Задача №3 Основы радиоэлектроники и схемотехники

Контрольная работа №2.

Задача №3: Выполнить расчёт насыщенного ключа на биполярном транзисторе.

Таблица 1 – Исходные данные для расчёта.

Тип БТ	КТ361Г
UИП, В	10
UСМ, В	5
RН, кОм	10
S	5
Uвых m, В	8
U0пор, В	0,5
U1пор, В	4
СН, нФ	0,05
τи, мкс	5
T, мкс	10
Uвх зап, В	0
Uвх m, В	4,4

Рис. 1 – Электронный ключ на биполярном транзисторе.

Расчёт.

1. Составляем эквивалентную схему ключа (рис. 2).

2. Рассчитываем величины R_К и R_{К экв} исходя из соотношений (1)-(3).

(1)

(2)

(3)

(4)

Рис. 2

3. Рассчитываем значения тока коллектора и базы I_{К н}, I_{Б н}, соответствующие режиму насыщения, а также значения тока базы I_{Б m} при U_{вх m}.

(5)

(6)

(7)

4. Определяем значение резистора R1 по формуле:

(8)

Выбираем резистор R1 – C2-23-0,125-30 кОм±5%.

5. Определяем значение резистора R2 по формуле:

(9)

Выбираем резистор R2 – C2-23-0,125-300 кОм±5%.