- •1. Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы.
- •2. Электрическое поле. Взаимодействие электрических зарядов с электрическим полем. Закон Кулона.
- •3. Электрический потенциал и разность потенциалов.
- •4. Электрическая емкость. Конденсатор. Способы изменения электрической емкости конденсаторов. Параллельное и последовательное соединения конденсаторов.
- •5. Постоянный электрический ток. Условия существования электрического тока. Направление, сила и плотность постоянного электрического тока.
- •6. Электрическое сопротивление. Единицы измерения сопротивления. Зависимость сопротивления от температуры.
- •7. Резисторы. Виды резисторов. Параллельные и последовательные соединения резисторов.
- •8. Закон Ома для участка и полной электрической цепи.
- •9. Законы Кирхгофа.
- •10. Работа и мощность электрического тока.
- •11. Переменный электрический ток и его основные параметры: период, частота, амплитуда, мгновенное и среднее (действующее) значения.
- •12. Основные сведения о полупроводниках. Разрешенные и запрещенные зоны. Валентная зона и зона проводимости.
- •14. Полупроводники с электронной электропроводностью. Энергетическая диаграмма. Формулы для концентраций основных и неосновных носителей. Положение уровня Фермы.
- •15. Полупроводники с дырочной электропроводностью. Энергетическая диаграмма. Формулы для концентраций основных и неосновных носителей. Положение уровня Фермы.
- •16. Неравновесная и избыточная концентрации основных и неосновных носителей зарядов в полупроводнике.
- •17. Диффузионный и дрейфовый токи в полупроводнике. Причины, вызывающие их появление. Формулы для плотностей токов.
- •19. Прямое включение эдп. Явление инжекции неосновных носителей. Влияние прямого напряжения на контактную разность потенциалов и ширину запирающего слоя. Энергетическая диаграмма.
- •20. Обратное включение эдп. Обратный ток. Включение обратного напряжения на ширину запирающего слоя. Энергетическая диаграмма.
- •21. Вольтамперная характеристика эдп (вах). Уравнение теоретической вах и ее график.
- •22. Емкость эдп. Зарядная и диффузионная емкости, их физическая интерпретация. Графическая зависимость зарядной емкости от обратного напряжения.
- •23. Эквивалентные схемы эдп при прямом и обратном включениях.
- •24. Разновидности электрических переходов. Электрический переход между полупроводником и металлом (переход или барьер Шотки). Выпрямляющие и невыпрямляющие электрические переходы.
- •25. Полупроводниковые диоды. Классификация, основные параметры и система обозначений.
- •26. Выпрямительные полупроводниковые диоды. Назначение, основные параметры, классификация. Простейший выпрямитель на полупроводниковом диоде.
- •27. Полупроводниковые стабилитроны. Назначение, вах и основные параметры. Схема простейшего стабилизатора напряжения на стабилитроне и принцип его работы.
- •28. Варикапы. Назначение вольт-фарадная характеристика. Схема включения варикапа в колебательный контур для изменения его резонансной частоты.
- •29. Туннельные диоды. Энергетическая диаграмма при прямом и обратном включениях. Вах. Пояснить появление на вах участка с отрицательным сопротивлением.
- •30. Общие сведения о биполярных транзисторах (бт). Структурные схемы бт типов р-n-р и n-р-n. Условные графические обозначения.
- •34. Статические гибридные характеристики бт, включенного по схеме оэ. Функциональные зависимости. Схема для их экспериментального снятия. График семейств входных и выходных характеристик.
- •35. Малосигнальные h-параметры бт, включенного по схеме оэ. Формулы и методика определения по статическим гибридным характеристикам.
- •39. Параметры режима усиления. Формулы, методика определения по статическим гибридным характеристикам в схеме оэ,oб
- •40. Факторы, ограничивающие полезную выходную мощность бт. Определение рабочей области на выходных статических гибридных характеристиках.
- •41. Особенности работы бт в ключевом режиме. Схема, графики напряжений и токов.
- •42. Схема ключа с транзистором Шотки. Пояснить причину уменьшения времени рассасывания в таком ключе.
- •43. Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры мдп-транзисторов с индуцированным каналом п- и р- типов.
- •45. Устройство, принципы действия статические характеристики и параметры мдп-транзистора с управляющим р-п-переходом.
- •46. Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры меп-транзисторов.
- •47. Дифференциальные параметры полевых транзисторов и методика их определения по статическим характеристикам.
- •48. Работа пт в режиме усиления. Схема простейшего усилителя. Параметры режима усиления и методика их определения по характеристикам.
- •49. Инвертoр на мдп-транзисторах с индуцированным каналом. Схема, графики входного и выходного напряжения. Уровни выходного напряжения u0 и u1.
- •52. Этапы изготовления полупроводниковых имс, обеспечивающие формирование в кристалле полупроводника транзисторной структуры.
- •53. Интегральные транзисторы n-p-n и p-n-p. Способ увеличения коэффициента передачи тока h21э транзистора типа p-n-p. Многоколлекторный транзистор.
- •54. Интегральные многоэмиттерые транзисторы. Структура. Схема включения мэт в цифровых устройствах.
- •55. Интегральные транзисторы с инжекционным питанием. Структурная и эквивалентная схемы. Принципа работы.
- •56. Диоды, резисторы и конденсаторы полупроводниковых имс.
- •57.Фоторезисторы
- •58. Фотодиод, устройство, принцип действия, схема включения.
- •59. Фототранзистор, устройство, принцип действия, схема включения, выходные характеристики.
- •60. Полупроводниковые источники излучения. Светоизлучающие диоды. Оптопары.
