Структура и принцип действия БТИЗ

Классический БТИЗ представляет собой дополненный ещё одним p--n переходом мощный ПТИЗ (Power MOSFET) с вертикальной структурой.

Дополнительный p--n переход инжектирует дырки в нижний слой n--типа. Таким образом, значительно снижается сопротивление этого слоя: напряжение коллектор--эмиттер становится много меньше по сравнению с тем, что имеет место в мощном ПТИЗ. В этом и заключается главное преимущество БТИЗ над мощным ПТИЗ.

На представленном ниже рисунке изображён БТИЗ без смыкания (Non Punch Through IGBT). Затвор этого транзистора изготовлен по планарной технологии. БТИЗ со смыканием имеет дополнительный n⁺ слой между n^- обеднённым слоем и p⁺ подложкой.

Рисунок распространяется согласно GNU Free Documentation License (см.: http://en.wikipedia.org/wiki/File:IGBT_cross_section.svg).

Cлой p⁺ в БТИЗ инжектирует неосновные носители заряда в эпитаксиальный обеднённый слой n^-, что улучшает проводимость области дрейфа n^-. Такое усиление проводимости (conductivity modulation) слоем p⁺ способствует тому, что падение напряжения на транзисторе в открытом состоянии относительно постоянно во всей области рабочих напряжений. Подробнее см. [Мэк2008, с. 200-203].

6. Сравнение особенностей разных типов транзисторов

Полевой транзистор с изолированным затвором (ПТИЗ), по сравнению с БТ и БТИЗ, обладает наилучшими динамическими свойствами. Также он теплостоек и им просто управлять. При этом, как было отмечено выше, БТИЗ имеет меньшее, чем у ПТИЗ напряжение в открытом состоянии, что приводит к пропорциональному снижению мощности, рассеиваемой транзистором.

Снижение рассеиваемой мощности в БТИЗ происходит за счёт добавления в структуру кристалла дополнительного p--n перехода. Однако, при этом, из-за инжекции дырок в базу p--n--p транзистора в составе БТИЗ, в ней происходит накопление объёмного заряда, на рассасывание которого уходит значительное время. Вот почему скорость переключения БТИЗ ниже, чем у ПТИЗ. Одна из технологий, применяемых для ускорения рассасывания объёмного заряда неосновных носителей и, как следствие, для ускорения переключения, заключается в добавлении к структуре БТИЗ дополнительный n⁺ слоя (такой кристалл называется БТИЗ со смыканием). Подробнее о БТИЗ со смыканием можно узнать из [Oh2001, p. 3], [ЩукинаНекрасов2004].

БТ, в свою очередь, имеет в открытом состоянии напряжение ещё меньшее, чем у ПТИЗ и БТИЗ, однако, скорость переключения у него мала.

Более подробное сравнение характеристик БТ, ПТИЗ и БТИЗ можно найти в [Oh2001, p. 4-5], [Кай2000], [ЩукинаНекрасов2004], [Toshiba-IGBT].

7. Области применения бтиз

БТИЗ предназначен, в основном, для управления электрическими приводами. Он активно используются в качестве транзисторных ключей внутри тяговых преобразователей (силовых модулей для увеличения производительности привода) электровозов (см. [Рогачёв2000]), трамваев и троллейбусов.

Выпускаются как отдельные БТИЗ, так и силовые сборки (модули) на их основе.

Кроме области высоковольтных силовых преобразователей, БТИЗ используются в бытовой технике для управления относительно маломощными приводами с широким диапазоном регулирования скорости вращения. В частности, БТИЗ применяются в стиральных машинах, инверторных кондиционерах (см. [Функции-и-характеристики-кондиционеров]), беговых дорожках, швейных и посудомоечных машинах, насосах, воздушных фильтрах, системах электронного зажигания автомобилей (см. [Колпаков1999]) в качестве высоковольтных ключей, в импульсных блоках питания телекоммуникационных и серверных систем. Конкретные модели интеллектуальных силовых модулей, используемых в перечисленной технике, указаны, например, здесь: [ИнтеллектуальныеСиловыеIGBT-Модули], [Toshiba-IGBT].

8. Рекомендуемая литература

Книга (бумажная либо электронная) остаётся единственным средством преодоления расстояния между неграмотным обывателем и востребованным специалистом. Исходя из своего опыта изучения БТИЗ, рекомендуем следующую литературу:

• Базовые знания о полупроводниках в доступной форме можно получить из [КононенкоМишковичМухановПланидинЧеголин2007, с. 683-691], [КапцовКурочкин1982], [ЛевинштейнСимин2004].

• Книга Лачина и Савёлова, [ЛачинСавёлов2007, с. 181-189] --- единственный, известный нам, вузовский учебник, где есть информация о БТИЗ. Однако, сведения в издании от 2007 года относятся к первый трём поколениям БТИЗ. Ранее упоминалось, что к 2010 году имеется уже шесть поколений кристаллов БТИЗ.

