Контрольные вопросы

1. Что такое инжекция носителей тока?

2. В какой области биполярного транзистора происходит инжекция носителей тока?

3. Что означает термин «биполярный транзистор»? Какие еще типы транзисторов вы знаете?

4. Какую роль играют электроны в работе p-n-p тран-зистора?

5. Какую роль играют дырки в работе p-n-p транзиcтора?

6. Что такое основные и неосновные носители тока в полупроводниках?

7. Какие носители тока инжектируются в базу в p-n-p транзисторе и n-p-n транзисторе?

8. Какие физические процессы происходят в базовой области транзистора после инжекции туда неосновных носителей тока?

9. Какие параметры транзистора изменятся, если при прочих одинаковых условиях увеличить ширину базовой области (область между эмиттером и коллектором)?

10. Какие физические явления приводят к снижению уси-лительных свойств транзистора при работе на высоких частотах?

11. Почему коэффициент передачи тока эмиттера (α) мень-ше единицы?

12. Нарисуйте схему усиления тока на основе транзистора.

13. Нарисуйте схему усиления напряжения на основе тран-зистора.

14. Чем объясняется появление запирающего слоя в p-n переходе?

15. Как изменяется ширина запирающего слоя, если к p-n переходу приложить внешнее напряжение в прямом и обратном направлении?

16. Каков физический смысл h-параметров в схеме c ОБ?

17. В схеме на рис. 4 напряжение на переходе эмиттер-база устанавливается с помощью двух потенциометров R₂ и R₃. Зачем нужен второй потенциометр – R₃?

18. В схеме на рис. 4 измеряется ток базы, хотя для вы-числения коэффициента α (см формулу 14) надо измерять ток коллектора. Что достигается при использовании данной схемы измерения?

19. Что произойдет в схеме на рис. 4, если вывод базы накоротко соединить с выводом эмиттера?

20. Что произойдет в схеме на рис. 4, если при под-ключении транзистора к схеме вывод базы будет присоеди-нен к той точке схемы, куда на схеме рис. 4 присоединен эмиттер, а вывод эмиттера будет присоединен к той точке схемы, куда на схеме рис. 4 подключена база?

21. После операций, указанных в предыдущем вопросе, какие еще надо произвести измерения в схеме, чтобы транзистор стал работать по схеме с общим эмиттером в режиме усиления тока?

22. В настоящей работе рекомендуется при измерении входных характеристик ограничиться измерением тока эмиттера до 10 мА. Чем ограничивается предельное измере-ние тока эмиттера?

23. В настоящей работе рекомендуется при измерении выходных характеристик ограничиться измерением напря-жения на коллекторе до 25 В. Чем ограничивается предель-ное напряжение на коллекторе?

24. На рис. 7а, 7б приведены две различные схемы для измерения входных характеристик транзистора в схеме c ОБ. Напряжение эмиттер-база, которое измеряется вольт-метром, изображенным на рисунках, можно плавно изме-нять. Схемы различаются способом подключения вольт-метра. Какую из схем следует применить для измерения входных характеристик транзистора в настоящей работе?

25. Из-за чего появляется ошибка при измерении вход-ной характеристики при использовании схемы, изобра-женной на рис. 7а?

26. Из-за чего появляется ошибка при измерении вход-ной характеристики по схеме, изображенной на рис. 7б.

27. На рис. 8а, 8б приведены две различные схемы для измерения выходных характеристик транзистора.

Напряжение источника питания цепи коллектор-база можно плавно изменять. Схемы различаются способом под-ключения вольтметра. Какую из схем следует применить для измерения?

28. Из-за чего появляется ошибка в измерениях при ис-пользовании схемы на рис. 8а?

29. Из-за чего появляется ошибка в измерениях при ис-пользовании схемы на рис. 8б?

30. Какие изменения надо произвести в схеме на рис. 4, чтобы можно было измерить входные и выходные пара-метры n-p-n транзистора в схеме с ОБ?