3. Характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером

Статические характеристики плоскостного транзистора в схеме с ОЭ имеют несколько иной вид , чем характеристики в схеме с ОБ . Выходные

11

характеристики в схеме с ОЭ (см. рис 3.1.) в отличие от характеристик в схеме с ОБ имеет участок с крутым наклоном при малых напряжениях, т.е.

Uкэ < Uбэ.

Iк, mА

Iб = 0,5

Iб = 0,4

Iб = 0,3

Iб = 0,2

Iб = 0,1

Iб = 0,0 Uкэ, В

Рис. 3.1. Выходные характеристики для схемы включения с ОЭ.

Наличие крутого участка объясняется тем, что при малых значениях Uкэ в начальной части семейства выходных характеристик Uкэ < Uбэ, коллекторный переход включен в прямом направлении, и через него течет прямой ток навстречу току инжектированных из эмиттера носителей. Больший наклон пологого участка вызывается тем , что в данной схеме включения коллекторное напряжение Uкэ оказывается частично приложенным к эмиттерному переходу (сопротивление коллектора → коллекторный переход → база).

Особенностью входных характеристик в схеме ОЭ является различный характер зависимости Iб от величины приложенного коллекторного напряжения Uкэ. Входным током в схеме ОЭ является ток рекомбинации в базе Iб. Рассмотрим, как влияет на условия рекомбинации напряжение Uкэ. При Uкэ =0 на коллекторном переходе действует внутреннее поле контактной разности потенциалов. При этом запорный слой коллекторного перехода распространен на некоторую глубину в сторону базы. Рекомбинация происходит в активной области, не занятой запорным слоем. При увеличении Uкэ запорный слой расширяется, активная область базы сужается, и число актов рекомбинации уменьшается, следовательно, уменьшается и ток базы, что показано на входной характеристике (см. рис 3.2.). Этот процесс называется модуляцией (изменением) ширины базы.

12

Характеристики передачи по току в схеме с ОЭ достаточно линейны и лежат узким веером, но только при больших напряжениях на коллекторе (см. рис.3.3.).

Iб, mA Uэк = 0

Uэк > 0

Iк0 Uб

Рис . 3.2. Входные характеристики для схемы включения с ОЭ

Iэк, mA Uэк = 20 в

Uэк = 0 в

Iб, mA

Рис.3.3. Характеристики передачи по току для схемы включения транзистора с ОЭ.

Характеристики обратной связи в схеме с ОЭ (см. рис 3.4.) имеют крутой восходящий участок, на котором существует сильная взаимная связь между напряжением коллектора и базы. Этот участок соответствует напряжениям коллектора Uэк меньшим, чем напряжение базы Uбэ, и наличие сильной взаимной связи объясняется тем, что в этих режимах коллекторный переход оказывается включенным в прямом направлении, благодаря чему ток в базе создается двумя параллельно работающими

13