• Рекомендуем две книги на английском языке: [Baliga2008], [Khanna2003]; в них есть подробное описание особенностей БТИЗ и, в частности, в [Baliga2008] есть значительное количество достаточно свежей информации о БТИЗ.

• Некоторые данные о БТИЗ есть в [Мэк2008]. [Семёнов2001] содержит сравнительно подробное описание особенностей строения и работы БТИЗ, но, опять же, для кристаллов не свежее третьего поколения.

Значительное количество статей, связанных с вопросами, имеющими отношение к БТИЗ, опубликовано в журналах "Силовая электроника" (http://www.power-e.ru/), Компоненты и технологии (http://www.kit-e.ru/), а также, Power Electronics Europe Magazine (http://www.power-mag.com/).

Осмелимся порекомендовать некоторые англоязычные сочинения, освещающие вопросы, обычно не упоминающиеся в отечественных публикациях:

• Обзор первых пяти поколений IGBT чипов. В частности, описание технологий, используемых в каждом из поколений: [MottoDonlon2004].

• Описание NX корпусов для IGBT модулей: [DonlonMottoMatsumotoTabata2007].

• Описание NF корпусов для IGBT модулей и их сравнение с корпусами серии H: [YamadaSimizuKawaguchiNakamuraKikuchiThal].

• Сравнение БТИЗ со смыканием и без: [MiyashitaTakuboYoshiwatari1998].

В заключение, отметим книгу [TeacherReference2009], в которой есть хороший толковый словарь англоязычных терминов, а также, много полезной информации для самостоятельного изучения, и, возможно, применения на занятиях с учащимися школ и вузов.

9. Обращение к читателю

Уважаемый читатель! Лицензия GNU для документации (GNU Free Documentation License) даёт Вам очень широкие права на использование материала нашего исследования. Предлагаем Вам попробовать свои силы в исследовании биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ).

Вашему вниманию представлено дерево исследования, которое может быть использовано для поиска и последующей более детальной, чем это сделали мы, разработки вопросов, связанных с БТИЗ.

Мы также предлагаем всем желающим опубликовать свои разработки по вопросам, связанным с БТИЗ, в качестве дополнений к нашему исследованию. Публикация будет проводится согласно GNU Free Documentation License (в частности, будут указаны авторы всех разработок, включённых в исследование).

Заинтересовавшиеся читатели могут присылать свои разработки, вопросы и предложения по электронной почте на адрес: bvbn at lipetsk period ru.

10. Словарь терминов, аббревиатур и сокращений

1. Активное падение напряжения --- Ohmic voltage drop; IR drop.

2. Барьерная ёмкость --- ёмкость запорного слоя (см.: [ПарфёновЗакировБолтакова2004, с. 10]). Барьерная ёмкость зависит от степени легирования граничных областей, площади p--n перехода, а также приложенного к переходу напряжения (см.: [ТитцеШенк2008, с. 89-91]).

3. БТ --- Биполярный транзистор

4. БТИЗ --- Биполярный транзистор с изолированным затвором

5. Дифференциальное (динамическое) сопротивление --- параметр, характеризующий работу нелинейного элемента (НЭ) электрической цепи. В каждой рабочей точке вольт-амперной характеристики (ВАХ) дифференциальное сопротивление может быть определено по следующей формуле:

   Rдиф =	du
   	di

6. Вообще говоря, дифференциальное сопротивление --- характеристика НЭ в окрестности рабочей точки. Ниже на рисунке представлена ВАХ некоторого НЭ:

7. 

8. Угол alpha располагается между координатной осью, на которой откладываются значения тока и прямой, проведённой из начала координат в рабочую точку. Тангенс угла alpha --- значение статического сопротивления в данной рабочей точке.

9. Угол betta располагается между двумя прямыми. Первая --- проходит через рабочую точку перпендикулярно оси напряжения. Вторая --- это касательная к кривой графика ВАХ, проходящая через рабочую точку. Тангенс угла betta --- значение дифференциального сопротивления в окрестности рабочей точки.

10. Подробнее о дифференциальном сопротивлении см.: [БычковЗолотницкийЧернышев2004, с. 341-344].

11. Диффузионный ток в p--n переходе --- ток основных носителей заряда (дырок из p-области в n-область и электронов из n-области в p-область). Подробнее см.: [ПарфёновЗакировБолтакова2004, с. 12].

12. Дрейфовый ток в p--n переходе --- ток неосновных носителей заряда.

