
- •1. Электрофизические свойства полупроводников
- •1.1 Собственные и примесные полупроводники
- •Собственный полупроводник
- •Электронный полупроводник
- •Дырочный полупроводник
- •1.2. Энергетические диаграммы полупроводников
- •1.3. Расчет равновесной концентрации свободных носителей заряда
- •1.4. Hеpавновесное состояние полупpоводника
- •Время жизни неосновных носителей заряда
- •2.3. Вах реального p-n-перехода
- •2.4. Влияние температуры на вах p-n-перехода
- •2.5. Емкости p-n-перехода
- •Система электропитания. Классификация и характеристики выпрямителей. Одно- и двухполупериодный выпрямитель с r нагрузкой.
- •Однополупериодная схема выпрямителя.
- •Двухполупериодная схема со средней точкой.
- •Выпрямители с активной нагрузкой Однополупериодная схема выпрямителя
- •Двухполупериодные схемы выпрямителей
- •1.2. Выпрямители с активно-емкостной нагрузкой
- •1.2.1. Расчетные соотношения для выпрямителей с активно- емкостной нагрузкой
- •Реальная нагрузочная характеристика представляется в координатах , .
- •1.2.2. Выпрямители с умножением напряжения
- •1.3. Сглаживающие фильтры выпрямителей
- •6. Биполярные транзисторы
- •Полярные транзисторы
- •Область насыщения
- •7. Усилители напряжения на биполярных транзисторах
- •2.1 Простейший усилитель на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общей базой
- •2.2 Усилитель напряжения на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером
- •8 Частотные характеристики rc-усилителей звуковых частот
- •3.1 Звуковые частоты, характерные области частот
- •3.2 Характеристики усилителей напряжения в области средних звуковых частот
- •3.3 Низкие звуковые частоты
- •3.4 Работа усилителя в области верхних звуковых частот
- •9 Усилитель на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим коллектором (эмиттерный повторитель)
- •Усилители напряжения на полевых транзисторах Усилитель на полевом транзисторе, включенном по схеме с общим истоком
- •10 Причины нелинейных искажений
- •5.4 Входные динамические характеристики транзисторов. Сквозная характеристика каскада
- •5.5 Методы расчета нелинейных искажений
- •Обратные связи в усилителях
- •8.1 Общие понятия и классификация обратных связей
- •8.2 Влияние обратной связи на основные параметры усилителя
- •8.4 Практические схемы усилительных каскадов с обратными связями
- •11 Влияние обратной связи на входное и выходное сопротивления усилителя
- •12 Усилители мощности
- •4.1 Согласование источника сигнала с нагрузкой. Классификация усилителей мощности
- •4.2 Однотактные усилители мощности
- •4.4 Двухтактные усилители мощности
- •4.5 Бестрансформаторные усилители мощности
- •14 Аналоговые микроэлектронные структуры. Операционные усилители на интегральных микросхемах
- •8.1 Классификация аналоговых интегральных микросхем и элементы их схемотехники, взаимные компоненты, входные каскады
- •8.3 Операционные усилители, эквивалентная схема усилителя
- •15 Инвертирующий и неинвертирующий усилители
- •9.2 Сумматоры, интеграторы и дифференциаторы на базе усилителей
- •16. Интеграторы. Дифференциаторы. Логарифматоры и антилагорифматоры.
- •9.3 Схемы установки нуля и частотной коррекции усилителей
- •9.4 Логарифмирующие и антилогарифмирующие схемы
- •13.1 Методы анализа условий возбуждения генераторов
- •13.1 Общие положения теории rc-генераторов
- •12.3 Rc генераторы с нулевой фазосдвигающей цепочкой
Область насыщения
В области насыщения ток стока полевого транзистора определяется уравнением
из которого следует его полная независимость от напряжения на стоке. Практически такая зависимость есть, но в большинстве случаев она слабо выражена. Из уравнения (5.5) можно найти начальный ток стока при условии, что Uзн = 0:
Выражение (5.6) показывает, что значение коэффициента k, введенного в формуле (5.1), можно установить экспериментально, измерив, начальный ток стока iснач и пороговое напряжение Uи (или напряжение отсечки Uотс), так как
Поскольку полевые транзисторы в области насыщения используются в основном как усилительные приборы, то для оценки их усилительных свойств найдем значение крутизны вольт-амперной характеристики:
Из уравнения (5.8) следует, что максимальное значение крутизна имеет при Uзи=0. С увеличением напряжения на затворе крутизна уменьшается и при Uзн-Un становится равной нулю. Используя максимальное значение крутизны Smах = 2kUи уравнение (5.8) можно записать в виде
Схему замещения полевого транзистора для области насыщения можно представить в виде источника тока стока, управляемого напряжением на затворе Uзи. При этом для большого сигнала нужно пользоваться уравнением (5.5), а для малого сигнала, используя (5.8), получим
где крутизну S в выбранной рабочей точке можно считать величиной постоянной и не зависящей от напряжения на затворе. Схема замещения полевого транзистора приведена на рис. 5.7 а. В этой схеме цепь затвора представлена как разомкнутая, поскольку ток затвора очень мал и его можно не учитывать. Пользуясь этой схемой замещения, легко найти усиление простейшего усилительного каскада на полевом транзисторе, изображенного на рис. 5.7 б. Заменив полевой транзистор его эквивалентной схемой, получим схему замещения усилительного каскада, приведенную на рис. 5.7 в, для которой можно найти напряжение на нагрузке:
откуда
Рис. 6.15. Простейшая схема замещения полевого транзистора (а), схема усилителя на полевом транзисторе (б), эквивалентная схема (в) и схема замещения в у - параметрах (г)
Если необходимо сделать расчет более точным, то модель полевого транзистора усложняют введением других параметров, которые учитывают не идеальность транзистора. Уточненная схема замещения полевого транзистора для малых сигналов приведена на рис. 5.7 г. Этой схеме замещения соответствуют уравнения, которые называют уравнениями транзистора в y-параметрах (параметрах проводимости):
Физический смысл параметров, используемых в уравнениях (5.11), можно установить, если воспользоваться режимами короткого замыкания на входе и выходе схемы замещения. При коротком замыкании на выходе (Uс=0) находим два параметра
и
Аналогично при коротком замыкании на входе (U3 = 0) находим два других параметра
и
Из уравнений (5.12) и (5.13) следует, что у11 является проводимостью утечки затвора полевого транзистора, а у22 — его выходной проводимостью, у12 называется проводимостью обратной передачи и учитывает влияние напряжения на стоке на ток затвора, a y2l=S — это крутизна полевого транзистора (или проводимость прямой передачи). Из схемы замещения, приведенной на рис. 5.5 г, можно получить простейшую схему замещения, изображенную на рис. 5.7 а, если положить у11=у12=у22 = 0
Отметим, что в справочниках по полевым транзисторам обычно приводятся не все, а только некоторые из рассмотренных характеристик. Всегда приводится значение крутизны S, вместо входной проводимости иногда приводятся ток утечки затвора и входная емкость, а вместо проводимости обратной передачи в большинстве случаев приводится так называемая проходная емкость Сзс, т. е. емкость с затвора на сток (или на канал). Для мощных полевых транзисторов, работающих в ключевом режиме, обычно приводится значение сопротивления открытого канала, максимальный ток стока и предельное напряжение на стоке.