Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 МОм? |
1- 2,7 2- 2,7 R 3- 2,7 к 4- 2,7 К 5- 2,7 М 6- 2,7 м |
|
8 |
Н |
1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт |
|
9 |
Н |
1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт |
|
10 |
Н |
1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт |
|
11 |
Резистор, с какой номинальной мощностью рассеивания необходимо выбрать, если на нем при работе выделяется мощность 0,3 Вт? |
1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт |
|
12 |
К |
1- Реостатное включение 2- Потенциометрическое включение |
|
13 |
Какой способ включения
переменного резистора здесь представлен
|
1- Реостатное включение 2- Потенциометрическое включение |
|
14 |
К |
1-
2-
3-
|
|
15 |
Как указываются позиционное обозначение и номиналы резисторов на принципиальных схемах? |
1- 1R 2,2 кОм 2- R2 2200 Ом 3- 4,7 к 3R 4- R8 6,8 к |
|
16 |
Каким образом указывается номинальное сопротивление на корпусе малогабаритного резистора с R = 6, 8 Ом? |
1- 68 R 2- 6,8R 3- 6R8 4- R68 |
|
17 |
Какой из резисторов является переменным? |
1
2- |
|
18 |
Какой из резисторов является подстроечным? |
1 -
2- |
|
19 |
Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для резистора? |
1
2-
3- |
|
20 |
Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для конденсатора? |
1 -
2-
3- |
|
21 |
Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для индуктивности? |
1 -
2-
3- |
|
22 |
Общая емкость данной электрической цепи определяется как
|
1-
2-
3-
|
|
23 |
Общая емкость данной электрической цепи определяется как
|
1- 2- 3- |
|
24 |
Как определяется емкостное сопротивление конденсатора? |
1-
2-
|
|
25 |
Как определяется индуктивное сопротивление индуктивности? |
1-
2-
|
|
26 |
Как обозначается на электрических схемах емкость конденсатора 1 nF ? |
1- 1 2- 10 3- 100 4- 1000 |
|
27 |
Как обозначается на электрических схемах емкость конденсатора 10 nF ? |
1- 1 2- 10 3- 100 4- 1000 5- 0,01 мк 6- 1 мк |
|
28 |
Каким образом указывается номинальная емкость на корпусе малогабаритного конденсатора с С = 6, 8 мкФ? |
1-
2-
3-
|
|
29 |
Емкость конденсатора определяется по формуле |
1-
2-
3-
|
|
30 |
Ток, протекающий через конденсатор определяется по формуле |
1-
2-
3-
|
|
31 |
К
|
1-
2-
3-
|
|
32 |
К
|
1- А) 2- Б) 3- В)
|
|
33 |
К
|
1- А) 2- Б) 3- В)
|
|
34 |
К акая из приведенных схем является схемой замещения индуктивности?
|
1- А) 2- Б) 3- В)
|
|
35 |
Общая индуктивность данной электрической цепи определяется как
|
1-
2-
3-
|
|
36 |
Общая индуктивность данной электрической цепи определяется как
|
1- 2- 3- |
|
37 |
Э.Д.С. самоиндукции, возникающая в катушке индуктивности, определяется по формуле |
1-
2-
3- 4-
|
|
38 |
С
|
1- Магнитодиэлектрика 2- Феррита |
|
39 |
С
|
1- Магнитодиэлектрика 2- Феррита |
|
40 |
Электропроводность полупроводников |
1- значительно выше проводников 2- значительно ниже диэлектриков 3- занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками
|
|
41 |
Проводимость полупроводников сильно зависит от |
1- температуры окружающей среды 2- уровня излучения, воздействующего на полупроводники 3- не зависит от температуры и излучения 4- температуры окружающей среды и уровня излучения, воздействующего на полупроводники
|
|
42 |
При T = 0 0 K полупроводник становится |
1- диэлектриком 2- проводником |
|
43 |
Дырка – это |
1- разорванная ковалентная связь 2- восстановленная ковалентная связь |
|
44 |
Процесс генерации пар - это |
1- разрыв ковалентных связей 2- восстановление ковалентных связей |
|
45 |
Процесс рекомбинации пар - это |
1- разрыв ковалентных связей 2- восстановление ковалентных связей |
|
46 |
При одинаковой температуре электропроводность больше у |
1- проводников 2- полупроводников |
|
47 |
Собственная проводимость полупроводников играет положительную роль у |
1- диодов 2- транзисторов 3- полупроводниковых резисторов |
|
48 |
Ток дрейфа возникает в полупроводнике |
1- из-за неравновесной концентрации свободных носителей по длине полупроводника 2- из-за приложения к полупроводнику внешнего электрического поля |
