
- •Фгаоу впо "УрФу имени первого Президента России б.Н.Ельцина" Институт радиоэлектроники и информационных технологий – ртф
- •Расчетно-графическая работа Полупроводниковый диод 2д502г
- •Аннотация
- •Оглавление
- •1. Краткая словесная характеристика диода.
- •2. Паспортные параметры Электрические параметры
- •Предельные электрические параметры
- •Устойчивость к внешним воздействиям
- •3. Семейство вах.
- •4. Расчеты и графики зависимостей сопротивлений постоянному и переменному току от прямого и обратного u для комнатной t.
- •5. Определение величин температурных коэффициентов
- •6. Определение сопротивления базы
- •7. Эквивалентная схема диода
- •8. Библиографический список
- •9. Затраты времени
Предельные электрические параметры
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение Uобр.макс : При T = +250 С: При Т = +850 С: При Т = -600 С: |
40 В 40 В 40 В |
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение Uобр.и.макс, при tи≤2 мкс и Q≥10 : При T = +250 С: При Т = +850 С: При Т = -600 С: |
60 В 60 В 60 В |
Максимально допустимый средний прямой ток диода Iпр.ср.макс : При T = +250 С: При Т = +850 С: При Т = -600 С: |
50 мА 30 мА 50мА |
Максимально допустимый прямой импульсный ток Iпр.и.макс, при tи≤2 мкс без превышения Iпр.ср.макс диода : При T = +250 С: При Т = +850 С: При Т = -600 С: |
0,7 А 0,5 А 0,7 А |
Устойчивость к внешним воздействиям
Температура окружающей среды |
-60÷ +850 С |
Атмосферное давление |
2,7∙104-3∙105 Па |
Относительная влажность при 400С, не более |
98% |
Ускорение при многократных ударах, не более |
75 g |
Ускорение при линейных нагрузках, не более |
25 g |
Ускорение при вибрации в диапазоне частот 10 – 600 Гц, не более |
10 g |
Гарантийная наработка, не менее |
15 000 ч |
3. Семейство вах.
4. Расчеты и графики зависимостей сопротивлений постоянному и переменному току от прямого и обратного u для комнатной t.
Сопротивление постоянному току
Таб. 1 - Зависимость сопротивления от прямого напряжения
Uпр, В |
0,6 |
0,7 |
0,8 |
0,9 |
1,0 |
1,1 |
1,2 |
1,3 |
Iпр, А |
0,375 |
1,50 |
3,38 |
4,88 |
6,75 |
9,00 |
12,0 |
15,0 |
Rпост, Ом |
1,60 |
0,467 |
0,237 |
0,184 |
0,148 |
0,122 |
0,100 |
0,087 |
Таб. 2 - Зависимость сопротивления от обратного напряжения
Uобр, В |
50 |
100 |
150 |
200 |
225 |
250 |
275 |
300 |
Iобр, мкА |
6,25 |
12,5 |
18,8 |
37,5 |
56,3 |
87,5 |
131 |
213 |
Rпост, МОм |
8,00 |
8,00 |
7,98 |
5,33 |
4,00 |
2,86 |
2,10 |
1,41 |
Рис. 2 - Зависимость сопротивления от прямого напряжения
Рис. 3 - Зависимость сопротивления от обратного напряжения
Сопротивление переменному току
Сопротивление переменному току
рассчитывается по формуле:
.
При прямом смещении p-n
перехода диода его сопротивление можно
посчитать по следующей формуле:
,
где φТ = 25 мВ.
При обратном смещении приращение тока настолько незначительно, что сопротивление диода можно считать бесконечным.
Построим зависимости сопротивления от прямого и обратного напряжений при Т = +250С.
Таб. 3 - Зависимость сопротивления от прямого напряжения
Uпр, В |
0,25-0,2 |
0,3-0,25 |
0,35-0,3 |
0,4-0,35 |
0,45-0,4 |
0,5-0,45 |
0,55-0,5 |
0,6-0,55 |
Iпр, А |
0,005-0 |
0,015-0,005 |
0,023-0,015 |
0,03-0,023 |
0,05-0,03 |
0,08-0,05 |
0,085-0,08 |
0,1125-0,085 |
r, Ом |
10 |
7,14 |
6,25 |
5 |
2,5 |
1,82 |
1,5 |
1,67 |
Таб. 4 - Зависимость сопротивления от обратного напряжения
Uобр, В |
100-50 |
150-100 |
175-150 |
200-175 |
225-200 |
250-225 |
275-250 |
300-275 |
Iобр, мкА |
6,25 |
6,30 |
6,20 |
12,5 |
18,8 |
31,2 |
43,5 |
82 |
r, МОм |
8,00 |
7,94 |
4,03 |
2,00 |
1,33 |
0,801 |
0,575 |
0,305 |
Рис. 4 - Зависимость сопротивления от прямого напряжения
Рис. 5 - Зависимость сопротивления от обратного напряжения