47. Дифференциальные параметры полевых транзисторов и методика их определения по статическим характеристикам.
Свойства ПТ удобно рассматривать в
Y-системе параметров, в которой в качестве
функций используется входной и выходной
токи, а аргументами служат входное
выходное напряжения
(5.3)
или
(5.4).
Поскольку Iз
0,
то в большинстве случаев ограничиваются
лишь второй функциональной зависимостью
уравнений (5.4), полный дифференциал
которой имеет вид dIC=
IC/
UЗИdUЗИ+
IC/
UСИdUСИ(5.5). Частные производные в этом уравнении
является дифференциальными параметрами
ПТ (5.6)
IC/
UЗИ=
dIC/dUЗИ=S при UСИ=const -
крутизна сток-затворной характеристики.
(5.7)
IC/
UСИ=
dIC/pUСИ=1/Ri при UЗИ=const
- выходная проводимость. Чаще используют
обратную величину Ri=
UСИ/
IC=dUСИ/dICпри UЗИ=const, представляющую собой
выходное сопротивление ПТ. Кроме того
используется параметр (5.9)
UСИ/
IC*
IC/
UЗИ
=
UСИ/
UЗИ=dUСИ/dUЗИ=
=SRi- статический коэффициент увеличения.
Параметры S, Riи
называются
дифференциальными и используют при
аналитическом задании функции. Приближенно
они могут быть определены по статическим
характеристикам, если дифференциалы
заменить конечными приращениями:
S=
IC/
UЗИпри UСИ=const Ri=
UСИ/
ICпри UЗИ=const. Полученные таким
образом параметры называются
малосигнальными. При этом справедливым
остается выражение
=SRi=
UСИ/
UЗИ.
Методика определения параметра S по
сток-затворным и стоковым характеристикам
показана нарис.5.11,
а , б, а методика определения
параметра Riиллюстрируетсярис.
5.11, в.Значения параметров S, Riи
зависят
от режима работы ПТ, т.е. от положения
рабочей точки А на характеристиках.
![]()
Рис. 1

Рис. 2

![]()
48. Работа пт в режиме усиления. Схема простейшего усилителя. Параметры режима усиления и методика их определения по характеристикам.
В этом режиме в выходную цепь (цепь
стока) ПТ включается нагрузка, а
усиливается сигнал подается во входную
цепь (в цепь затвора), как показано на
рис
5.12, а. На семействе стоковых
характеристик строится нагрузочная
прямая в соответствии с уравнением
UСИ=EC-ICRK(5.9) и
определяется положение исходной рабочей
точки А. Как видно изрис.5.12,
б, в исходном режиме (режиме
покоя) для смещения р-n-перехода
затвор-канал в обратном направлении
необходим внешний источник ЕЗ=UЗИ0.
Входное переменное напряжение практически
полностью выделяется на резисторе RЗ,
т.к. IЗ 0 и внутреннее сопротивление
источника EЗтакже 0. Поэтому
во время UВХ>0 результирующее
обратное напряжение UЗИ= -ЕЗ+UВХуменьшается по абсолютному значению,
толщина канала ПТ увеличивается и
увеличивается протекающий через него
тока стока IС, а напряжение UСИсогласно формуле (5.9) уменьшается. Во
время UВХ<0 результирующее
обратное напряжение UЗИ= -ЕЗ-UВХувеличивается по абсолютному значению,
что приводит к уменьшению тока стока и
увеличению в соответствии с (5.9) напряжения
UСИ. Таким образом, переменное
входное напряжение вызывает появление
переменных составляющих тока стока и
напряжения UСИсоответственно с
амплитудными значениями Imcи UmСИПо этим значениям можно определить
коэффициент усиления по напряжению Ku=
UmСИ/UmЗИ(5.10) и полезную
выходную мощность
PCP=IСИcpUСИcp=Imc/
*UmСИ/
=0,5ImCUmСИ(5.11).
![]()
Рис. 1
Рис.
2
![]()
Усилители на ПТ с одним источником питания. Расчет элементов схем для обеспечения заданного режима работы усилителей на МДП-транзисторах и ПТ с управляющим р-n-переходом.
Как видно из рис.5.12, аи принципа работы ПТ с управляющим p-n-переходом (см. п. 43) полярность напряжений ЕЗи ЕСпротивоположны, поэтому требуется два источника. Но можно обойтись и одним, включив в цепь истока дополнительный резистор (рис.5.13, а) RH.
Протекающий через него ток стока в режиме покоя создает на этом резисторе напряжение URн, которое через резистор RЗприкладывается между затвором и истоком, смещая р-n-переход затвор-исток в обратном направлении. При этом возникает отрицательная обратная связь (ООС) по току, уменьшающая коэффициент усиления каскада. Чтобы этого не происходило, резистор RНшунтируют конденсатором СНтакой емкости, чтобы его сопротивление переменному току для заданной частоты
ХСн=1/nСИ=1/(2
fCИ)
было значительно меньше сопротивления резистора RН. В усилителе на МДП-резисторах полярности напряжении на стоке и затворе в режиме покоя совпадают, поэтому необходимое напряжение UЗИ0в режиме покоя обеспечивается с помощью делителя напряжения, подключенного к источнику ЕС(5.13, б). Задавшись некоторым током делителя IД, сопротивление резистора R2для обеспечения необходимого напряжения UЗИ0рассчитывают по формуле
R2=UЗИ0/IД(5.12)
, а сопротивление резистора R1- по формуле
R1=(ЕС-UЗИ0)/IД
![]()
Рис. 1
Рис.
2
Рис.
3
![]()