|
49 |
Ток диффузии возникает в полупроводнике |
1- из-за неравновесной концентрации свободных носителей по длине полупроводника 2- из-за приложения к полупроводнику внешнего электрического поля |
|
50 |
Направление тока дрейфа в чистом полупроводнике совпадает |
1- с направлением движения дырок 2- с направлением движения электронов |
|
51 |
Сурьма (Sb) – является |
1- донорной примесью 2- акцепторной примесью |
|
52 |
Индий (In) – является |
1- донорной примесью 2- акцепторной примесью |
|
53 |
Примесь сурьмы (Sb) – создает полупродводник |
1- n – типа 2- p - типа |
|
54 |
Примесь индия (In) – создает полупродводник |
1- n – типа 2- p - типа |
|
55 |
В полупроводнике n – типа основными носителями заряда являются |
1- электроны 2- дырки |
|
56 |
В полупроводнике p – типа основными носителями заряда являются |
1- электроны 2- дырки |
|
57 |
В полупроводнике n – типа неосновными носителями заряда являются |
1- электроны 2- дырки |
|
58 |
В полупроводнике p – типа неосновными носителями заряда являются |
1- электроны 2- дырки |
|
59 |
Температура нагрева полупроводника кремния не должна превышать |
1- 80 ОС 2- 100 ОС 3- 150 ОС 4- 200 ОС |
|
60 |
p-n переход можно получить |
1- металлургическим путем 2- путем диффузии примеси из газовой среды 3- металлургическим путем и путем диффузии примеси из газовой среды 4- путем обычного соприкосновения областей p – и n - типа |
|
61 |
Ток диффузии в p-n переходе образован |
1- неосновными носителями заряда 2- основными носителями заряда |
|
62 |
Ток дрейфа в p-n переходе образован |
1- неосновными носителями заряда 2- основными носителями заряда |
|
63 |
Ток диффузии в p-n переходе совпадает |
1- с направлением движения дырок 2- с направлением движения электронов |
|
64 |
Запирающий слой p-n перехода является |
1- диэлектриком 2- проводником 3- полупроводником |
|
65 |
За счет чего в p-n переходе образуется внутреннее электрическое поле? |
1- За счет электронов 2- За счет дырок 3- За счет нескомпенсированных зарядов неподвижно закрепленных ионов примеси в запирающем слое |
|
66 |
Заряд какого знака имеют ионы примеси в запирающем слое p-n перехода со стороны p- области? |
1- минус 2- плюс |
|
67 |
Заряд какого знака имеют ионы примеси в запирающем слое p-n перехода со стороны n- области? |
1- минус 2- плюс |
|
68 |
Внутреннее электрическое поле p-n перехода |
1- способствует диффузии основных носителей заряда 2- препятствует диффузии основных носителей заряда |
|
69 |
Направление тока дрейфа p-n перехода |
1- противоположно направлению тока диффузии 2- совпадает с направлением тока диффузии |
|
70 |
От чего зависит величина тока дрейфа p-n перехода? |
1- от величины приложенного электрического поля 2- от температуры кристалла полупроводника |
|
71 |
Ток насыщения неосновных носителей p-n перехода -это |
1- ток дрейфа 2- ток диффузии |
|
72 |
Контактная разность потенциалов для кремния равна |
1- 0,3…0,4 В 2- 0,7…0,8 В |
|
73 |
Контактная разность потенциалов для германия равна |
1- 0,3…0,4 В 2- 0,7…0,8 В |
|
74 |
Зависит ли потенциальный барьер p-n перехода от контактной разности потенциалов |
1- зависит 2- не зависит |
|
75 |
Зависит ли потенциальный барьер p-n перехода от приложенного внешнего напряжения |
1- зависит 2- не зависит |
|
76 |
При прямом включении p-n перехода плюс источника питания подключен к |
1- p – области 2- n - области |
|
77 |
При обратном включении p-n перехода плюс источника питания подключен к |
1- p – области 2- n - области |
|
78 |
При прямом включении p-n перехода толщина запирающего слоя |
1- увеличивается 2- уменьшается |
|
79 |
При обратном включении p-n перехода толщина запирающего слоя |
1- увеличивается 2- уменьшается |
|
80 |
При прямом включении p-n переход считается |
1- открытым 2- закрытым |
|
81 |
При обратном включении p-n переход считается |
1- открытым 2- закрытым |
|
82 |
Величина прямого тока через
p-n
переход при
|
1-
2-
3-
|
|
83 |
Величина обратного тока через p-n переход определяется по формуле |
1-
2-
3-
|
|
84 |
