14. Сравнительная характеристика проводников, полупроводников и диэлектриков. Собственная и примесная проводимости полупроводников.

Проводники – к ним относятся металлы, Ag, Cu, Fe, Hg, графит. П/П – Ge, ZnO, Cu₂O. Диэлектрики – стекло, фарфор, кварц, эбонит, янтарь. Примеси – в металлах R+, в диэлетрике R-. В П/П подбором примесей можно изменять проводимость по своему желанию, поэтому примесные п/п имеют широкое применение в технике. Температура. Проводники – t+ R+, t- R-, 0 при сверхпроводимости.

Диэлектрики t+R-, но они успеют расплавится нежели приобретут нормальную проводимость. П/П - R+t- -.Освещение п/п значительно уменьшает их сопротивление.

Чистый п/п. Ge. (-) Электроны - (+) - Дырки

1) При t близкой к 0 К, в темноте. Все связи прочные, g(проводимость)=0.

2) При t>=t_ком. Связь ослабляется, появляется свободные электроны и дырки, число + = число -.движутся хаотично, g не равно 0, R- стрелочка вниз.

3) В эл поле. + и – движутся упорядоченно, возникает ток, I₊=I_- Примесная. P и n – positive, negative. P – Добавляется плюс, 1) все связи прочные, есть примесный плюс, g не равно 0. 2)связь ослабляется, появляются + и -, движутся хаотично (рекомбинация), число + > число -. 3) движутся упорядоченно, возникает I и I+>I-. N-negative-один атом в минус. Все так же как позитив только наоборот.

15. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод. Прямое и обратное включение p – н - перехода.

Если соединить полупроводники разного типа проводимости то на границе возникнет перемещение основных носителей, и появятся 2 потока. Диффузионный и стрелочный. Диф – созданный осн. Носителем,,, создаст эл. Поле. Встречный поток – вызовет ослабление поля. Электронно-дырочный переход - область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. Полупроводниковый диод, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Если к pn переходу приложить напряжение в прямом направлении, то ослабляется равновесие между диф. и встречным потоком из-за Eвн, и по проводнику течет большой ток. Если же приложить напряжение в обратном направлении, возникает эл. Поле сонаправление с вн. Нарушается равновесение диф и встр., носит. Движутся от границы, течет очень малый ток. P-n-p переход осуществляется через триод или транзистор.

16. Магнитное поле. Магнитная индукция. Взаимодействие параллельных токов. Магнитная проницаемость среды. Магнитные поля прямого и кругового токов и Сила Ампера. Правило левой руки. Магнитное поле – особый вид материи, посредством которого взаимодействуют подвижные заряды. Создано q (скорость не равна нулю), связано с зарядом, действует на заряд, обнаруживается зарядом и магнитными линиями, безгранично, распространяется в среде, изображается мсл. Линия магн индукции – линия, в каждой (.) которой магнитная линия расположена по касательной. Св-ва не - - - , не Х, всегда замкнута, за направление принимают направление северного конца магнитной стрелки. Магнитная индукция, вектор магнитной индукции В, основная характеристика магнитного поля. Одноименные притягиваются, разноименные отталкиваются .Магн. поле не сущест. Без эл.тока. Магнитная проницаемость. . Магнитная проницаемость среды — эта величина показывает, во сколько раз магнитная индукция поля, создаваемого током в данной среде, больше, чем в вакууме

Прямое: Круговое: Соленойд:

Сила ампера – сила, действующая на проводник с током в магнитном поле. F_A=

F_A=B*I*L*sinB^I. ПЛР. Вдоль проводника с током, В входит в ладонь, 4 пальца по направлению тока, большой палец укажет направление.

B*S=Ф. Магнитный поток. Общее кол-во В находящихся на площади S. H – Напряженность, зависит от величины I. H=I/2(пи)*a.

Сила Лоренца – сила, действ. на единичный заряд в магнитном поле.

где q - заряд частицы; V - скорость заряда;  B - индукции магнитного поля; a - угол между вектором скорости заряда и вектором магнитной индукции

Направление силы Лоренца определяется левой руки. Только может быть +q u –q. +q 4 пальца по направлению v, а –q против направления.