13. Запорный (обеднённый, истощённый) слой; область объёмного заряда (см.: [КононенкоМишковичМухановПланидинЧеголин2007, с. 689]), --- обладающий большим электрическим сопротивлением, бóльшим, чем в основной части полупроводника, двойной зарядовый слой, находящийся около границы раздела p-области и n-области в p--n переходе. Подробнее см.: [ПарфёновЗакировБолтакова2004, с. 7-8]. Обеднённым или истощённым слой называется по той причине, что в нём почти нет свободных носителей заряда. По этой же причине данный слой обладает большим сопротивлением.

14. Ион --- атом примеси, который приобрёл положительный (ионизация донора) или отрицательный (ионизация акцептора) заряд. Подробнее см.: [Гуревич2004, с. 185-190].

15. Контактное поле --- поле, образующееся на границе p--n перехода в результате диффузии основных носителей заряда в соседнюю область примесного полупроводника. Дырки диффундируют в n-область, а свободные электроны в p-область. В [КононенкоМишковичМухановПланидинЧеголин2007, с. 688-689] предлагается термин "диффузионное поле".

16. Легирование --- введение в полупроводник примесей с целью изменения его электрических свойств, в частности, типа проводимости. Степень легирования полупроводника может быть указана следующим образом:

    • n⁺ --- высокая концентрация донорных примесей;

    • n --- средняя концетрация донорных примесей;

    • n^- --- низкая концентрация донорных примесей.

    • p⁺ --- высокая концентрация акцепторных примесей;

    • p --- средняя концетрация акцепторных примесей;

    • p^- --- низкая концентрация акцепторных примесей.

Подробнее см.: [Степаненко2003, с. 30-35], [ПасынковСорокин2003, с. 90-100], [Зи1984-1, с. 25-27].

17. Невыпрямляющий (омический) контакт металл-полупроводник --- контакт, сопротивление которого почти не зависит от полярности и величины внешнего напряжения. Используется для подключения внешних выводов полупроводниковых приборов. Подробнее см.: [ЛачинСавёлов2007, с. 28-29].

18. Обратное смещение --- приложение отрицательного потенциала к p-области, что вызывает увеличение потенциального барьера между p и n областями p--n перехода.

19. Преобразователь электрической энергии --- устройство, связывающее электрические системы, параметры которых отличаются друг от друга. Подробнее см.: [БачуринВаксенбургДьяконовМаксимчукРемневСмердов1994, с. 86-92].

20. Профиль легирования --- распределение легирующей примеси в полупроводнике (см.: [КаретниковаНефёдовШашкин2001]).

21. Прямое смещение --- приложение положительного потенциала к p-области. В результате контактное поле на границе p--n перехода ослабевает и ток основных носителей заряда через переход увеличивается.

22. ПТИЗ --- Полевой транзистор с изолированным затвором

23. Система информативной электроники выполняет функции по управлению электронными приборами, обеспечивая их защиту от выхода из строя и диагностику. Подробнее см.: [ЛачинСавёлов2007, с. 161]. Силовые приборы и модули, которые оснащены такой системой называют интеллектуальными или "разумными".

24. Ток насыщения (тепловой ток) --- ток, создаваемый свободными носителями заряда под действием тепла. Обладая запасом энергии, такие носители, могут случайно попасть в p--n-переход и перейти в соседнюю область, что и создает тепловой ток. Тепловой ток не зависит от внешнего напряжения, так как площадь сечения p--n-перехода при изменении внешнего напряжения не меняется.

25. Удельное сопротивление --- характеристика проводящих свойств среды.

    ρ =	S⋅R
    	l

26. где ρ --- удельное сопротивление, R --- электрическое сопротивление проводника длиной l с постоянным поперечным сечением S (сечение перпендикулярно линиям тока). Подробнее см.: [КурсФизики1-2006, с. 269-272].

27. Уровень легирования --- концентрация примеси в полупроводнике (см.: [ПарфёновЗакировБолтакова2004, с. 10]).

28. Эпитаксия --- метод послойного выращивания одного кристаллического твёрдого тела на поверхности другого (называемого подложкой), при котором растущий кристалл наследует кристаллографическую структуру подложки. Подробнее см.: [ПасынковСорокин2003, с. 141-144; 151-156], [Романова2005, с. 7-10], [Тырышкин2004, с. 28-29], [Гусевы1991, с. 77]

29. BJT --- Bipolar Junction Transistor, биполярный транзистор

30. Couche (франц.) --- слой

31. Champ (франц.) --- поле

32. CSTBT --- Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor (см.: [DonlonSatoh2009], [Фукалов2009]).

33. FZ --- Floating Zone (см.: [Сидоров2004]).

34. Gate charge --- заряд затвора. Возникает при прохождении тока через затвор. Подробнее см.: [McArthur2001].

35. Grille (франц.) --- затвор полевого транзистора

36. JFET --- Junction Field Effect Transistor, транзистор с управляющим p-n переходом. Подробнее см.: [Брякин2004, с. 109-113], [LeTransistorJFET2004], [БачуринВаксенбургДьяконовМаксимчукРемневСмердов1994, с. 5].