Сопротивление закрытого p-n перехода |
1- велико 2- мало
|
|
85 |
Сопротивление открытого p-n перехода |
1- велико 2- мало |
|
86 |
Электрический пробой p-n перехода - процесс |
1- обратимый 2- необратимый |
|
87 |
Тепловой пробой p-n перехода - процесс |
1- обратимый 2- необратимый |
|
88 |
Как на принципиальных электрических схемах обозначаются диоды? |
1- VD 2- VT 3- VS 4- VK |
|
89 |
Как на принципиальных электрических схемах обозначаются транзисторы? |
1- VD 2- VT 3- VS 4- VK |
|
90 |
Как на принципиальных электрических схемах обозначаются тиристоры? |
1- VD 2- VT 3- VS 4- VK |
|
91 |
Какой из диодов является выпрямительным? |
1
2-
3-
4-
5-
6-
|
|
92 |
|
1
2-
3-
4-
5-
6-
|
|
93 |
Какой из диодов является туннельным? |
1 -
2-
3-
4-
5-
6- |
|
94 |
Какой из диодов является варикапом? |
1 -
2-
3-
4-
5-
6- |
|
95 |
Стабилитрон включается в схему |
1- прямо 2- обратно |
|
96 |
В варикапе используется емкость |
1- прямо смещенного p – n перехода 2- обратно смещенного p – n перехода |
|
97 |
На каких частотах используются плоскостные диоды |
1- на низких частотах 2- на высоких частотах |
|
98 |
На каких частотах используются точечные диоды |
1- на низких частотах 2- на высоких частотах |
|
99 |
Какой из диодов является фотодиодом? |
1
2-
3-
4-
5-
6-
|
|
100 |
Какой из диодов является светодиодом? |
1 -
2-
3-
4-
5-
6-
|
|
101 |
Д |
1- n – p – n 2- p – n - p |
|
102 |
Д |
1- n – p – n 2- p – n - p |
|
103 |
Концентрация примесей в эмиттере биполярного транзистора по отношению к концентрации примесей в базе |
1- меньше 2- больше |
|
104 |
Площадь коллекторного перехода биполярного транзистора по отношению к площади эмиттерного перехода |
1- меньше 2- больше |
|
105 |
Транзистор КТ 904 |
1- низкочастотный большой мощности 2- низкочастотный малой мощности 3- высокочастотный большой мощности |
|
106 |
В режиме отсечки в биполярном транзисторе |
1- Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении 3- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении |
|
107 |
В режиме насыщения в биполярном транзисторе |
1- Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении |
|
108 |
В активном режиме в биполярном транзисторе |
1- Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении |
|
109 |
З |
1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК |
|
110 |
З |
1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК |
|
111 |
Какая характеристика называется входной статической характеристикой биполярного транзистора? |
1- 2-
|
|
112 |
Какая характеристика называется выходной статической характеристикой биполярного транзистора? |
1- 2- 3- |
|
113 |
Какая характеристика называется переходной статической характеристикой биполярного транзистора? |
1- 2- 3- |
|
114 |
В электронной аппаратуре транзисторы работают |
1- в статическом режиме 2- в динамическом режиме |
|
115 |
В |
1- закрыт полностью 2- открыт полностью 3- приоткрыт на 50% |
|
116 |
В точке 2 VT - |
1- закрыт полностью 2- открыт полностью 3- приоткрыт на50% |
|
1 17 |
В точке 3 VT - |
1--закрыт полностью 2--открыт полностью 3--приоткрыт на50% |
|
118 |
Г де на нагрузочной прямой располагается начальная рабочая точка при работе транзистора в активном режиме? |
1- в точке 1 2- в точке 2 3- в точке 3 |
|
119 |
К
VD |
1- фотогенераторный 2-фотопреобразовательный |
|
120 |
К |
1- фотогенераторный 2-фотопреобразовательный |
|
121 |
Как включаются фотодиоды в фотопреобразовательном режиме? |
1- прямо 2- обратно
|
|
122 |
Какой фотоэффект используется в полупроводниковых фотоэлектронных приборах? |
1- внешний 2- внутренний |
|
123 |
Какой фотоэффект используется в электровакуумных фотоэлектронных приборах? |
1- внешний 2- внутренний |
|
124 |
Из каких полупроводников изготовлен p-n переход в светодиодах? |
1- арсенид галлия 2- кремний 3- германий |
|
125 |
Коэффициент усиления по току в схеме с ОБ |
1-
2-
3-
|
|
126 |
Коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ |
1- 2- 3-
|
|
127 |
Коэффициент усиления по току в схеме с ОК |
1- 2- 3-
|
|
128 |
Общий коэффициент усиления по току составного транзистора |
