Биполярные транзисторы с изолированным затвором для начинающих. Igbt for beginners

версия 0.4

Автор: Царьков В. Б.

Copyright (C) 2010 Vladimir B. Tsarkov

Permission is granted to copy, distribute and/or modify this document under the terms of the GNU Free Documentation License, Version 1.2 or any later version published by the Free Software Foundation; with no Invariant Sections, no Front-Cover Texts, and no Back-Cover Texts. A copy of the license is included in the section entitled "GNU Free Documentation License".

Разрешается копирование, распространение и/или модификация данного документа согласно условиям GNU Free Documentation License (лицензии на свободную документацию GNU) версии 1.2 или любой более поздней версии, опубликованной Фондом Свободного программного обеспечения (Free Software Foundation); без Неизменных Разделов, Текстов на Передней и Задней Обложках. Копия лицензии находится в разделе под названием "GNU Free Documentation License".

Дата публикации: 23.11.2010

Аннотация: Делается попытка доступного изложения материала о биполярных транзисторах с изолированным затвором (IGBT). Помимо всего прочего, предоставляется список литературы для самостоятельного изучения, а также словарь терминов, аббревиатур и сокращений с указанием источников, где можно уточнить предлагаемую информацию.

Благодарности: Большое спасибо Ковзану Э. и Ковырялову А. С. за помощь в проведении исследования.

Вопросы и предложения могут быть доведены до сведения автора по электронной почте: bvbn at lipetsk period ru.

Содержание

1. История внесения изменений (History)

2. Введение

3. Биполярные транзисторы и ПТИЗ

4. Появление БТИЗ

5. Структура и принцип действия БТИЗ

6. Сравнение особенностей разных типов транзисторов

7. Области применения БТИЗ

8. Рекомендуемая литература

9. Обращение к читателю

10. Словарь терминов, аббревиатур и сокращений

Список литературы

GNU Free Documentation License

1. История внесения изменений (History)

Архив, содержащий текст и графику, использованные в исследовании, доступен по адресу: http://lipetsk.lug.ru/projects/igbt/igbt.tar.gz.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для начинающих 14/09/2010 - version 0.1 - Vladimir B. Tsarkov (vbt)

26/10/2010 - version 0.2 - vbt

28/10/2010 - version 0.3 - vbt

23/11/2010 - version 0.4 - vbt

2. Введение

Текущая версия документа содержит общие сведения о биполярных транзисторах с изолированным затвором (БТИЗ). Cо временем планируется сделать изложение более детальным. Уже сегодня в тексте есть ссылки на публикации, отражающие свежие изменения в технологиях создания кристаллов БТИЗ и модулей на их основе.

БТИЗ (IGBT, здесь и далее, при встрече с непонятными терминами, аббревиатурами и сокращениями, см. Словарь терминов, аббревиатур и сокращений) --- полупроводниковый прибор, созданный путём совмещения структур биполярного транзистора (BJT; БТ) и полевого транзистора с изолированным затвором (ПТИЗ; MOSFET). Подробнее см.: [Baliga2008, p. 738].

Ниже представлена классификация силовых полупроводниковых элементов по структуре и принципу действия, в которую входят БТИЗ:

Для уточнения представленной классификации могут быть использованы следующие источники: [ГОСТ15133-77]; [КононенкоМишковичМухановПланидинЧеголин2007, с. 683-713], [БойковГуржийЖуйковЗориСпивак2004, с. 454-465], [ОпадчийГлудкинГуров2002, с. 18-69], [ЛачинСавёлов2007, с. 29-124], [Зи1984-1], [Зи1984-2], [ГригорьевЗамятинКодратьевПожидаев1990-Тиристоры], [ГригорьевЗамятинКодратьевПожидаев1990-Диоды], [Дзюбин1976], [ЧернышевИвановГалаховГордееваГришинаДомнин1980]. Любопытный читатель сможет найти море информации в книгах серии массовая радиобиблиотека, электронные версии которых опубликованы в Интернет: [МРБ].