37. IEGT --- Injection Enhanced Gate Bipolar Transistor (см.: [DonlonSatoh2009]).

38. IGBT --- Insulated Gate Bipolar Transistor, биполярный транзистор с изолированным затвором.

39. IPM --- Intelligent Power Modules, интеллектуальные ("разумные") силовые модули (см.: [UsingIPM]).

40. LPT --- Light Punch Through technology (см.: [KangLuWangSantiHudginsPalmerDonlon2003]).

41. MOS --- Metal-Oxide-Semiconductor

42. MOSFET --- Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, полевой транзистор с изолированным затвором.

43. NPT IGBT --- Non Punch Through IGBT, БТИЗ без смыкания

44. PIM --- Power Integrated Module (см.: [MiyashitaTakuboYoshiwatari1998]).

45. PCM --- Plugged Cell Merged technique (см.: [MottoDonlon2004]).

46. Power MOSFET --- мощный полевой транзистор с изолированным затвором; имеет структуру несколько отличную от обычного MOSFET. БТИЗ (IGBT) --- результат доработки мощного ПТИЗ с вертикальной структурой. (см.: [PowerMOSFET-wiki], [БачуринВаксенбургДьяконовМаксимчукРемневСмердов1994]).

47. SPT IGBT --- Soft Punch Through IGBT (см.: [RahimoKoptaEicher2005], [Колпаков2005]).

48. Smart Power Integrated Circuit --- интеллектуальная силовая интегральная схема.

49. SOA --- Safe Operating Area; область безопасной работы (см. [Колпаков2007]); допустимый рабочий диапазон (см. [ТитцеШенк2008, с. 67]).

50. Trench FS --- Trench Field Stop (см.: [Колпаков2005], [KangCaiafaSantiHudginsPalmer]).

Список литературы

1. [БабичЖуков2004] Бабич Н. П., Жуков И. А. Компьютерная схемотехника. Методы построения и проектирования: Учебное пособие. К.: "МК-Пресс", 2004. 576 с.

2. [БачуринВаксенбургДьяконовМаксимчукРемневСмердов1994] Бачурин В. В., Ваксенбург В. Я., Дьяконов В. П., Максимчук А. А., Ремнев А. М., Смердов В. Ю. Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах: Справочник; Под ред. Дьяконова В. П. М.: Радио и связь, 1994. 280 c.

3. [БойковГуржийЖуйковЗориСпивак2004] Бойков В. И., Гуржий А. Н., Жуйков В. Я., Зори А. А., Спивак В. М. Схемотехника электронных систем. Аналоговые и импульсные устройства. СПб.: БХВ-Петербург, 2004. 496 с.

4. [БормотовМартыненкоМускатиньев2005] Бормотов А., Мартыненко В., Мускатиньев В. Некоторые вопросы эксплуатации IGBT силовых модулей. // Компоненты и технологии № 5, 2005. URL: http://www.kit-e.ru/articles/powerel/2005_05_82.php (дата обращения: 22.08.2010).

5. [БочаровГогоберидзеПершинПетровШтагер] Бочаров Е. И., Гогоберидзе Г. Б., Першин Ю. М., Петров К. С., Штагер А. Н. Конспект курса "Электронные твердотельные приборы". Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича. URL: http://dvo.sut.ru/libr/eqp/i001eqp1/index.htm (дата обращения: 21.08.2010).

6. [Брякин2004] Брякин Л. А. Электротехника и электроника: Конспект лекций / Под редакцией Н. П. Вашкевича. Пенза: ПГУ, 2004. 163 с. URL: http://window.edu.ru/window/library?p_rid=36855 (дата обращения: 28.08.2010).

7. [БычковЗолотницкийЧернышев2004] Бычков Ю. А., Золотницкий В. М., Чернышев Э. П. Основы теории электрических цепей: Учебник для вузов. 3-е изд., стер. СПб.: Издательство "Лань", 2004. 464 с.

8. [Голубев2008] Голубев И. Совместное использование цифрового драйвера MOSFET или IGBT-транзистора и изолятора цифрового сигнала. // Компоненты и технологии № 8, 2008. URL: http://www.kit-e.ru/assets/files/pdf/2008_08_124.pdf (дата обращения: 21.08.2010).

9. [Гоноровский2006] Гоноровский И. С. Радиотехнические цепи и сигналы: учеб. пособие для вузов. 5-е изд., испр. и доп. М.: Дрофа, 2006. 719 с.

10. [ГОСТ15133-77] ГОСТ 15133-77: Приборы полупроводниковые. Термины и определения. URL: http://gostexpert.ru/gost/gost-15133-77 (дата обращения: 28.03.2010).

