- •Полупроводники с электронной электропроводностью
- •Дрейфовый ток
- •Полупроводники с дырочной электропроводностью
- •Диффузионный ток
- •Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
- •Прямое включение p-n перехода
- •Обратное включение р-п-перехода
- •Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода
- •Реальная вольтамперная характеристика p-n перехода
- •Емкости p-n перехода
- •Гетеропереходы
- •Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности
- •Контакт металла с полупроводником
- •Омические контакты
- •Явления на поверхности полупроводника
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны и стабисторы
- •Универсальные и импульсные диоды
- •Варикапы
- •Биполярные транзисторы
- •Статические характеристики биполярных транзисторов
- •Дифференциальные параметры биполярного транзистора
- •Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора
- •Частотные свойства биполярного транзистора
- •Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов
- •Работа транзистора в усилительном режиме
- •Переходные процессы при переключении транзистора
- •Полевой транзистор с p-n переходом.
- •Полевой транзистор с изолированным затвором (мдп-транзистор).
Полевой транзистор с изолированным затвором (мдп-транзистор).
Этот транзистор имеет структуру металл - диэлектрик - полупроводник и может быть двух типов: с индуцированным каналом (рисунок 4.4,а) и с встроенным каналом (рисунок 4.4,б). Если основой транзистора является кремний, то диэлектриком может быть слой окиси кремния, поэтому такую структуру иногда называют МОП-транзистор (металл - окисел - полупроводник).
Транзистор с индуцированным каналом имеет области истока n+ и стока n+, которые выведены путем металлизации через отверстие в окиси кремния на контакты - исток и сток. На слой двуокиси окиси кремния напыляют слой алюминия, служащий затвором. Можно считать, что алюминиевый затвор и полупроводниковый материал p-типа образуют плоский конденсатор с окисным диэлектриком, Если на металлическую часть затвора подать положительное напряжение, то положительный заряд обкладки затвора индуцирует соответствующий отрицательный заряд в полупроводниковой области канала. С возрастанием положительного напряжения этот заряд, созданный притянутыми из глубины p-области проводника электронами, которые являются неосновными носителями, превращает поверхностны слой полупроводника p-типа в проводящий канал n-типа, соединяющий исходные n+-области истока и стока. Поэтому уменьшается сопротивление материала между истоком и стоком, что ведет к увеличению тока стока. Таким образом, благодаря электростатической индукции между истоком и стоком происходит инверсия типа проводимости полупроводника. Слой полупроводника p-типа превращается в полупроводник n-типа. До инверсии сопротивление между истоком и стоком определяется сопротивлением закрытого перехода, так как до инверсии имеет место структура n+-р-n+. После инверсии образуется n-проводимость и структура становится n+-n-n+. Меняя напряжение на затворе, можно управлять током стока. Если взять подложку n-типа, то можно построить МДП-транзистор с индуцированным p-каналом, который управляется отрицательным напряжением на затворе. Транзистор с встроенным каналом имеет конструкцию, подобную предыдущей. Между истоком и стоком методом диффузии создают слаболегированный канал c проводимостью n--типа при проводимости подложки p-типа. Возможно другое сочетание. Канал имеет проводимость p-типа, а подложка — проводимость n-типа. В отсутствие напряжения на затворе (рис. 2.91б) ток между истоком и стоком определяется сопротивлением n--канала. При отрицательном напряжении на затворе концентрация носителей заряда и канале уменьшится и в нем появляется обедненный слой. Сопротивление между истоком и стоком увеличивается и ток уменьшается. При положительном напряжении на затворе ток стока увеличивается, потому что в канале индуцируется дополнительный отрицательный заряд, увеличивающий его проводимость. На рисунке 4.4 приведены характеристики прямой передачи МДП-транзисторов с индуцированным (кривая 2) и встроенным (кривая 1) каналами.
Из рисунка
при . ( 3.41 ) Здесь А - постоянный коэффициент; UЗИ ПОР - напряжение, которое для транзистора с индуцированным каналом принято называть пороговым. Инверсия типа проводимости начинается лишь при достижении напряжения UПОР.
Рисунок 4.4 Характеристики прямой передачи МДП ПТ. |
В области UCИ < |UЗИ - UЗИ ПОР | теоретический ток сток
. ( 3.42 )
Уравнение (3.42) описывает восходящие ветви выходной характеристики Входное сопротивление МДП-транзистора из-за наличия изолятора между затвором и каналом составляет около 1012 - 1014 Ом и уменьшается с ростом частоты вследствие шунтирования входной емкостью транзистора. Выходное сопротивление находится в пределах десятков - сотен килоомов. Входная и выходная емкости составляют единицы пикофарад, а проходная емкость -десятые доли пикофарад.