Лаба1

Цель работы:

1. Изучить устройство, принцип действия, систему обозначений, параметры и характеристики полупроводниковых диодов, области их применения.

2. Экспериментально исследовать вольт-амперные характеристики (ВАХ) диодов, указанных в карточке задания, и рассчитать по измеренным характеристикам их требуемые параметры

. 1.2. Расчётные формулы:

1. — Теоретическая вольт-амперная характеристика

диода. Где — температурный

потенциал, равный 26мВ при Т = 300К; —

обратный ток насыщения.

2. — Реальная вольт-амперная характеристика

с учётом суммарного сопротивления

базы, омических контактов и выводов

диода .

3. — Прямое сопротивление диода постоянному току.

4. — Обратное сопротивление диода постоянному току.

5. — Прямое дифференциальное сопротивление

6. — Обратное дифференциальное сопротивление

7. — Дифференциальное сопротивление стабилитрона

7. — Статическое сопротивление стабилитрона

2.1. Схема установки:

x

Схема диода:

3.1 Результаты измерений.

Таблица 1

Тип диода—FR157

Прямое	Прямое	Обратное	Обратное
U,B	I,mA	U,B	I, mA
0	0	Показания не фиксируются
0,4	0,12
0,44	0,2
0,48	0,7
0,54	2,4
0,6	6,4
0,62	8,8
0,63	10

Тип диода—KC210Б Таблица 2

Прямое	Прямое	Обратное	Обратное
U,B	I,mA	U,B	I, mA
1	0	1	0
8	0	9	0
9	0,8	9,2	3,6
9,2	6,2

Прямое	Прямое	Обратное	Обратное
U,B	I, mA	U,B	I, mA
0,1	0,02	0	0
0,2	0,16	0,5	0
0,26	0,53	1	0
0,3	1	2	0
0,36	2,7	3	0
0,4	4,6	4	0,01
0,44	7,6	8	0,02
0,46	10	10	0,03

Тип диода—1Д507A Таблица 3

Тип диода—KC156A

Таблица 4

Прямое	Прямое	Обратное	Обратное
U,B	I, mA	U,B	I, mA
0,1	0	0	0
0,2	0,02	1	0
0,3	0,03	2	0
0,4	0,04	2,5	0
0,5	0,06	3	0
0,6	0,36	4	0,1
0,62	0,7	4,4	0,3
0,66	2,6	5	1,6
0,68	5,4	5,2	3,4
0,7	10	5,4	7,6

Прямое	Прямое	Обратное	Обратное
U,B	I, mA	U,B	I, mA
0,1	0	Показания не фиксируются
0,2	0,02
0,4	0,06
0,5	0,26
0,54	0,61
0,6	2,4
0,64	6,7
0,66	8,5
0,67	10

Тип диода—KД521Б Таблица 5

ВАХ полученные по результатам проведения измерения:

Iпр, mA

КС156А

Uпр, B

Uобр, B

Uпр, B

Uобр, B

Iпр, mA

Iобр, mA

1

10

10

0.1

FR157

КД521Б

0.4

1Д507А

Iобр, mA

10

10

5

0.7

Рис.2 1Д507А ,КД521Б ,FR157

Iпр, mA

Рис.1 КС156А

Uпр,B

Uобр, B

Iобр,mA

10

10

10

10

9

9

КС210Б

Рис.3 КС210Б

Параметры диодов:

Тип	Uст			Rст	При Iст,мА	Iст мин МА	Iст макс мА	Pмакс мВ
	В	U,В	При Iпр,мА
КС210Б	10	0,7	5	22	5	3	14	125
КС156А	5,6	0,6	10	100	5	3	55	150

Тип	Uобр,В	Uпр		Iпр,mА	Iобр при Uобр макс, мкА
		В	При Iпр,мА
FR157	800	1,4	1,7	1,7	50
КД521Б	60(65)	1	50	50(500)	1
КД507А	20	0,5	5	16(100)	50

Тип п/п диодов Параметры	FR157	1Д507A	KД521Б
Rпр.Ом	76.25	55	82
Rдиф пр.Ом	72	40,5	78

Рассчитанные параметры приведены в таблице 6 и 7

Таблица 6

Параметры стабилитрона: Таблица 7

	Rпр,Ом	Rдиф пр,Ом	Rо,Ом	R,ст.Ом
КС210Б	1156	1008	2000	63,64
КС156А	87.5	81	1120	11,54

Теоретическая ВАХ диода:

Iпр, mA

5

Uобр, B

Uпр, B

0.7

Iобр, mkA

Вывод: В результате опыта провели измерение, по полученным данным рассчитали характеристики диодов и построили ВАХ.

Выяснили что экспериментальная ВАХ и теоретическая отличаются что обусловлено не учтенной генерацией носителей зарядов в переходе, а также критическим напряжением пробоя и примесными свойствами полупроводникового материала.