курсовой по электронике

vk.com/club152685050 | vk.com/id446425943

Рис.39.

В этом окне нужно убедиться, что в столбце coupling задано нужное значение (т.е. от 1 до какого-то малого), кроме того, указать системе моделирования между какими катушками индуктивности задана эта связь. Для этого в столбце L1 вписываем имя нашей первой индуктивности (в данном случае это будет также L1), а в столбце L2, соответственно, L2 (в спроектированной нами схеме катушки индуктивности имеют имена L1 и L2). Жмём на кнопку «Apply», окно закрывается. Вот только после этого можно приступить к моделированию режима работы схемы.

Результаты работы схемы могут быть выведены в виде графиков напряжений в различных точках схемы. Естественно, надо обозначить эти точки. Для этого на инструментальной панели

имеется кнопка , изображение которой надо с помощью мыши прикрепить к той точке нашей схемы, где необходимо видеть напряжение. На рис.37 показано, что измерение напряжения будет производится на коллекторе транзистора.

Далее необходимо в меню рабочего окна нажать на кнопку PSpice и выбрать строчку New Simulation Profile. В открывшемся окне New Simulatoin (см рис.40.) надо напечатать название файла, где будут воспроизводится результаты моделирования .

Рис.40.

Нажимаем на кнопку Create и на экране компьютера появляется окно Simulation Settings. В

этом окне в поле Options надо отметить General settings, в поле Analysis Type выбрать Time Domain (Transfer) и, наконец, строке Run to Time обозначить ту длительность, в течение которой мы хотим наблюдать за работой схемы. Окно Simulation Settings можно видеть на рис.41.

51

vk.com/club152685050 | vk.com/id446425943

Остальные поля в этом окне можно не заполнять, - система выберет их сама по умолчанию.

Жмём на кнопку «Применить», а затем на ОК.С помощью кнопки , расположенной на инструментальной панели рабочего окна запускаем процесс моделирования, при этом на экране компьютера появляется окно с результатами моделирования (см. рис.42).

Рис.41.

52

vk.com/club152685050 | vk.com/id446425943

Рис.42.

Центральную часть окна занимает график зависимости напряжения на коллекторе транзистора генератора от времени, которое отсчитывается от 0 и до момента, которое проставлено в поле Run to time окна Simulation settings. В нашем случае оно было выбрано равным 100 микросекундам. В этом же окне представлена и другая полезная информация. Так внизу слева система сообщает о проверке представленной ей для моделирования схемы. Если в схеме не обнаружены ошибки, то начинается расчёт точек по времени, о чём компьютер и спешит сообщить и т.д. В правой части окна рис.42 можно следить за собственно процессом счёта и, если нужно, то и вмешиваться в его выполнение (что, вообще говоря, делать надо крепко сначала подумав).

На панели инструментов этого же окна присутствует кнопка. Если нажать её, то результаты нашего моделирования будут представлены в виде зависимости выходного напряжения от частоты. С помощью этой кнопки система моделирования производит пребразование Фурье ( о чём и говорят буквы на ней: Fast Fourier Transform). Окно при этом приобретает вид, показанный на рис.43, где легко определяется частота, на которой производится генерация и можно судить о степени «синусоидальности» полученных колебаний.

53

vk.com/club152685050 | vk.com/id446425943

Рис.43.

На этом заканчивается краткое и далеко не исчерпывающее описание системы OrCad математического моделирования электронных схем.

Список литературы.

1.Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под ред. Н.Н.Горюнова.—4-е издание—М.:Энергия,1978.

2.Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах.—Л.:Энергия. Ленинградское отделение,1980.

3.Информационно-измерительная техника и электроника: лабораторный практикум. Адамьян Ю.Э. и др. СПб.: Издательство СПбГПУ,2001.

4.Адамьян Ю.Э. Конспект лекций по электронике.

5.Забродин Ю.С. Промышленная электроника: Учебник для ВУЗов. –М.: Высшая школа—

1982.

6.Исаков Ю.А., Руденко В.С. и др. Изд. объединение «Высшая школа»1975.

7.Новицкий А.П., Кожевников А.Н.Основы применения интегральных логических элементов. Пособие по спец. Лаборатории, курсовому и дипломному проектированию ЛПИ им. М.И.Калинина,1975.

54

vk.com/club152685050 | vk.com/id446425943

Приложение 1. Параметры сердечников, проводов и диодов.

Ферромагнитные сердечники для высокочастотных трансформаторов и индуктивностей.

Рис.

Для изготовления сердечников высокочастотных трансформаторов и индуктивностей чаще всего применяют два вида магнитных материалов — полупроводниковые ферриты и магнитодиэлектрики альсиферы. Для наших задач более всего подходят сердечники кольцевой

Относительная магнитная проницаемость :

для ферритов — от 400 до 4000 (как правило, с шагом 400), для альсиферов — 60.

Параметры некоторых ферритов.

Параметры альсиферов.

55

vk.com/club152685050 | vk.com/id446425943

Основа альсифера — сплав алюминий, кремний, железо.

Расчёт индуктивности катушки ведётся по формуле:

L Sl w2 ,

S — поперечное сечение магнитопровода, м2;

l — длина средней магнитной силовой линии (длина магнитопровода), м; w — Количество витков катушки;

— относительная магнитная проницаемость.

Параметры проводов

Удельное сопротивление медного провода 0,0175 Ом мм2/м

Uобр — амплитуда обратного напряжения;

Uпр — прямое падение напряжения;

I — среднее значение прямого тока; f — максимальная частота.

56

vk.com/club152685050 | vk.com/id446425943

Приложение 2. Параметры транзисторов.

Транзисторы для релаксационных генераторов (мультивибраторов, блокинг-генераторов, пилообразных генераторов)

UЭК , UЭБ — предельно допустимое напряжение эмиттер-коллектор и эмиттер-база; IК max — предельно допустимый импульсный ток коллектора при скважности 10;

— коэффициент усиления по току, минимальный;

PК — допустимая мощность, рассеиваемая коллектором; fmax — предельная частота усиления транзистором.

57

vk.com/club152685050 | vk.com/id446425943

Параметры транзисторов для __

U КБ0 (и) — U КЭ0 (и) — IК max (и) — PК max (т) —

h21Э —

IКБ0 — fгр —

Kш —

58

vk.com/club152685050 | vk.com/id446425943

Приложение 3. Параметр некоторых операционных усилителей.

U — напряжение питания; I — ток питания;

KU — коэффициент усиления; f — полоса пропускания;

Uвых — наибольший сигнал без искажений;

Rвх — входное дифференциальное сопротивление;

U диф — наибольшее допустимое разностное входное напряжение;

Uсф — наибольшее допустимое синфазное напряжение;

Rн — наименьшее допустимое сопротивление нагрузки на выходе ОУ.

Примечание 1. ОУ для лабораторной работы.

Примечание 2. ОУ с защитой от перенапряжений на входе и от К.З. на выходе. Примечание 3. «Высоковольтный» ОУ.

59