Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Отчет-пример 1-ой лаб работы по схемотехнике.doc
Скачиваний:
33
Добавлен:
20.08.2019
Размер:
1.47 Mб
Скачать

Московский государственный технический университет

имени Н. Э. Баумана

Лабораторный практикум № 1

по курсу « Электротехника и электроника, часть 2 »

на тему

«Исследование полупроводникового диода и

формирование его модели для программ схемотехнического анализа»

Вариант № 17

Выполнил: студент Соя Д.М.

группа РК6-62

Проверил: Загидуллин Р.Ш.

Москва, 2011 г.

Содержание

Аннотация………………………………………………………………………………………………3

I Определение параметров модели в программе Micro-Сap 9 …………………………….....4

  1. Получение прямой ветви ВАХ…………………………………………………………….…..4

  2. Получение обратной ветви ВАХ…………………………………………………………...…6

  3. Получение ВФХ………………………………………………………………………..………9

  4. Построение ВФХ в программе MathCAD……………………………………………...……13

  5. Обработка прямой ветви ВАХ в MathCAD……………………………………………...….15

  6. Построение модели диода по экспериментальным данным……………………………….17

  7. Сравнение исходной и полученной моделей диодов……………………………………....20

II. Определение параметров модели в программе MultiSim 11……………………...….......22

  1. Получение прямой ветви вах……………………………………………………………….22

  2. Получение обратной ветви ВАХ………………………………………………………...…..25

  3. Получение ВФХ………………………………………………………………………..……..28

  4. Получение ВАХ диода с помощью специальных встроенных средств…………………..30

  5. Построение ВФХ в программе MathCAD……………………………………………...……31

  6. Обработка прямой ветви ВАХ в MathCAD……………………………………………...….32

  7. Построение модели диода по экспериментальным данным……………………………….34

  8. Сравнение исходной и полученной моделей диодов………………………………………36

Выводы……………………………………………………………….……………….….......38

Аннотация

Данный отчет посвящен выполнению лабораторного практикума с использованием программных средств Micro-Cap 9 и MathCAD 15.

В данной работе проводится исследование полупроводникового диода и формирование его модели для программ схемотехнического анализа.

В работе изучаются:

  • полупроводниковые диоды;

  • моделирование лабораторных исследований в программах схемотехнического моделирования,

  • расчет параметров модели по результатам моделирования,

  • внесение параметров с модели диода в базу данных программ схемотехнического моделирования.

Определение параметров модели в программе Micro-Сap 9

  1. Получение прямой ветви вах.

При построении схемы для получения прямой ветви ВАХ в Micro-Cap воспользуемся такими компонентами как Ground(Заземление), Resistor(Сопротивление), Diode(Диод), Battery(Батарейка).

Тип диода определяется номером диода по списку в файле RUS_D.LIB

.model D237B D(Is=31.69p Rs=91.07m N=1 Xti=3 Eg=1.11 Bv=400.1 Ibv=158.5u

+ Cjo=15p Vj=.75 M=.3333 Fc=.5 Tt=721.3n)

Сопротивления резисторов 10 Ом и 10 кОм имитируют сопротивления миллиамперметра и вольтметра. Погрешность измерений тем меньше, чем меньше сопротивление миллиамперметра. Приборы подключены таким образом, чтобы вносить минимум изменений в работу схемы, и, следовательно, точность измерений будет высокой.

Проведение анализа по постоянному току. (Analysis->DC)

  • В качестве варьируемого параметра выбираем напряжение источника V1. Т.к. схема имеет базу, то варьируется напряжение и на диоде.

  • В качестве диапазона изменений выбираем промежуток 0…10 В с шагом 0.01В.

  • Задаем линейный вид шкалы по оси абсцисс и ординат.

  • По оси Х задаем выражение V(1) – напряжение на диоде, а по оси Y ток через диод I(R1)-I(R2).

  • Масштаб по оси X задаем в пределах 0…1.1 В с шагом сетки 0.1 В; по оси Y пределы и шаг выберем автоматические.

Запускаем на анализ (Run) и получаем график зависимости тока через диод I(R1) - I(R2) от напряжения V1, что и является Вольт-Амперной характеристикой (ВАХ).

График прямой ветви ВАХ:

Для получения табличного представления зависимости требуется выбрать пункт меню DC -> Numeric Output, либо нажать F5.

Чтобы воспользоваться полученными данными в среде MathCAD, нужно отредактировать полученный файл, оставив только следующие данные, необходимые для расчета:

V(1) I(R1)-I(R2)

(V) (A)

7.622E-31 -7.615E-32

199.799e-3 40.033e-6

398.052e-3 234.559e-6

505.417e-3 9.509e-3

533.855e-3 26.668e-3

549.181e-3 45.137e-3

559.974e-3 64.059e-3

568.491e-3 83.208e-3

575.645e-3 102.493e-3

581.892e-3 121.869e-3

587.493e-3 141.309e-3

592.612e-3 160.798e-3

597.356e-3 180.324e-3

601.802e-3 199.880e-3

606.003e-3 219.460e-3

610.002e-3 239.061e-3

613.829e-3 258.678e-3

617.510e-3 278.311e-3

621.063e-3 297.956e-3

624.506e-3 317.612e-3

627.852e-3 337.278e-3

631.110e-3 356.952e-3

634.291e-3 376.634e-3

637.403e-3 396.323e-3

640.451e-3 416.019e-3

643.442e-3 435.720e-3

646.381e-3 455.427e-3

649.272e-3 475.138e-3

652.120e-3 494.853e-3

654.926e-3 514.573e-3

657.695e-3 534.296e-3

660.430e-3 554.023e-3

663.132e-3 573.753e-3

665.804e-3 593.486e-3

668.447e-3 613.222e-3

671.064e-3 632.961e-3

673.657e-3 652.702e-3

676.225e-3 672.445e-3

678.772e-3 692.191e-3

681.298e-3 711.938e-3

683.805e-3 731.688e-3

686.293e-3 751.439e-3

688.763e-3 771.193e-3

691.216e-3 790.948e-3

693.653e-3 810.704e-3

696.076e-3 830.462e-3

698.483e-3 850.222e-3

700.877e-3 869.982e-3

703.258e-3 889.745e-3

705.626e-3 909.508e-3

707.982e-3 929.273e-3