Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Пристрої аналогової електроніки.doc
Скачиваний:
9
Добавлен:
13.08.2019
Размер:
2.27 Mб
Скачать

3.2 Розрахунок каскаду попереднього підсилювання

1) Визначаємо струм колектора спокою для транзисторів VТ2 і VТ3, який складається зі струму бази спокою VТ4 та струму через резистор R4 (рисунок

3.3):

Iк02 Iб04

U

б04

 0.0103 

0.62

 0.0385 А

R4

22

Рисунок 3.3 — Частина схеми до пояснення розрахунку струму спокою

16

2) Амплітуда змінної складової струму колектора VТ2 дорівнює ампліту-

ді змінної складової базового струму VТ4:

Iкm 2 Iб/m4 0.3А

3) Амплітуда змінної складової напруги на колекторі транзистора VT2:

U кm2

E

к

U бm4

40

 0.58  20  0.58  19.42B

2

2

4) Середній струм, який споживається від джерела живлення каскадом попереднього підсилювання:

I02 1 Iкm 2 I к02 ( 1) 1 0.3 0.0385( 1) 0.121A

5) Потужність, яка споживається каскадом попереднього підсилювання

при номінальній потужності у навантаженні

P02 Eк I02 40 0.121 4.845Вт

6) Потужність розсіювання на колекторі одного транзистору каскаду по-

переднього підсилювання

P

 0.5  I

U

4.845  0.5  0.3 19.42

Pк2 02

кm2

кm2

 0.985Вт

2

2

7) За розрахованими даними обираємо транзистори каскаду попереднього підсилення. Складність обрання полягає в тому, що за схемою мають бути обрані комплементарні транзистори, які представлені досить вузьким діапа-зоном. Найбільш поширені вітчизняні комплементарні пари транзисторів КТ361-КТ315, КТ814-КТ815, КТ816-КТ817, КТ818-КТ819. Вибір транзисто-

рів, як і в попередньому випадку виконується за струмом колектору, напру-гою колектор емітер та потужністю розсіювання. За розрахованими даними обираємо комплементарну пару КТ814-КТ815.

Параметри транзистору КТ814A визначаємо з [9]:

  • потужність розсіювання з тепловідводом Pк 10Bт

  • постійний струм колектора I к 1.5A

  • постійна напруга колектор-емітер U ке 40B

17

- за вказаною в довіднику [9] залежністю коефіцієнта передачі струму ба-зи в схемі СЕ від струму колектора транзистора h21e f (I к ) , знаходимо ве-личину h21e min , приймаючи, що максимальне значення струму колектора до-рівнює амплітуді змінної складової струму колектора. Тоді за графіком, зо-

браженим

на

рисунку

2.1,

для

струму

I к

I кm2 0.3A

знаходимо

h21e minVT 2 50 .

Рисунок 3.4 — Залежність статичного коефіцієнта передачі струму

від струму колектора

8) Струм бази спокою VT2

I

0.0385

 0.77 103 A

Iб02 к02

50

VT 2

9) Амплітуда змінної складової струму бази VT2

Iбm2

I

кm 2

0.3

 6 103 A

VT 2

50

10) За вхідною характеристикою транзистора з [9] визначаємо відповідні величини напруг на базі транзистору VТ2 у режимі спокою та при наявності змінної складової. Вхідна характеристика та відповідні побудови наведені на рисунку 3.5.

Відмічаємо на характеристиці струм бази спокою Iб02 і додаємо до нього амплітуду змінної складової Iбm2 . По точках перетину знаходимо напругу ба-зи спокою Uб02 0.76В та амплітуду змінної складової напруги на базі

Uбm2 0.875 0.76 0.115В .

18

Рисунок 3.5 — Вхідна характеристика КТ814

та величини базових струмів і напруг