Определение параметров транзистора по характеристикам.
Для определения параметров необходимо иметь два семейства характеристик. Графический способ определения параметров заключается в построении на каждом из семейств в рабочей области треугольника, вершины которого лежат на пересечении прямых, параллельных осям координат с характеристиками. Полученный треугольник называется характеристическим. Его катеты дают нам нужные для вычисления параметров изменения I и U.
Изменение напряжения dU определяется по тому значению U, при котором сняты используемые характеристики. По входному семейству могут быть определены параметры h11 и h12 (см. рис.4.2.):
∆Uэб ∆Iб
h 11 = — при Uкэ = const.
∆Uэб ∆Uэк
h 12 = — при Iб = const.
15
переходами — коллекторным и эмиттерным. При Uкэ > Uбэ коллекторный переход закрывается, и обратная связь резко ослабевает, оставаясь, однако более сильной, чем в схеме с ОБ, из-за частичного воздействия коллекторного напряжения на эмиттерный переход через сопротивление коллектора, коллекторный переход и базу.
Uэб,
В
0,2 Iб = 0,2 mA
Iб = 0,1 mA
Uэк, В
Рис.3.4. Характеристики обратной связи (ОС)
по напряжению для схемы включения с ОЭ.
Заметим, что из статических характеристик, снятых в схеме с ОЭ, легко получить путем пересчета характеристики для других схем включения. Так, для схемы с общей базой (ОБ) они имеют следующее значение:
Iэ = Iк + Iб; Uэб = – Uэб; Uкб = Uэк – Uэб.
4.Параметры транзисторов.
Для описания свойств транзисторов, наряду с характеристиками, широко применяются параметры — величины, дающие связь между малыми изменениями токов и напряжений в приборе. Ввиду того что транзисторы могут использоваться в различных схемах включения (с ОБ, с ОЭ, с ОК), при введении параметров целесообразно рассматривать транзистор как четырехполюсник, на входе которого действуют напряжение U1 и I1 , а на выходе напряжение U2 и I2 (см. рис . 4.1.).
14
является аналитическим выражением характеристики передачи по току, и так как Iк0 незначительно зависит от α можно считать, что токи коллектора и эмиттера связаны между собой линейно.
Не трудно заметить, что характеристики передачи по току могут быть получены путём построения эпюр из графиков семейства выходных характеристик и наоборот. Аналогично и характеристики обратной связи по напряжению Uэб = f(Uкб) при Iэ = соnst могут быть получены построением из семейства, но уже входных характеристик. Характеристики обратной связи по напряжению изображены на рис.2.4.
Uэб,
mV 200
Iэ=3mA
150
100
50
Iэ=1,5mA
0
4 8 12 16 20 Uкб,
V
Рис.2.4. Характеристики обратной связи (ОС) по напряжению
для схемы включения с ОБ.
Они имеют небольшой наклон, что свидетельствует о слабом влиянии поля коллектора на токопрохождание в цепи эмиттера. Расстояние между характеристиками Uэб = f(Uк6) по вертикали резко уменьшается с ростом тока, что является следствием нелинейности входных характеристик транзистора.