Появление бтиз
Дискретная реализация побистора (от слов полевой и биполярный транзистор) --- прибора, сочетающего свойства БТ и ПТИЗ была сделана советскими учёными в 1978 году (см.: [БачуринВаксенбургДьяконовМаксимчукРемневСмердов1994, с. 15-17]). Западные исследователи разработали подобный прибор в 1979 году (Подробнее см.: [Khanna2003, p. 6]), он получил название IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) и, на сегодняшний день, широко распространён во всём мире. Один из IGBT-модулей компании Mitsubishi показан ниже на рисунке.
Рисунок распространяется согласно GNU Free Documentation License (см.: http://en.wikipedia.org/wiki/File:IGBT_3300V_1200A_Mitsubishi.jpg).
Далее представлены условные графические обозначения БТИЗ, используемые на принципиальных схемах различными разработчиками электронных устройств (подробнее см. [TakesuyeDeuty1995]):
К 2010 году уже появились шесть поколений БТИЗ. Подробнее см. [Рогачёв2000], [Сидоров2004], [NakanoOnozawaIkawa2008]. Рабочие показатели БТИЗ с переходом от поколения к поколению меняются следующим образом (список улучшаемых рабочих показателей не претендует на полноту):
увеличивается коммутируемое напряжение;
растут допустимые токи для БТИЗ в модульном исполнении;
увеличивается частота коммутации (время включения/выключения уменьшается);
уменьшается прямое падение напряжения на приборе.