![](/user_photo/1334_ivfwg.png)
- •Принцип программного управления и машина фон Неймана
- •Понятие архитектуры, организации и реализации эвм
- •2 Многоуровневая организация эвм.
- •Понятие семантического разрыва между уровнями
- •3 Организация аппаратных средств эвм
- •Типовая структура вм на микропроцессорных наборах
- •Типовая структура процессора и основной памяти
- •Основной цикл работы процессора
- •Простейшая схема формирователя управляющих сигналов
- •Способы кодирования микрокоманд.
- •Арифметические особенности risc процессоров.
- •Организация стека процессора
- •1. Регистровая адресация
- •2. Непосредственная адресация
- •3. Прямая адресация
- •4. Косвенная адресация
- •5. Адресация по базе
- •6. Индексная адресация
- •7. Адресация по базе с индексированием и масштабированием
- •1. Директивы задания данных
- •2. Директивы сегментации программы
- •3. Директивы группирования.
- •4. Порядок размещения сегментов.
- •5. Директивы ограничения используемых команд.
- •6. Директива end.
- •Основные среды хранения информации.
- •Виды запоминающих устройств.
- •Постоянные запоминающие устройства.
- •Память с произвольной выборкой.
- •Иерархическая система памяти
- •Ассоциативные запоминающие устройства (азу)
- •Способы выполнения операции передачи данных
Основные среды хранения информации.
Магнитная среда.
В качестве носителя используется магнитные домены, в настоящее время их использование для внешних устройств не выгодно, так как они очень медленные.
Среда с накоплением зарядов.
В данном случае в качестве памяти имеется конденсатор и транзистор позволяющие хранить один бит информации. И в зависимости от материалов, есть биполярная полупроводниковая память (наиболее быстрая) и МОП (металл – оксид - полупроводник) сравнительно медленная, но дешевая.
Память на активных элементах с усилительными свойствами.
Использует триггеры, а сами структуры хранения называются регистрами (самая быстрая, но малой емкости из-за стоимости).
Оптические запоминающие устройства.
Запись информации осуществляется лазерным лучом, а представление информации определяется либо различными свойствами прохождения луча через среду, либо поляризацией материала среды (достаточно высокая плотность записи и малая цена хранения одного бита информации).
Виды запоминающих устройств.
Запоминающие устройства отличаются способом доступа к данным.
ППВ - память с произвольной выборкой (RAM–random-accessmemory).
ПЗУ – постоянное запоминающее устройство (ROM–read-onlymemory).
АЗУ – ассоциативное запоминающее устройство, отличительная особенность – доступ к элементам памяти по их содержимому.
Постоянные запоминающие устройства.
Используется для хранения фиксированных микропрограмм, подпрограмм и различных постоянных (BIOS).
МПЗУ (масочное ПЗУ) – это устройство, в котором запись информации осуществляется фирмой изготовителем (путем выжигания связей (участков)).
ППЗУ (программированное ПЗУ (PROM)) – это устройство которое в исходном виде поставляются пользователю, и он сам прошивает данные (специальный прибор программатор). После такой процедуры ППЗУ не может больше перепрашиваться.
ПППЗУ (перепрашивающее программированное ПЗУ (EPROM)) – это устройство аналогично ППЗУ, только с возможностью стирания (ультрафиолетом) и перезаписи информации.
Память с произвольной выборкой.
ППВ делится на два вида:
ППрД (память прямого доступа), в которой время доступа к элементу не зависит от положения предыдущего элемента.
ППослД (память последовательного доступа), в которой время доступа зависит от положения предыдущего элемента.
ППВ (RAM) наиболее быстрые виды:tВЫБ= (1..3) нс. – 10 нс. и С = 1мб. - 128мб.
С точки зрения реализации более распространены DRAM(Dynamic- динамическая) правда, для ее нормальной работы необходимо осуществлять регенерацию памяти через каждые16нс. (тем самым, подзаряжая конденсаторы).
DRAMорганиована в виде набора матриц, в которых указывается адрес строки (RowAddr(RAS)) и адрес столбца (ColumnAddr(CAS)). Существуют симметрические(1024x1024) и несимметрические(4096x1024)DRAM. В одном модуле желательно использовать одинаковую организацию.
Режимы памяти.
FPM(FastPageMode), режим при многократном последовательном обращение к одной и той же строке номер не задается (системная шина меньше двадцати пяти мегагерц).
EDO(ExtendedDataOut), режим при котором адресация нового столбца осуществляется до завершения предыдущего, производительность повышается примерно вдовое (системная шина от пятидесяти до шестидесяти мегагерц).
SDRAM(SynchronousDynamicRAM), ориентирована на обработку пакетов из четырех 32 битных или 64 битных слов, отличается общей синхронизацией управляющих сигналов от общего сигнала (системная шина выше семидесяти пяти мегагерц).
Конструкция исполнения.
SIMM – Single in-line memory module (72, 32 контактов).
DIMM – Dual in-line memory module (168 контактов).
Структура памяти с произвольной выборкой
Структура
памяти с произвольной выборкой