11. [ГОСТ19095-73] ГОСТ 19095-73: Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. URL: http://gostexpert.ru/gost/gost-19095-73 (дата обращения: 30.08.2010).

12. [ГОСТ20003-74] ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. URL: http://gostexpert.ru/gost/gost-20003-74 (дата обращения: 30.08.2010).

13. [ГОСТ-Р-52002-2003] ГОСТ Р 52002-2003: Электротехника. Термины и определения основных понятий. URL: http://www.elec.ru/library/gosts_e00/gost_r_52002-2003/ (дата обращения: 30.08.2010).

14. [ГригорьевЗамятинКодратьевПожидаев1990-Тиристоры] Григорьев О. П., Замятин В. Я., Кондратьев Б. В., Пожидаев С. Л. Тиристоры: Справочник. М.: Радио и связь, 1990. 272 с. (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1155).

15. [ГригорьевЗамятинКодратьевПожидаев1990-Диоды] Григорьев О. П., Замятин В. Я., Кондратьев Б. В., Пожидаев С. Л. Диоды: Справочник. М.: Радио и связь, 1990. 336 с. (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1158).

16. [Гуревич2004] Гуревич А. Г. Физика твёрдого тела: Учеб. пособие для вузов / ФТИ им. А. Ф. Иоффе. СПб.: Невский Диалект; БХВ-Петербург, 2004. 320 с.

17. [Гусевы1991] Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника: Учебное пособие для приборостроит. спец. вузов. 2-е изд. перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1991. 622 с.

18. [Дзюбин1976] Дзюбин И. И. Запираемые тиристоры и их применение. М.: "Энергия", 1976. 40 с. (Массовая радиобиблиотека; Вып. 916).

19. [Зи1984-1] Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. М.: Мир, 1984. 456 с.

20. [Зи1984-2] Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 2. Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. М.: Мир, 1984. 456 с.

21. [ИнтеллектуальныеСиловыеIGBT-Модули] Интеллектуальные силовые IGBT-модули SPM(TM) компании "Fairchild Semiconductor". URL: http://www.promelec.ru/catalog_info/48/339/573/515/ (дата обращения: 16.01.2010).

22. [Кай2000] Кай А. IGBT или MOSFET? Практика выбора. // Электронные компоненты № 2, 2000. URL: http://www.elcp.ru/index.php?state=izd&i_izd=elcomp&i_num=2000_02&i_art=21 (дата обращения: 15.08.2010).

23. [КапцовКурочкин1982] Капцов Л. Н., Курочкин В. А. Электроны --- Полупроводники --- Транзисторы: Кн. для внеклассного чтения учащихся. 8--10 кл. М.: Просвещение, 1982. 96 с. URL: http://publ.lib.ru/ARCHIVES/M/%27%27Mir_znaniy%27%27/Kapcov_L.N._Elektrony_-_poluprovodniki_-_tranzistory.(1982).%5bdjv%5d.zip (дата обращения: 20.08.2010).

24. [КаретниковаНефёдовШашкин2001] Каретникова И. Р., Нефёдов И. М., Шашкин В. И. О точности восстановления профиля легирования полупроводников на основе вольт-фарадных измерений в процессе электрохимического травления. // Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 7. с. 801-807. URL: http://www.ioffe.ru/journals/ftp/2001/07/p801-807.pdf (дата обращения: 01.09.2010).

25. [Квон2005] Квон Д. Х. Лукавая транзисторная история. // Независимая газета от 12.10.2005. URL: http://www.ng.ru/printed/62184 (дата обращения: 17.08.2010).

26. [Колпаков1999] Колпаков А. И. IGBT транзисторы в системе электронного зажигания. URL: http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/publ/igbt/igbt_mega.htm (дата обращения: 15.08.2010).

27. [Колпаков2005] Колпаков А. Совершенствование силовых электронных модулей: проблемы и решения. // Электроника: Наука, технология, бизнес № 5, 2005 URL: http://www.electronics.ru/pdf/5_2005/14.pdf (дата обращения: 21.08.2010).

28. [Колпаков2007] Колпаков А. Мифы и легенды российских электронщиков. // Компоненты и технологии № 9, 2007. URL: http://www.kit-e.ru/assets/files/pdf/2007_09_150.pdf (дата обращения: 21.08.2010).

29. [Колпаков2008] Колпаков А. Цифровая передача данных в драйверах IGBT. // Компоненты и технологии № 10, 2008. URL: http://www.kit-e.ru/assets/files/pdf/2008_10_74.pdf (дата обращения: 21.08.2010).

