 
        
        - •1.3 Завдання на курсове проектування
- •2 Короткі теоретичні відомості
- •3 Методика розрахунку підсилювача потужності
- •3.1 Розрахунок вихідного каскаду
- •3.2 Розрахунок каскаду попереднього підсилювання
- •3.3 Розрахунок вхідного каскаду
- •3.4 Розрахунок конденсаторів
- •3.5 Розрахунок потужності та вибір резисторів
3.2 Розрахунок каскаду попереднього підсилювання
1) Визначаємо струм колектора спокою для транзисторів VТ2 і VТ3, який складається зі струму бази спокою VТ4 та струму через резистор R4 (рисунок
3.3):
- 
				Iк02  Iб04  U б04  0.0103  0.62  0.0385 А R4 22 
 
 
Рисунок 3.3 — Частина схеми до пояснення розрахунку струму спокою
| 
 | 
 | 
 | 
 | 16 | 
 | |
| 2) Амплітуда змінної складової струму колектора VТ2 дорівнює ампліту- | 
 | |||||
| ді змінної складової базового струму VТ4: | 
 | |||||
| 
 | 
 | 
 | Iкm 2  Iб/m4  0.3А | 
 | ||
| 3) Амплітуда змінної складової напруги на колекторі транзистора VT2: | 
 | |||||
| U кm2  | E | к | U бm4  | 40 |  0.58  20  0.58  19.42B | 
 | 
| 
 | 
 | 
 | ||||
| 2 | 2 | 
 | ||||
| 
 | 
 | 
 | 
 | |||
4) Середній струм, який споживається від джерела живлення каскадом попереднього підсилювання:
I02  1 Iкm 2  I к02 ( 1) 1 0.3  0.0385( 1) 0.121A
5) Потужність, яка споживається каскадом попереднього підсилювання
при номінальній потужності у навантаженні
P02  Eк  I02  40  0.121  4.845Вт
6) Потужність розсіювання на колекторі одного транзистору каскаду по-
переднього підсилювання
- 
		P  0.5  I U 4.845  0.5  0.3 19.42 Pк2  02 кm2 кm2   0.985Вт 2 2 
7) За розрахованими даними обираємо транзистори каскаду попереднього підсилення. Складність обрання полягає в тому, що за схемою мають бути обрані комплементарні транзистори, які представлені досить вузьким діапа-зоном. Найбільш поширені вітчизняні комплементарні пари транзисторів — КТ361-КТ315, КТ814-КТ815, КТ816-КТ817, КТ818-КТ819. Вибір транзисто-
рів, як і в попередньому випадку виконується за струмом колектору, напру-гою колектор – емітер та потужністю розсіювання. За розрахованими даними обираємо комплементарну пару КТ814-КТ815.
Параметри транзистору КТ814A визначаємо з [9]:
- потужність розсіювання з тепловідводом Pк  10Bт 
- постійний струм колектора I к  1.5A 
- постійна напруга колектор-емітер U ке  40B 
17
- за вказаною в довіднику [9] залежністю коефіцієнта передачі струму ба-зи в схемі СЕ від струму колектора транзистора h21e  f (I к ) , знаходимо ве-личину h21e min , приймаючи, що максимальне значення струму колектора до-рівнює амплітуді змінної складової струму колектора. Тоді за графіком, зо-
| браженим | на | рисунку | 2.1, | для | струму | I к |  I кm2  0.3A | знаходимо | 
| h21e minVT 2  50 . | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | |
 
 
Рисунок 3.4 — Залежність статичного коефіцієнта передачі струму
від струму колектора
- 
	8) Струм бази спокою VT2 I 0.0385  0.77 103 A Iб02  к02  50 VT 2 9) Амплітуда змінної складової струму бази VT2 Iбm2  I кm 2  0.3  6 103 A VT 2 50 
10) За вхідною характеристикою транзистора з [9] визначаємо відповідні величини напруг на базі транзистору VТ2 у режимі спокою та при наявності змінної складової. Вхідна характеристика та відповідні побудови наведені на рисунку 3.5.
Відмічаємо на характеристиці струм бази спокою Iб02 і додаємо до нього амплітуду змінної складової Iбm2 . По точках перетину знаходимо напругу ба-зи спокою Uб02  0.76В та амплітуду змінної складової напруги на базі
Uбm2  0.875  0.76  0.115В .
18
 
 
Рисунок 3.5 — Вхідна характеристика КТ814
та величини базових струмів і напруг
