Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ЭЛЕКТРОНИКА.rtf
Скачиваний:
7
Добавлен:
15.07.2019
Размер:
20.12 Mб
Скачать

Определение h-параметров по статическим вах

Все h-параметры определяются в исходной рабочей точке.

ИРТ задается режимом по переменному току и определяется UКЭ и состоянием UБЭ0 и IБ0.

Динамический режим работы бпт Динамическая характеристика

Динамическим называется режим, при котором изменение входных электрических величин вызывает изменение всех остальных величин усилительного элемента (БПТ). Для реализации динамического режима необходимо в цепь выходного тока включить сопротивление R≠0, тогда при изменении Uвх и Iвх будет изменятся Iвых, Uвых.

Очевидно, чтобы была возможность варьировать изменения в цепь выходного электрода нужно включить источник питания постоянного тока, предназначенный для обеспечения Iвых0≠0.

Второй закон Кирхгофа для выходной цепи:

Транзистор – элемент явно нелинейный на всей плоскости.

; если IБ=0, то БПТ неуправляем (это режим отсечки)

Для определения ИРТ используем свойство последовательного соединения. Достроим ВАХ для RK в системе координат выходных ВАХ БПТ.

При UКЭ0К получаем I′=0, а при UКЭ0=0 получаем I″=EK/RK.

С другой стороны ВАХ RK – это нагрузочная прямая транзистора. ИРТ лежит на отрезке CD.

Выберем IБ=const, тогда ИРТ определяется как точка пересечения нагрузочной прямой с той характеристикой, которая соответствует IБ.

Max(ИРТ) – C; min(ИРТ) – D.

На интервале [C,D] может изменяться рабочая точка, а нагрузочная прямая на нем называется динамической характеристикой. Начиная с некоторого значения IБ рабочая точка остается в одном месте, а IК перестает управлять. UКЭн, соответствующее максимальному положению рабочей точки напряжением насыщения (соответственно – ток насыщения).

В нижней части динамической характеристики одинаковое приращение IБ вызывает равное приращение IК. Аналогично и вблизи верхней точки – С. Тогда на границах масштаб нелинейный.

Выбор ирт

Построим проходную динамическую характеристику IК от IБ. Выбор исходной рабочей точки должен удовлетворять 2 требованиям:

  1. IK0 должен быть выбран так (IБ0 – тоже), чтобы при максимально возможном приращении IБ относительно IБ0, вызываемом сигналом, изменение IК оставалось пропорциональным ему.

  2. ИРТ не должна выбираться слишком высоко, чтобы снизить потребление от источника питания.

При заходе рабочей точки на нелинейные участки начинается искажение сигнала.

Если есть RЭ, то:

, где RK+RЭ – нагрузка БПТ по постоянному току.

Очевидно, что теперь нагрузочная прямая по переменному току будет отличаться от нагрузочной прямой по постоянному (она будет наклонена более круто).

Бпт как усилительный элемент.

Eб создаёт Iб0, т.е. определяет ИРТ на входных характеристиках.

ЭДС eu – источник сигнала I~.

Для любого источника постоянного тока RUEб→0.

Iб(t)=Iбо+Iб~.

Чтобы обеспечить независимость цепи базы и источника сигнала по постоянному току, ставится разделительный конденсатор CР1. Источник eu должен управлять IБ, т.е. если R=0, то IБ~=0 – управления не будет. R≠0, чтобы часть IU направить в базу. С точки зрения хорошей передачи энергии от источника W к базе, CR1 должно быть выбрано так, чтобы XCR1U)→0 – на нижней частоте в спектре усиления сигнала.

XCR1(ω)<<Rвх~

Аналогичные требования и к CR2 по постоянному току для разделения выходной цепи усилительного элемента и RU.

Видно, что при опускании ИРТ преобразования становятся нелинейными.

Iко=βIбо, Iк~=h21Iб~

ΔIк~ ΔIб – преобразование К-Б линейно.

Iк~ при протекании через Rк~ сознаёт на нем падении напряжений, которое по сути дела является Uн.

Uкэ=Eк-Iк0Rк

Подадим ΔUкэ.

Вывод: ΔU на коллекторе противофазно ΔU на базе.

– переменная составляющая.

– практически это коэффициент усиления.

При вычислении k необходимо брать значения напряжений при среднем значении частоты – ω0.

ω0 или f0 – это такая частота, при которой частотно-зависимый сдвиг фаз равен нулю, т.е. сопротивление цепи можно рассматривать только как активное).

→ CR2 и C0 можно принебречь.

Обычно можно пренебречь.

Динамические выходные характеристики БПТ по переменному току

Динамические характеристики переменного тока строятся по выходным характеристикам, поскольку I~ и U~ - это изменения относительно I0 и U0.

Построим нагрузочную прямую по постоянному току.

, т.е. сумма сопротивлений, включенных последовательно с электродами КЭ и источником питания.

ИРТ выбираем выше, чем середина линейного участка, т.к. .

Строим нагрузочную прямую по переменному току.

Следовательно, нагрузочная прямая по переменному току обязательно пройдет через исходную рабочую точку. Для построения прямой задают , откладывают относительно . Вычисляют и откладывают относительно .

Т.к.

Следовательно, эта нагрузочная прямая проходит через ИРТ и точку .

На интервале, ограниченном снизу IБ=0, а сверху точкой пересечения с восходящим участком статической ВАХ, эта нагрузочная прямая является динамической ВАХ по переменному току.

Её линейный участок несколько меньше. При возрастании температуры увеличивается IБ0 и ИРТ по постоянному току поднимается. В новой ИРТ увеличивается и переменный ток. ΔI становится меньше. Возможны искажения.

В каждый момент времени t положение рабочей точки находится на пересечении нагрузочной прямой по переменному току со статической ВАХ соответствующего IБ.

Построим форму изменения IК и UКЭ при изменении IБ, вызванном UБЭ. Продолжим ВАХ БПТ с IБ=IБ0 и будет использовать как ось времени. Перпендикулярную ей ось можно использовать как ось IБ. В силу параллельности статической ВАХ, продолжение проторируют в значениях IБ. Изобразим изменение IБ от времени.

В момент t0=0 IБ=IБ0 – рабочая точка в ИРТ.

t0=1 IБ= IБ-IБ0 – рабочая точка в ВАХ по переменному току.

Рабочая точка движется по нагрузочной прямой переменного тока и не может подняться выше IKMAX.

Возрастание амплитуды UБЭ в дальнейшем приведет к искажениям формы. Низкий выбор ИРТ чреват искажениями при малых IK, высокий – при больших IK. Говорят: искажения снизу и сверху, понимая под этим осциллограмму UКЭ. Тип искажений зависит от типа транзистора.

Для p-n-p транзистора: при повышении IБ0 уменьшается отрицательное значение UКЭ, т.е. оказывается отрицательным => искажения сверху. При понижении IБ0 увеличивается отрицательное значение UКЭ, т.е. оказывается положительным => искажения снизу.