Порядок выполнения работы

2). Электрическая схема установки.

3.а). Средства измерений и их характеристики.

Наименование средства измерения	Предел измерений	Цена деления шкалы	Класс точности
Миллиамперметр	10 мА	0.1 мА	1.5
Микровольтметр	100 мкВ	1 мкВ	1,5
Амперметр	50А	2 А	1.5
Потенциометр	100 мВ	0.01 мВ

3.б). Характеристики установки.

Индукция магнитного поля в зазоре электромагнита при силе тока в обмотке:

I=6 A;

B=0.530.01Тл.

4). Результаты измерений.

Задача 1. Определение постоянной Холла в полупроводнике (кристалл германия n-типа).

Таблица 1.

Сила тока I в датчике, мА	U1, мВ	U2, мВ	U=(U1+U2)/2, мВ
1	5,52	5,32	5,420
2	9,25	9,42	9,335
3	13,36	13,29	13,325
4	17,15	17,34	17,245
5	21,06	21,47	21,265
6	25,05	24,95	25,000
7	29,27	29,40	29,335
8	32,92	33,24	33,08
9	36,48	37,95	37,215
10	41,45	41,60	41,525

• Построение графика U=f(I) по данным табл. 1. Определение тангенса угла наклона прямых.

tg= (41,525-5,420)/9=4,012

Расчет значений R, n,  для полупроводника и металла.

R=tg d/B= 3,710^-3 м³/Кл.

n=3/8eR= 0,19910²² м^-3

=8R/3= 0,236 м²/Вс

Задача 2. Измерение холловской разности потенциалов.

Таблица 2

Сила тока I в датчике, А	U1, мкВ	U2, мкВ	U=(U1+U2)/2, мкВ
0	0	0	0
6	4	18	11
12	10	30	20
18	16	45	30,5
24	21	59	40
30	28	74	51

• П остроение графика U=f(I) по данным табл. 1. Определение тангенса угла наклона прямых.

tg=5110^-6/30= 1,710^-6

Расчет значений R, n,  для полупроводника и металла.

R=tg d/B= 1,1210^-9 м³/Кл.

n=1/eR= 0,5610²⁸ м^-3

=R= 6,38410^-2 м²/Вс

Задача 3. Градуировка магнитного поля электромагнита при помощи полупроводникового датчика Холла.

I=7 мА.

6. Принципиальная схема и описание работы лабораторного макета.

7. Типы и характеристики измерительных приборов макета.

8. Ответы на контрольные вопросы.