6. Методические указания.

При снятии характеристик использовать для питания входной цепи генератор тока (ГТ), а для питания выходной цепи — генератор напряжения (ГН2) и измерительные приборы, расположенные на стенде.

Входные характеристики транзистора снять для двух постоянных значений напряжения на коллекторе: Uкэ = 0 V и Uэк = 6 V. Напряжение Uбэ изменять от 0 до 1 V.

Выходные характеристики снять для трех постоянных значений тока базы, при этом Imax задавать таким , чтобы Imax не превышал 100 mА. Напряжение на коллекторе изменять в пределах от 0 до 15V, при этом на начальном участке напряжение Uкэ изменять с шагом 0.5…1V.

Характеристики передачи по току снять для двух постоянных значений Uкэ: Uкэ = 6 V и Uкэ = 9 V. Ток базы изменять в диапазоне от

0 до Iб max, при котором Iк max <100 mA.

При снятии характеристик во всех случаях необходимо получить 7-8 значений измеряемой величины.

В отчете приведите в виде графиков полученные зависимости и сделайте выводы о соответствии полученных экспериментальных и расчетных данных справочным.

19

Введём обозначения для этой смешанной системы (h-параметры):

∆U1

h 11= — входное сопротивление транзистора при

∆I1 замкнутой выходной цепи;

∆U1

h 12= — коэффициент обратной связи по

∆U2 напряжению при разомкнутой входной цепи;

∆I2

h 21= — коэффициент усиления по току при

∆I1 короткозамкнутой выходной цепи;

∆I2

h 22= — выходная проводимость при разомкнутой

∆U2 входной цепи.

Использовав обозначения, получим следующие соотношения для малых амплитуд:

U1 = h11I1 + h21U2 и I2 = h21I1 + h22U2

5. Программа выполнения работ.

5.1. Снять семейство входных характеристик транзистора с ОЭ, показывающих зависимость входного тока Iб от входного напряжения Uбэ при различных постоянных значениях выходного напряжения Uкэ: Iб = f (Uбэ) при Uкэ = сonst.

5.2. Снять семейство выходных характеристик транзистора с ОЭ, показывающих зависимость выходного тока Iк от выходного напряжения Uкэ при различных постоянных значениях входного тока Iб: Iк = f(Uкэ) при Iб = сonst.

18

В такой схеме напряжение, действующее между базой и эмиттером, равно разности между входным и выходным напряжением:

Uэб = Uвx - Uвых, поэтому усиление по напряжению здесь отсутствует (оно меньше 1). Усиление по току здесь несколько выше, чем в схеме с общим эмиттером, так как выходным током здесь является ток эмиттера:

Iэ = (Iк+Iб) > Iк.

p n p

Э .. К

Eэ Б

Rн

Ек

Рис.1.4. Схема включения р-п-р-транзистора с ОЭ.