Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Сонячна батарея.docx
Скачиваний:
1
Добавлен:
20.08.2019
Размер:
995.07 Кб
Скачать

Опис приладу.

Рис. 1

Я к виявляється напівпровідниковий сонячний фотоелемент досить легко зробити власноруч. Для цього можна використовувати фотодіоди або транзистори з p-n-переходом. В нашому випадку були використані кремнієві транзистори КТ803а та КТ808а (рис. 1). Для того, що перетворити транзистор даної марки в фотоелемент необхідно зняти верхню кришку корпусу.

Рис. 2. Схема сонячної батареї на транзисторах

Наступним кроком є визначення переходу в транзисторі, який буде давати найбільшу напругу при виникненні фотоструму. Для цього відповідні переходи база-емітер, база-колектор, емітер-колектор тестувались за допомогою мультиметра в режимі вимірювання напруги та лампи денно світла. Згідно результатів вимірів найпродуктивнішим виявися перехід база-емітер.

В середньому один транзистор здатен продукувати 0,2 В фотоструму при освітленні лампою денного світла. Тому, для збільшення продуктивності джерела енергії, транзистори були об’єднані в батарею. Для цього були виготовлена плати в гетинаксу з подальшим монтуванням транзисторів. Схема батареї подана на рис. 2. Всього в батареї використовувалось 12 транзисторів. Для збільшення напруги 4 транзистори з’єднувались послідовно, а для збільшення сили струму плечі з послідовно з’єднаними транзисторами припаювались паралельно між собою. Напруга такої батареї при освітленні лампою денного світла складає близько 0,6 В.

З’єднання транзисторів на платі здійснювались навісним методом за допомогою пайки залуженим провідником з діаметром 1мм (рис. 3). Для зручності під’єднання до сонячної батареї навантаження на виводах закріплені затискачі типу «крокодил» і вказується полярність джерела. Остаточний вигляд батарейки показано на рис 4.

Рис. 3.Пайка транзисторів на платі

Рис 4. Готовий макет батареї

Дослідження приладу

Сконструйовану нами сонячну батарею ми дослідили на залежність напруги від спектру падаючого світла, встановили залежність напруги від температури самої батареї. Також визначили ККД сонячної батареї на транзисторах.

  1. Залежність напруги від довжини хвилі падаючого світла.

Довжина хвилі, нм

Колір фільтра

U , В

240

ПС5

0,33

270

УФС2

0,36

270

ОС6

0,35

280

СС1

0,41

300

ОС14

0,4

320

НС1

0,39

350

ЖС1

0,38

360

БС3

0,32

390

ТС3

0,37

400

Ж19

0,39

720

ІКС1

0,3

730

КС10

0,43

  1. Залежність напруги від температури сонячної батареї

T, C

U , mB

19

506

28

503

32

501

34

500

40

497

44

494

46

492

50

486

56

478

62

470

  1. Визначення ККД сонячної батареї.

Сама формула визначення коефіцієнту корисної дії сонячного елементу досить складна, адже необхідно враховувати багато факторів: від зовнішнього впливу до то, як сама речовина, з якої виготовлений фотоелемент, реагує на падаючий світловий потік. Тому, обраний нами метод визначення ККД сонячного елемента дає досить наближене значення.

Формула для обчислення ККД сонячної батареї має вигляд:

, (1)

де – потужність сонячної батареї під навантаженням, – потужність падаючого світла.

Потужність сонячного елемента під навантаженням ми визначили за допомогою наступної схеми:

При вимірах отримали такі значення: U=0,26 B, R=110 Ом. Сила струму із закону Ома рівна: I=2,4 mA. Таким чином, потужність батареї рівна:

Світловий потік обчислювали за формулою Ф=ES, де Eосвітленість, S площа поверхні, на яку падає світло. Освітленість, виміряна за допомогою люксметра, становить 410 лк. Площа поверхні – 0,225 м2. Тому, світловий потік становить

Ф=ES=410 лк*0,225 м2=92,25 лм

З таблиць співвідношення потужності випромінювання та світлового потоку маємо, що потужність світла становить приблизно 5 Вт.

Тоді, скориставшись формулою (1) маємо:

Отже, потужність сконструйованої нами сонячної батареї становить 1,25%