1-
2-
3-
|
|
129 |
Коэффициент усиления по току в схеме с ОК равен |
1-
3-
|
|
130 |
Название оптрона определяется типом |
1- излучателя 2- фотоприемника |
|
131 |
Д |
1- полевым 2- биполярным |
|
132 |
Д анный транзистор |
1- с управляющим переходом 2- МОП - типа |
|
133 |
Д анный транзистор имеет |
1- p - канал 2- n - канал |
|
134 |
Д |
1- p - канал 2- n - канал |
|
135 |
В каком режиме коэффициент усиления по току у биполярного транзистора больше |
1- В статическом 2- В динамическом |
|
136 |
В динамическом режиме транзистор работает |
1- с нагрузкой 2- без нагрузки |
|
137 |
В статическом режиме транзистор работает |
1- с нагрузкой 2- без нагрузки |
|
138 |
Какая из схем включенеия биполярных транзисторов имеет коэффициент усиления по току меньше единицы? |
1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК |
|
139 |
Какая из схем включенеия биполярных транзисторов имеет коэффициент усиления по напряжению меньше единицы? |
1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК |
|
140 |
Условие передачи наибольшей мощности от источника сигнала в нагрузку |
1- r = RН 2- r < RН 3- r > RН |
|
141 |
Переворачивает ли схема с ОБ фазу сигнала |
1- да 2- нет |
|
142 |
Переворачивает ли схема с ОК фазу сигнала |
1- да 2- нет |
|
143 |
Переворачивает ли схема с ОЭ фазу сигнала |
1- да 2- нет |
|
144 |
Входное сопротивление схемы с ОБ RВХОБ |
1- мало 2- велико |
|
145 |
Выходное сопротивление схемы с ОБ RВЫХОБ |
1- мало 2- велико |
|
146 |
Входное сопротивление схемы с ОК RВХОК |
1- мало 2- велико |
|
147 |
Выходное сопротивление схемы с ОК RВЫХОК |
1- мало 2- велико |
|
148 |
Усилитель УНЧ работает в диапазоне частот до |
1- 20 кГц 2- 200 кГц 3- 20 МГц |
|
149 |
Полоса пропускания УНЧ - диапазон частот, в котором коэффициент усиления изменяется не более, чем на |
1- 3 дБ 2- 20 дБ 3- 30 дБ 4- 100 дБ |
|
150 |
В режиме какого класса работают выходные каскады УНЧ |
1- А 2- В 3- С 4- АВ |
|
151 |
В режиме какого класса работают входные каскады УНЧ |
1- А 2- В 3- С 4- АВ |
|
152 |
Какие межкаскадные связи присутствуют в УНЧ |
1- Гальванические 2- Трансформаторные 3- Резистивно-емкостные 4- Трансформаторные и резистивно-емкостные |
|
153 |
Что называется амплитудно-частотной характеристикой усилителя? |
1-
2-
3-
4-
5-
|
|
154 |
Что называется амплитудной характеристикой усилителя? |
1- 2- 3- 4- 5- |
|
155 |
Какими элементами схемы усилителя обусловлен завал амплитудно-частотной характеристики усилителя в области низких частот? |
1- Резисторами 2- Конденсаторами 3- Транзисторами |
|
156 |
Какими элементами схемы усилителя обусловлен завал амплитудно-частотной характеристики усилителя в области верхних частот? |
1- Резисторами 2- Конденсаторами 3- Транзисторами |
|
158 |
Коэффициент усиления по напряжению
первого каскада УНЧ равен
|
1- 110 2- 1000 |
|
159 |
Коэффициент усиления по напряжению первого каскада УНЧ равен дБ, второго каскада - дБ. Чему равен общий коэффициент усиления? |
1- 110 дБ 2- 1000 дБ |
|
160 |
Как влияет отрицательная обратная связь на коэффициент усиления усилителя? |
1- Не влияет 2- Увеличивает 3- Уменьшает |
|
161 |
Усилитель состоит из двух каскадов, коэффициенты усиления которых К1 = 10, К2 = 20. Последний каскад охвачен отрицательной обратной связью с β = 0,2. Определить общий коэффициент усиления. |
1- 200 2- 30 3- 40 |
|
162 |
О |
1- Фиксированным напряжением 2- Фиксированным током |
|
163 |
О пределите тип усилительного каскада |
1- С общим эмиттером 2- С общим коллектором 3- С общей базой |
|
164 |
К аково назначение резистора RK в данной схеме? |
1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме |
|
165 |
О пределите назначение резистора RБ в данной схеме |
1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме 4- Для задания тока базы, определяющего положение начальной рабочей точки на входных и выходных характеристиках транзистора
|
|
166 |
Определите назначение конденсатора С2 в данной схеме |
