Отчёты / Эквивалент двухбазового диода / Филиппов
.docФилиппов Владимир,
III курс, 11 группа.
Исследование ЭДД.
Цель работы: определить зависимость входного тока и выходного напряжения от входного напряжения для ЭДД; изучить работу мультивибратора на ЭДД.
Двухбазовый диод конструктивно представляет собой пластину или нить из полупроводника, в котором на определенном расстоянии от одного из выводов сформирован точечный эмиттер из полупроводника другого типа. Такое устройство представляет собой полупроводниковый прибор с отрицательным сопротивлением.
Транзисторный эквивалент двухбазового диода состоит из двух транзисторов разного типа проводимости и делителя напряжения на сопротивлениях.
Ход работы.
1. Исследование характеристик ЭДД.
а) Зависимость Iвх от Uвх.
№ |
Uвх±0.1, В |
Iвх±4, мкА |
№ |
Uвх±0.1, В |
Iвх±4, мкА |
1 |
1.0 |
0 |
11 |
4.4 |
390 |
2 |
2.0 |
20 |
12 |
4.2 |
450 |
3 |
3.0 |
30 |
13 |
4.0 |
500 |
4 |
4.0 |
40 |
14 |
3.8 |
560 |
5 |
4.9 |
50 |
15 |
3.6 |
620 |
6 |
4.9 |
50 |
16 |
3.3 |
700 |
7 |
5.0 |
110 |
17 |
3.0 |
770 |
8 |
4.9 |
190 |
18 |
2.5 |
920 |
9 |
4.8 |
240 |
19 |
2.0 |
1060 |
10 |
4.6 |
330 |
20 |
1.5 |
1200 |
— |
— |
— |
21 |
2.4 |
1500 |
б) Зависимость Uвых от Uвх.
№ |
Uвх ±0.1, В |
Uвых±0.1, В |
№ |
Uвх±0.1, В |
Uвых±0.1, В |
1 |
5.0 |
4.6 |
9 |
3.1 |
3.6 |
2 |
4.9 |
4.4 |
10 |
2.8 |
3.3 |
3 |
4.8 |
4.3 |
11 |
2.6 |
3.0 |
4 |
4.6 |
4.1 |
12 |
2.1 |
2.5 |
5 |
4.4 |
3.9 |
13 |
1.6 |
2.0 |
6 |
4.2 |
3.7 |
14 |
1.2 |
1.5 |
7 |
4.0 |
3.5 |
15 |
0.8 |
1.1 |
8 |
3.8 |
3.4 |
— |
— |
— |
2. Перевели схему в режим генерации, подключив на вход цепочку RC. Наблюдаем импульсы и определяем их основные параметры:
Длительность плоской вершины импульса: (5.8±0.3) мкс;
Длительность заднего фронта импульса: (0.7±0.08) мкс;
Длительность переднего фронта импульса: (2.4±0.3) мкс;
Период следования импульсов: (0.860±0.008) мс.