30. [КононенкоМишковичМухановПланидинЧеголин2007] Кононенко В. В., Мишкович В. И., Муханов В. В., Планидин В. Ф., Чеголин П. М. Электротехника и электроника: Учебное пособие для вузов. Изд. 3-е, испр. и доп. Ростов н/Д: Феникс, 2007. 784 с.

31. [КурсФизики1-2006] Курс физики: Учебник для вузов: В 2 т. Т. 1. 4-е изд., стер. / Под ред. В. Н. Лозовского. СПб: Издательство "Лань", 2006. 576 с.

32. [ЛачинСавёлов2007] Лачин В. И., Савёлов Н. С. Электроника: учеб. пособие. Изд. 6-е, перераб. и доп. Ростов н/Д: Феникс, 2007. 703 с.

33. [Левин2005] Левин А. Транзистор --- дитя многих родителей. // Компьютерра № 45, 2005. URL: http://offline.computerra.ru/2005/617/242854/ (дата обращения: 17.08.2010).

34. [ЛевинштейнСимин2004] Левинштейн М. Е., Симин Г. С. Знакомство с полупроводниками. Москва-Ижевск: Институт компьютерных исследований, 2004. 208 с.

35. [МРБ] Массовая радиобиблиотека. URL: http://publ.lib.ru/ARCHIVES/M/%27%27Massovaya_radiobiblioteka%27%27/ (дата обращения: 29.03.2010).

36. [Мэк2008] Мэк Р. Импульсные источники питания. Теоретические основы проектирования и руководство по практическому применению. М.: Издательский дом "Додэка-XXI", 2008. 272 c.

37. [НикулинНазаров1976] Никулин Н. В., Назаров А.С. Радиоматериалы и радиодетали. Учебное пособие для средн. проф.-техн. учеб. заведений. М., "Высш. школа", 1976. 232 с.

38. [ОбразцовСмердов2004] Образцов А., Смердов В. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. // Ремонт & Сервис № 11, 2004. URL: http://www.remserv.ru/cgi/magazine/heading/element/74/1540 (дата обращения: 15.01.2010).

39. [ОС] Обратные связи в усилителях. URL: http://www.radiomaster.ru/stati/radio/amp_2.php (дата обращения: 16.01.2010).

40. [ОпадчийГлудкинГуров2002] Опадчий Ю. Ф., Глудкин О. П., Гуров А. И. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов. М.: Горячая Линия --- Телеком, 2002. 768 с.

41. [ПарфёновЗакировБолтакова2004] Парфёнов В. В., Закиров Р. Х., Болтакова Н. В. Физика полупроводниковых приборов (элементы теории, руководство и задания к лабораторным работам). Методическое пособие для студентов физического факультета. Казань, 2004. 56 с. URL: www.ksu.ru/f6/k5/bin_files/30.pdf (дата обращения: 31.08.2010).

[ПасынковСорокин2003] Пасынков В. В., Сорокин В. С. Материалы электронной техники: Учебник. 5-е изд., стер. СПб.: Издательство "Лань", 2003. 368 с.

42. [РезниковВоронинЩепкин2006] Резников А., Воронин П., Щепкин Н. Гибридный силовой транзистор IGBT - статистические и динамические характеристики. // Силовая электроника № 3, 2006. c. 28 -- 30. URL: http://www.power-e.ru/2006_03_28.php (дата обращения: 15.08.2010).

43. [Рогачёв2000] Рогачёв К. Д. Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). URL: http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/publ/igbt/transistor.htm (дата обращения: 17.01.2010).

44. [Романова2005] Романова М. П. Проектирование и технология микросхем: учебное пособие. Ульяновск: УлГТУ, 2005. 83 с. URL: http://window.edu.ru/window/library?p_rid=26332 (дата обращения: 22.08.2010).

45. [Семёнов2001] Семёнов Б. Ю. Силовая электроника для любителей и профессионалов. М.: Изд-во "СОЛОН-Р", 2001. 333 c.

46. [Серёгин1983] Серёгин Б. А. Обратная связь в усилителях. М.: Радио и связь, 1983. 96 с. (Массовая библиотека радиолюбителя; Вып. 1064).

47. [Сидоров2004] Сидоров М. Новые IGBT биполярные транзисторы компании Fuji Electric Device Technology. // Силовая электроника № 1, 2004. URL: http://www.power-e.ru/2004_01_24.php (дата обращения: 16.08.2010).

48. [СловарьИС1988] Словарь иностранных слов. 15-е изд., испр. М.: Рус. яз., 1988. 608 с.

49. [Степаненко2003] Степаненко И. П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2003. 488 с.

50. [ТитцеШенк2008] Полупроводниковая схемотехника: в 2 т.: пер. с нем. Т. 1. М.: Додэка-XXI, 2008. 832 с.