1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме 4- Для задания тока базы, определяющего положение начальной рабочей точки на входных и выходных характеристиках транзистора |
|
167 |
К ак влияет увеличение сопротивления RБ на положение начальной рабочей точки на нагрузочной прямой? |
1- Начальная рабочая точка на нагрузочной прямой смещается вниз 2- Начальная рабочая точка на нагрузочной прямой смещается вверх
|
|
168 |
О |
1- Фиксированным напряжением 2- Фиксированным током |
|
169 |
Н апряжение смещения в данной схеме определяется величиной сопротивления |
1- Резистора R1 2- Резистора R2 3- Резисторов R1 и R2 |
|
170 |
Определите назначение резистора RЭ в данной схеме |
1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме 4- Для температурной стабилизации усилительного каскада |
|
171 |
О пределите назначение конденсатора СЭ в данной схеме |
1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме 4- Для температурной стабилизации усилительного каскада 5- Для исключения уменьшения коэффициента усиления каскада за счет резистора RЭ
|
|
172 |
Работа усилительного каскада в режиме класса А отличается от работы в других классах |
1-Небольшим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 2-Небольшим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала 3- Большим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 4- Большим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала |
|
173 |
Работа усилительного каскада в режиме класса В отличается от работы в других классах |
1-Небольшим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 2-Небольшим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала 3-Большим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 4-Большим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала |
|
174 |
Какая из схем включения биполярных транзисторов переворачивает фазу сигнала на 1800? |
1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК |
|
175 |
Какая из схем включения биполярных транзисторов называется эмиттерным повторителем? |
1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК |
|
176 |
Какая из схем включения биполярных транзисторов обладает максимальным коэффициентом усиления по мощности? |
1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК |
|
177 |
Как определяется коэффициент усиления каскада, охваченного отрицательной обратной связью? |
1-
2-
3-
4- |
|
178 |
Как переводится значение коэффициента усиления по напряжению из относительных единиц в дБ? |
1-
2-
3-
|
|
179 |
Как влияет увеличение сопротивления RK резистора на коэффициент усиления по напряжению в схеме усилительного каскада с ОЭ? |
1- Увеличивает 2- Уменьшает |
|
180 |
Можно ли построить выпрямитель без силового трансформатора?
|
1 Можно при синусоидальном напряжении питания 2 Нельзя из-за опасности пробоя диодов 3 Нельзя, если форма напряжения не синусоидальная 4 Можно в любом случае |
|
181 |
Можно ли построить выпрямительную схему без вентилей (диодов)? |
1 Можно на резисторах 2 Можно на конденсаторах 3 Можно на катушках индуктивности 4 Можно на транзисторах 5 Нельзя |
|
182 |
Как изменится напряжение стабилизации на выходе ПСН при изменении входного напряжения ? |
1 Не изменится 2 Возрастет при возрастании UВХ 3 Уменьшится при возрастании UВХ 4 Сначала возрастет до UСР, а потом уменьшится |
|
183 |
Как изменится ток, протекающий через стабилитрон в ПСН, если RБ = 200 Ом, а входное напряжение изменилось на 2 В ? |
1 Ток через стабилитрон не изменится 2 При возрастании UВХ стабилитрон прикроется и ток уменьшится на 10 мА 3 При возрастании UВХ стабилитрон приоткроется и ток возрастет на 10 мА |
|
184 |
Как изменится напряжение стабилизации на выходе ПСН при возрастании температуры ? |
1 UСТ уменьшится 2 UСТ увеличится 3 UСТ не изменится |
|
185 |
Определить ток стабилитрона IСТ, если входной ток IВХ = 50 мА, а ток в нагрузке IН =30 мА. |
1 IСТ= 80 мА 2 IСТ= 20 мА 3 IСТ= 40 мА 4 IСТ= 60 мА 5 IСТ= 150 мА |
|
186 |
Сопротивление резистора RБАЛ= 200 Ом. Как изменится ток стабилитрона IСТ(при UCТ=const), если входное напряжение UВХ возрастет на величину UВХ=2B ?
