4. Порядок выполнения работы

Снять входные характеристики транзистора

Результаты записать в таблицу 4.1

Таблица 4.1

Uэк = 0	Uэб, В
	Iб,mA
Uэк = 5В	Uэб, В
	Iб,mA

7. Снять выходные характеристики транзистора при. Результаты записать в таблицу 4.2

8. По данным таблицы 4.1 и 4.2 построить входные и выходные характеристики транзистора, по которым определить “” – параметры транзистора.

Входные и выходные характеристики транзистора показаны соответственно на рис. 4.1а и 4.1б.

Таблица 4.2

Iб = 0	Uэк, В
	Iк,mA
Iб = 3mA	Uэк, В
	Iк,mA
Iб = 6mA	Uэк, В
	Iк,mA

На выходных характеристиках выделены заштрихованные областиI и III, соответствующие режимам насыщения (I) и отсечки (III), и область усиления (II).

Рассматривая транзистор как четырехполюсник, два зажима которого объединены в одну общую точку, можно получить аналитическую связь между его входными и выходными напряжениями и токами.

Наиболее широко в транзисторной электронике нашла применение система уравнений с использованием “” – параметров. В этой системе для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, получим:

(4.1)

Эти параметры могут быть легко определены по входным и выходным характеристикам транзистора (они приводятся в справочниках по транзисторам).

1. Если , то из (4.1):

, (4.2)

где – входное сопротивление транзистора.

Для определения используем входную характеристику Uэк = 0 (рис. 4.1).

, (4.3)

где – коэффициент усиления по току при коротком замыкании на выходе. определяем по выходным характеристикам транзистора при (рис. 4.1б).

2. Если , то из (4.1):

, (4.4)

Где – коэффициент обратной передачи по напряжению при холостом ходе на выходе. определяем по выходным характеристикам транзистора при (рис.4.1а).

, (4.5)

Где – проводимость выходной цепи при холостом ходе на входе. Определяем по выходной характеристике при .

Для опытного нахождения данных параметров характеристики линеаризируют в окрестностях их средних точек.

9. Проанализировать полученные зависимости и сделать вывод.