51. [Тырышкин2004] Тырышкин И. С. Основы полупроводниковой электроники: Учебное пособие. Новосибирск: НГТУ, 2004. 31 с. URL: http://window.edu.ru/window/library?p_rid=29327 (дата обращения: 28.08.2010).

52. [ЧернышевИвановГалаховГордееваГришинаДомнин1980] Чернышев А. А., Иванов В. И., Галахов В. Д., Гордеева В. И., Гришина Л. М., Домнин Б. К. Диоды и тиристоры. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Энергия, 1980. 176 с. (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1005).

53. [Функции-и-характеристики-кондиционеров] Функции и характеристики кондиционеров. URL: http://www.rfclimat.ru/htm/con_ft.htm (дата обращения: 30.08.2010).

54. [Фукалов2009] Фукалов А. Новые IGBT-модули компании Mitsubishi Electric. URL: http://www.electronics.ru/pdf/7_2009/2078.pdf (дата обращения: 21.08.2010).

55. [ЩукинаНекрасов2004] Щукина И., Некрасов М. Новая технология PT IGBT против мощных полевых МОП-транзисторов. // Силовая электроника № 1, 2004. c. 14 -- 16. URL: http://www.power-e.ru/2004_01_14.php (дата обращения: 15.08.2010).

56. [Юдин2008] Юдин А. IGBT-модули большой мощности для тяговых преобразователей производства компании Infineon. // Силовая электроника № 2, 2008. с. 32 -- 36. URL: http://www.power-e.ru/2008_2_32.php (дата обращения: 31.03.2010).

57. [AST-IGBT] Active Semiconductors Technology: IGBT. URL: http://www.educypedia.be/electronics/composemiigbt.htm (дата обращения: 01.04.2010).

58. [Baliga2008] Baliga B. J. Fundamentals of Power Semiconductor Devices. Springer Science, 2008. 1069 p.

59. [DodgeHess2002] Dodge J. Hess J. IGBT Tutorial. Advanced Power Technology: Application Note APT0201 Rev. B, July 1, 2002. URL: http://www.microsemi.com/micnotes/apt0201.pdf (дата обращения: 01.04.2010).

60. [DonlonMottoMatsumotoTabata2007] Donlon J., Motto E., Matsumoto M., Tabata M. New Re-Configurable IGBT Package Based on a Standard Platform. URL: http://www.pwrx.com/pwrx/app/New%20Re-Configurable%20IGBT%20Pkg.pdf (дата обращения: 17.08.2010).

61. [DonlonSatoh2009] Donlon J. F., Satoh K. IGBT Module Chip Improvements for Industrial Motor Drives. URL: http://www.pwrx.com/pwrx/app/IGBT%20Module%20Chip%20Improvements.pdf (дата обращения: 17.08.2010).

62. [IwamotoKondoMoriDonlonKawakami2000] Iwamoto H., Kondo H., Mori S., Donlon J. F., Kawakami A. An Investigation of Turn-off Performance of Planar and Trench Gate IGBTs under Soft and Hard Switching. URL: http://www.pwrx.com/pwrx/app/turnoff_perfplanartrench.pdf (дата обращения: 17.08.2010).

63. [KangLuWangSantiHudginsPalmerDonlon2003] Kang X., Lu L., Wang X., Santi E., Hudgins J. L., Palmer P. R., Donlon J. F. Characterization and Modeling of the LPT CSTBT --- the 5_th Generation IGBT. URL: http://vtb.engr.sc.edu/vtbwebsite/downloads/publications/IAS03%20CharacterizationAndModelingOfTheLPTCSTBT.pdf (дата обращения: 01.09.2010).

64. [KangCaiafaSantiHudginsPalmer] Kang X., Caiafa A., Santi E., Hudgins J. L., Palmer P. R. Characterization and Modeling of High-Voltage Field-Stop IGBTs. URL: http://vtb.engr.sc.edu/vtbwebsite/downloads/publications/HVFS.pdf (дата обращения: 13.09.2010).

65. [Khanna2003] Khanna V. K. The Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT): Theory and Design. Wiley, 2003. 626 p.

66. [LeTransistorJFET2004] Le transistor à Effet de champ à jonctions (JFET). URL: http://www.polytech-lille.fr/cours-atome-circuit-integre/unip/unip600.htm (дата обращения: 28.08.2010).

67. [LukasiakJakubowski2010] Lukasiak L., Jakubowski A. History of Semiconductors. // Journal of Telecomunications and Information Technology No. 1, 2010. URL: http://www.nit.eu/czasopisma/JTIT/2010/1/3.pdf (дата обращения: 17.08.2010).

68. [McArthur2001] McArthur R. Making Use of Gate Charge Information in MOSFET and IGBT Data Sheets. APT Application Note. APT0103. 2001. 8 p. URL: http://www.microsemi.com/micnotes/APT0103.pdf (дата обращения: 13.09.2010).