|
1 Ток стабилитрона IСТ не изменится 2 Ток стабилитрона IСТ уменьшится на величину 10 мА 3 Ток стабилитрона IСТ возрастет на величину 10 мА 4 Ток стабилитрона IСТ уменьшится на величину 20 мА 5 Ток стабилитрона IСТ возрастет на величину 20 мА
|
|
187 |
Для чего в параметрическом стабилизаторе напряжения используется резистор RБ ?
|
1 Для защиты стабилитрона от пробоя 2 Для ограничения тока стабилитрона 3 Для уменьшения температуры стабилитрона 4 Для гашения избыточного напряжения UВХ 5 Для задания напряжения стабилизации |
|
188 |
Что произойдет со стабилитроном, если закоротить резистор RН?
|
1 Ничего не произойдет 2 Он выйдет из строя 3 Увеличится его нагрев 4 Уменьшится его нагрев
|
|
189 |
Как отреагирует делитель напряжения на одинаковых резисторах RБ и RН, если параллельно RН включить стабилитрон с UСТ > UВХ/2 при указанной полярности UВХ?
|
1 Никак не отреагирует 2 UВЫХ на RН увеличится 3 UВЫХ на RН уменьшится 4 Возрастет ток через RН 5 Уменьшится ток через RН
|
|
190 |
Как отреагирует делитель напряжения на одинаковых резисторах RБ и RН, если параллельно RН включить стабилитрон с UСТ < UВХ/2 при указанной полярности UВХ?
|
1 Никак не отреагирует 2 UВЫХ на RН увеличится 3 UВЫХ на RН уменьшится 4 Возрастет ток через RН 5 Уменьшится ток через RБ
|
|
191 |
Если ток через диод выпрямительной схемы превышает IVD ДОП, то необходимо: |
1 Включить несколько VD последовательно 2 Включить несколько VD параллельно 3 Зашунтировать VD резистором с R < RПР VD 4 Зашунтировать VD резистором с R < RОБР VD |
|
192 |
Если обратное напряжение на диоде выпрямительной схемы превышает UVD ОБРДОП, то необходимо: |
1 Включить несколько VD параллельно 2 Включить несколько VD последовательно 3 Зашунтировать VD резистором с R < RПР VD 4 Зашунтировать VD резистором с R < RОБР VD |
|
193 |
В каких цепях наиболее эффективно работают емкостные фильтры? |
1 Не имеет значения 2 В цепях с низкоомной нагрузкой 3 В цепях с высокоомной нагрузкой 4 В цепях переменного тока 5 В цепях постоянного тока |
|
194 |
В каких цепях наиболее эффективно работают индуктивные фильтры? |
1 Не имеет значения 2 В цепях с низкоомной нагрузкой 3 В цепях с высокоомной нагрузкой 4 В цепях переменного тока 5 В цепях постоянного тока |
|
195 |
Какое минимальное число простейших каскадов RC – фильтров должно входить в цепь положительной обратной связи RC – генератора с одним каскадом усиления, выполненный по схеме с общим эмиттером |
1 1 2 2 3 3 |
|
196 |
Что такое “относительная нестабильность частоты”? |
1 fГЕН – fЗАД 2 (fГЕН + fЗАД) / 2 3 (fГЕН – fЗАД) / fЗАД 4 (fГЕН + fЗАД) / fГЕН |
|
197 |
Какими свойствами обладает кварцевый резонатор в диапазоне частот между последовательным и параллельным резонансами? |
1 Емкостными 2 Индуктивными 3 Резистивными 4 Температурной стабильностью |
|
198 |
Как создаются условия баланса фаз в однокаскадных RC генераторах?
|
1 С помощью диодных схем 2 С помощью RC делителей напряжения 3 С помощью RC фазовращателей 4 С помощью RC усилителей |
|
199 |
Как создаются условия баланса фаз в двухкаскадных RC генераторах? |
1 С помощью RC делителей напряжения 2 С помощью RC фазовращателей 3 С помощью RC полосовых фильтров 4 С помощью RC лестничных фильтров |
|
200 |
Чем ограничивается амплитуда колебаний в генераторе LC типа? |
1 Напряжением источника питания 2 Нелинейностью амплитудной характеристики транзистора 3 Температурным режимом транзистора 4 Возможностью пробоя p-n переходов |
|
201 |
Какое назначение двойного Т-образного фильтра в схеме усилителя?
