2.5. Выбор транзистора по максимальной мощности рассеиваемой коллектором

Выбранный транзистор должен удовлетворять условию

(15)

где - напряжение и ток коллектора в рабочей точке, определяемые соотношениями

(16)

(17)

Данные о приводятся в справочнике [5].

В тех случаях, когда эти данные отсутствуют, то можно рассчитать из следующего выражения:

где - максимально допустимая мощность, рассеиваемая коллектором при нормальной температуре (20°С) окружающей среды;

- максимальная температура коллекторного пе­рехода;

- максимальная температура окружающей среды (оговорена в ТЗ);

Причем

Полученное значение должно удовлетворять усло­вию (15).

Для выполнения условия (15), а также в целях экономии рас­четов желательно, чтобы в неравенствах (16) и (17) правые и левые части отличались незначительно.

2.6. Определение коэффициента усиления оконечного каскада

Коэффициент усиления определяем графоаналитическим путем – это обеспечивает большую точность. Коэффициент усиления каскада находится по формуле

Для нахождения значения строятся нагрузочная линия постоянного тока I - I и нагрузочная линия переменного тока 2-2 (см. рис. 4,а). Графические построения, необходимые для нахождения значения , поясняются рис. 4,б.

Уточнение, параметров транзистора. Выбранный режим тран­зистора может значительно отличаться от типового.

Если выбранное значение отличается от реко­мендованных в справочнике более чем на 20%, необходимо уточ­нить параметры транзистора.

Входная проводимость и крутизна транзистора находятся из соотношений:

Значения находятся графическим путем (см. рис. 4).

По выбранному значению из графика, приводимого в справочных данных в [5], определяется значение емкости кол­лекторного перехода (рис.10).

По полученному значению опре­деляется сопротивление базы:

Произведение указыва­ется в справочных данных на транзистор.

Определение, входной, проводимости и входной емкости ОК. В области средних частот вход­ная проводимость и входная ем­кость определяются из выражений:

а) для каскадов без коррекции и с простой

ВЧ-коррекцией:

б) для каскадов с эмиттерной высокочастотной коррекцией:

На верхних частотах для каскадов без коррекции и с простой высокочастотной коррекцией:

(18)

где

при

при

здесь (20)

Для каскада с эмиттерной ВЧ-коррекцией определяются выражениями (18), (19), (20).