
- •Кафедра рэис Отчет
- •Цель работы
- •Результаты измерений
- •Входные характеристики биполярного транзистора мп26б
- •Выходные характеристики биполярного транзистора мп26а.
- •4. Обработка результатОв измерений.
- •4.2. Параметры т-образной эквивалентной схемы транзистора мп25а.
- •Зависимость h11б (jэ).
- •Выводы по работе:
Выходные характеристики биполярного транзистора мп26а.
Семейство выходных характеристик JК= f(UКБ) снималось для четырёх значений тока эмиттера (JЭ=0, 4, 6, 8 мА) при комнатной (T=20 С) и повышенной (T=50 С) температурах в рабочем режиме.
Рдоп=200 мВт –мощность, рассеиваемая транзистором.
UКБ=70 В – максимальное напряжение коллетора.
Таблицы результатов измерений:
при JЭ = 0 мА:
UКБ ,В |
0 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
15 |
20 |
24 |
JК ,мА (Т=20 С) |
0 |
0,0031 |
0,0032 |
0,0033 |
0,0034 |
0,0036 |
0,0038 |
0,0039 |
0,004 |
JК ,мА (Т=50 С) |
0,0027 |
0,0298 |
0,0301 |
0,0306 |
0,0318 |
0,0346 |
0,0361 |
0,0381 |
0,0393 |
при JЭ = 4 мА:
UКБ ,В |
0 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
15 |
20 |
24 |
JК ,мА (Т=20 С) |
3,83 |
3,87 |
3,87 |
3,88 |
3,89 |
3,90 |
3,91 |
3,93 |
3,93 |
JК ,мА (Т=50 С) |
3,88 |
3,92 |
3,93 |
3,93 |
3,94 |
3,96 |
3,98 |
4,00 |
4,00 |
при JЭ = 6 мА:
UКБ ,В |
0 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
15 |
20 |
24 |
JК ,мА (Т=20 С) |
5,70 |
5,81 |
5,82 |
5,83 |
5,84 |
5,86 |
5,88 |
5,90 |
5,91 |
JК ,мА (Т=50 С) |
5,80 |
5,88 |
5,88 |
5,89 |
5,91 |
5,95 |
5,99 |
6,02 |
6,05 |
при JЭ = 8 мА:
UКБ ,В |
0 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
15 |
20 |
24 |
JК ,мА (Т=20 С) |
7,41 |
7,75 |
7,76 |
7,77 |
7,79 |
7,82 |
7,85 |
7,88 |
7,90 |
JК ,мА (Т=50 С) |
7,78 |
7,84 |
7,85 |
7,85 |
7,87 |
7,91 |
7,96 |
8,02 |
8,06 |
График выходных характеристик транзистора МП26А в схеме включения с ОБ при комнатной (T=20 С) и повышенной (T=50 С) температурах при JЭ=0 мА:
График семейства выходных характеристик транзистора МП26А в схеме включения с ОБ при комнатной (T=20 С) и повышенной (T=50 С) температурах:
4. Обработка результатОв измерений.
4
JЭ2
∆JЭ
JЭ1
∆UЭБ
UБЭ1 UБЭ2
∆JК
JЭ2
JЭ1
JЭ2
JК3
JК2
UКБ2
JК2 ∆J/К JК1
UКБ1 UКБ2
По построенным входным и выходным характеристикам транзистора, снятым при комнатной температуре, определяем hБ – параметры при приблизительно одинаковых режимах работы на входных и выходных характеристиках.
Входное сопротивление транзистора в схеме с ОБ, определенное вблизи выбранной рабочей точки.
Коэффициент обратной связи по напряжению
.
3. Коэффициент
усиления по току
.
4.
Выходная проводимость
:
Параметры h11 и h21 в режиме короткого замыкания на выходе, а h12 и h22 измеряются в режиме холостого хода на входе.