|
1 2Т-фильтр служит для подавления сигнала ООС на определенной частоте 2 2Т-фильтр служит для выделения сигнала ООС на определенной частоте 3 2Т-фильтр переворачивает фазу сигнала с выхода ЭУ на его входе 4 2Т-фильтр служит для выделения постоянной составляющей на выходе ЭУ
|
|
202 |
В генераторе RC типа нет колебательного контура. Каким же образом возникают колебания? |
1 За счет переходных процессов в транзисторе 2 За счет избирательности фазосдвигающей цепочки 3 За счет действия ПОС в переходном процессе 4 За счет тепловых флуктуаций в транзисторе
|
|
203 |
Какой из приведенных ниже сигналов я |
1 Сигнал а) 2 Сигнал б) 3 Сигнал в) 4 Все сигналы радиоимпульсы 5 Здесь нет радиоимпульсов
|
|
204 |
Какое определение радиоимпульса правильное? |
1 Это импульсы, используемые в радиовещании 2 Это кратковременно действующее ВЧ колебание, не имеющее постоянной составляющей 3 Это кратковременно действующее ВЧ колебание, имеющее постоянную составляющую 4 Это двухполярные прямоугольные колебания |
|
205 |
Какой из приведенных ниже сигналов является видеоимпульсом?
|
1 Сигнал а) 2 Сигнал б) 3 Сигнал в) 4 Сигнал г) 5 Здесь нет видеоимпульсов 6 Все сигналы видеоимпульсы
|
|
206 |
Дайте определение видеоимпульса |
1 Это кратковременно действующее U или I, возрастающее от некоторого уровня до максимума и спадающее затем до исходного уровня 2 Это импульсы, используемые в видеотехнике 3 Это кратковременное действующее U или I, возрастающее от некоторого уровня до максимума и спадающее затем до нулевого уровня 4 Это кратковременное отклонение I или U от некоторого установившегося значения
|
|
207 |
Чем объяснить отличие формы реального прямоугольного импульса от идеального?
|
1 Это вызвано внутренним сопротивлением источника питания 2 Эти обусловлено наличием обратной связи в усилительных элементах 3 Эти обусловлено наличием паразитных емкостей и индуктивностей в элементах схемы 4 Это связано с динамическими возможностями осциллографа
|
|
208 |
Чем в основном определяется длительность фронтов прямоугольного импульса?
|
1 Длительностью переходных процессов в усилительных элементах схемы 2 Длительностью переходных процессов в пассивных элементах схемы 3 Наличием внутреннего сопротивления источника питания
|
|
209 |
Как определяется крутизна фронта прямоугольного импульса? |
1
2
3
4
|
|
210 |
Как определяется коэффициент заполнения последовательности прямоугольных импульсов? |
1
2
3
4
|
|
211 |
Что такое среднее значение импульсной последовательности? |
1 Это величина постоянной составляющей напряжения импульсной последовательности 2 Это среднее значение амплитуды импульсов 3 Это среднее арифметическое амплитуды двух смежных импульсов 4 Это значение напряжения за половину периода импульсной последовательности |
|
212 |
Как определяется среднее значение напряжения импульсной последовательности? |
1
2
3
4 UСР = Um / 2 5 UСР = UmtИ / 2 |
|
213 |
Какой процесс называется переходным процессом? |
1 Процесс перехода электрической цепи от одного установившегося режимак другому 2 Процесс изменения U или I во времени 3 Процесс изменения физических свойств элементов цепи. |
|
214 |
Чем отличаются процессы разряда и перезаряда конденсатора в RC цепи? |
1 Перезаряд происходит без внешнего источника. 2 Разряд происходит под действием внешнего источника 3 Разряд происходит без внешнего источника 4 Отличия нет |
|
215 |
Как изменяется напряжение на конденсаторе UC в RC цепи при подключении к ней скачком внешнего напряжения UВХ?
|
1
2
3
4
|
|
216 |
В каком диапазоне будет находиться напряжение на конденсаторе в RC цепи через время t =3 при подключении к ней скачком внешнего напряжения UВХ ?