69. [MiyashitaTakuboYoshiwatari1998] Miyashita S., Takubo H., Yoshiwatari S. IGBT Modules. // Fuji Electric Review Vol.44-No.1, 1998. URL: http://www.fujielectric.com/company/tech_archives/pdf/44-01/FER-44-01-021-1998.pdf (дата обращения: 18.08.2010).

70. [MottoDonlon2004] Motto E., Donlon J. The Latest Advances in Industrial IGBT Module Technology. URL: http://www.pwrx.com/pwrx/app/O06_4.pdf (дата обращения: 18.08.2010).

71. [NakanoOnozawaIkawa2008] Nakano H., Onozawa Y., Ikawa O. New IGBT-PIM with 6th Generation Chip and Package Technologies. // Fuji Electric Review Vol.54-No.2, 2008. URL: http://www.fujielectric.com/company/tech/pdf/54-02/FER-54-02-052-2008.pdf (дата обращения: 17.08.2010).

72. [NishiyamaMiyazaki] Nishiyama T., Miyazaki Y. The IGBT Module with 6th Generation IGBT. URL: http://www.elektron.ch/fileadmin/ProductData/Leistungselektronik/Leistungshalbleiter/Neuheiten/Paper_The_IGBTModule_with_6th_Gen__IGBT_end.pdf (дата обращения: 17.08.2010).

73. [VanZeghbroeck2007] Van Zeghbroeck B. Principles of Semiconductor Devices. URL: http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/contents.htm (дата обращения: 15.08.2010).

74. [Oh2001] Oh K. S. IGBT Basics. Fairchild Semiconductor: Application Note 9016. February 2001. URL: http://www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-9016.pdf (дата обращения: 01.04.2010).

75. [PowerMOSFET-wiki] Power MOSFET. URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Power_MOSFET (дата обращения: 09.09.2010).

76. [RahimoKoptaEicher2005] Rahimo M., Kopta A., Eicher S. Next Generation Planar IGBTs with SPT₊ Technology. // Power Electronics Europe Magazine, Issue 6, September 2005. URL: http://www05.abb.com/global/scot/scot256.nsf/veritydisplay/82a07412f2f94653c1257333004ab566/$File/PEE_05mr.pdf (дата обращения: 01.09.2010).

77. [SalhiBenfdila2008] Recent Trends in IGBT Technology. // African Physical Review, 2008. pp. 21-23. URL: http://www.aphysrev.org/index.php/aphysrev/article/download/148/67 (дата обращения: 01.09.2010).

78. [Shubert] Shubert E. F. Bipolar Junction Transistor --- History. URL: http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Course-ECSE-6290%20SDM-2/1%20BJT-1%20History.pdf (дата обращения: 19.01.2010). Увы, 31.08.2010, узел недоступен. Ссылка оставлена в надежде, что сервер снова заработает.

79. [TakesuyeDeuty1995] Takesuye J., Deuty S. Introduction to Insulated Gate Bipolar Transistors. Motorola Semiconductor: Application Note 1541, 1995. URL: http://www.techlearner.com/Apps/IGBTsIntro.pdf (дата обращения: 01.04.2010).

80. [IGBT-1] Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT). URL: http://www.elec.gla.ac.uk/groups/dev_mod/papers/igbt/igbt.html (дата обращения: 01.04.2010).

81. [Timeline2007] Timeline of Semiconductors in Computers. URL: http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/ (дата обращения: 28.03.2010).

82. [Toshiba-IGBT] Toshiba Discrete IGBTs. Product Guide. URL: http://www.toshiba-components.com/transistors/data/Toshiba%20IGBT%20BCE0010_catalog.pdf (дата обращения: 17.01.2010).

83. [TeacherReference2009] Teacher's Reference Resource. School Based Elective Module. University of New South Wales, 2009. 130 p. URL: http://www.coe.montana.edu/ee/tjkaiser/ee580/homework/UNSWteachresrce.pdf (дата обращения: 01.09.2010).

84. [Transistor-Tubes] Transistor. Comparison with vacuum tubes. URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Transistor#Comparison_with_vacuum_tubes (дата обращения: 01.03.2010).

85. [UsingIPM] Using Intelligent Power Modules. Mitsubishi Semiconductors Power Modules MOS. URL: http://www.mitsubishichips.com/Global/files/manuals/powermos6_0.pdf (дата обращения: 27.08.2010).

86. [YamadaSimizuKawaguchiNakamuraKikuchiThal] Yamada J., Simizu T., Kawaguchi M., Nakamura M., Kikuchi M. Thal E. The Latest High Performance and High Reliability IGBT Technology in New Packages with Conventional Pin Layout. URL: http://www.mitsubishichips.com/webfiles/Paper4.pdf (дата обращения: 18.08.2010).