|
1 (80 … 100) % от UВХ 2 (60 … 80) % от UВХ 3 (40 … 60) % от UВХ 4 (20 … 40) % от UВХ 5 (0 … 20) % от UВХ |
|
217 |
Какой параметр отличает транзисторный ключ от идеального ключа в разомкнутом состоянии? |
1 Ток IЭ 2 Ток IЭБ 3 Сопротивление БЭ перехода 4 Ток IКБО 5 Ток IК |
|
218 |
Какой параметр отличает транзисторный ключ от идеального ключа в замкнутом состоянии? |
1 Ток IБ 2 Напряжение UКБ 3 Напряжение UБЭ 4 Напряжение UКЭ 5 Ток IКБО |
|
219 |
Ч |
1 Длительность импульса 2 Длительность паузы 3 Ничего не изменится 4 Увеличится длительность фронта 5 Уменьшится длительность фронта |
|
220 |
Ч то изменится на выходе 2 при увеличении сопротивления резистора RК 2? |
1 Длительность импульса 2 Длительность паузы 3 Ничего не изменится 4 Увеличится длительность фронта 5 Уменьшится длительность фронта
|
|
221 |
Ч то изменится на выходе 2 при увеличении сопротивления резистора RБ 2? |
1 Длительность импульса 2 Длительность паузы 3 Ничего не изменится 4 Увеличится длительность фронта 5 Уменьшится длительность фронта |
|
222 |
Стабильность частоты мультивибратора выше: |
1 На высоких частотах 2 Нв средних частотах 3 На низких частотах 4 Всегда постоянка |
|
223 |
От чего зависит стабильность частоты мультивибратора? |
1 От времени заряда конденсаторов 2 От времени разряда конденсаторов до 0 3 От времени перезаряда конденсаторов от +Ек до –Ек 4 От величины резисторов RК |
|
224 |
Ждущим называется мультивибратор, который с приходом управляющего импульса |
1 Начинает генерировать 2 Прекращает генерировать 3 Формирует одиночный импульс 4 формирует два разнополярных импульса
|
|
225 |
Какие причины не позволяют получить на выходе мультивибратора последовательность импульсов с большой скважностью? |
1 Низкая частота переключения VT 2 Инерционность конденсатора 3 Большое время заряда конденсатора 4 Быстрый разряд конденсатора |
|
226 |
В каком устройстве используется пилообразное напряжение?
|
1 в блокинг-генераторе 2 в мультивибраторе 3 в осциллографе 4 в ждущем мультивибраторе 5 в инверторе |
|
227 |
Какое из напряжений является амплитудным значением пилообразного напряжения?
|
1 1 2 2 3 Оба амплитудные 4 Здесь нет амплитудных |
|
228 |
С каких выводов устройства снимается выходной сигнал?
|
1 2 3 |
|
229 |
Какое назначение резистора RБ в данной схеме?
|
1 Переводит транзистор в класс А 2 Открывает транзистор до насыщения 3 Закрывает транзистор до отсечки 4 ВЧ коррекция ИУ 5 НЧ коррекция ИУ |
|
230 |
Рабочий ход на выходе простейшего ГПН формируется, когда транзистор |
1 Открыт 2 Закрыт 3 Открывается 4 Закрывается |
|
231 |
Как влияет длительность входного импульса tВХ на линейность выходного напряжения ГПН?
|
1 Линейность выходного напряжения выше, если длительность входного импульса tВХ мала 2 Линейность выходного напряжения выше, если длительность входного импульса tВХ велика 3 Время tВХ не влияет на линейность UВЫХ ГПН
|
|
232 |
Что характеризует коэффициент нелинейности ГПН? |
1 Отклонение UВЫХ ГПН от прямой линии 2 Крутизну UВЫХ 3 Относительное изменение скорости нарастания UВЫХ во время рабочего хода 4 Изменение тока заряда конденсатора |
|

оминальная
мощность рассеивания данного резистора
составляет
оминальная
мощность рассеивания данного резистора
составляет
оминальная
мощность рассеивания данного резистора
составляет
акой
способ включения переменного резистора
здесь представлен
ак
определяется напряжение на выходе
делителя напряжения?
-
-
ак
определяется напряжение на выходе
делителя напряжения?
акая
из приведенных схем является схемой
замещения резистора?
акая
из приведенных схем является схемой
замещения конденсатора?
ердечник
данной катушки индуктивности выполнен
из
ердечник
данной катушки индуктивности выполнен
из
-
-
-
анный
транзистор имеет структуру
анный
транзистор имеет структуру
десь
изображена схема включения биполярного
транзистора с
десь
изображена схема включения биполярного
транзистора с
точке 1 VT -
акой
режим работы фотодиода изображен?
анный
транзистор является
анный
транзистор имеет
пределите
тип смещения транзистора в данной
схеме
пределите
тип смещения транзистора в данной
схеме
вляется
радиоимпульсом?
то
изменится на выходе 2 при увеличении
емкости конденсатора С1?