- •Сведения из теории биполярные транзисторы.
- •4.1 Классификация транзисторов
- •4.2 Система обозначений транзисторов.
- •4.3 Устройство биполярного транзистора.
- •4.4 Режимы работы биполярного транзистора.
- •4.5 Принцип действия транзистора в основном активном режиме
- •4.6 Схемы включения транзисторов.
- •4.7 Статические характеристики транзисторов.
- •4.7.1 Статистические характеристики транзистора, включенного по схеме с об.
- •4.7.2 Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •4.7.3 Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с ок
- •4.8 Параметры и эквивалентные схемы транзисторов.
- •4.8.1 Дифференциальные (малосигнальные) параметры транзистора.
- •4.8.1.1 Система z-параметров
- •4.8.1.2 Система y-параметров.
- •4.8.1.3 Система h-параметров.
- •4.8.1.4 Определение низкочастотных h- параметров по характеристикам транзистора.
- •4.8.1.5 Связь между z,y и h - параметрами
- •4.8.2 Физические параметры и т-образная эквивалентная схема транзистора на низких частотах
- •4.8.3 Связь физических параметров с параметрами четырехполюсника
- •4.9. Влияние температуры и проникающей радиации на характеристики и параметры транзисторов.
- •4.10 Динамический режим работы транзистора.
- •4.10.1 Сущность динамического режима работы транзистора.
- •4.10.2 Принцип работы транзисторного усилителя.
- •4.10.3 Динамические (нагрузочные) характеристики.
- •4.10.3.1 Выходные динамические характеристики.
- •4.10.3.2 Входные динамические характеристики.
- •4.10.4 Динамические параметры.
- •4.10.5 Сравнительная оценка схем включения транзисторов.
- •4.11 Частотные свойства транзисторов.
- •4.11.1 Особенности работы транзисторов на высоких частотах
- •4.11.2 Влияние инерционности диффузионного движения носителей в базе (влияние времени пробега носителей)
- •4.11.3 Влияние емкостей переходов и распределенного сопротивления базы на частотные свойства транзисторов
- •4.11.4 Собственные шумы транзисторов
- •4.11.5 Ключевой режим работы транзистора
- •Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде «тэц и оэ – нрм».
- •Порядок выполнения работы
- •Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде 17д – 01.
- •Прядок выполнения работы
4.8.1.4 Определение низкочастотных h- параметров по характеристикам транзистора.
При работе транзисторов на низких частотах влиянием реактивностей можно пренебречь. В этом случае параметры транзистора являются чисто активными и обозначаются соответственно или h. Все комплексные величины, входящие в уравнение четырехполюсников, можно заменить на конечные приращения. Тогда уравнение четырехполюсника, например, в системе h примут следующий вид:
(4.14)
Численные значения этих параметров можно определить по статическим характеристикам транзистора теми же методами, что и для электронных ламп.
В качестве примера рассмотрим методику определения h-параметров транзистора, включенного по схеме с ОЭ. Рис.4.20.
а) б)
Рис.4.20.
Пусть режим задан рабочей точкой А ( ) и характеристикой транзистора. Параметры входной цепи и определяются по входным характеристикам (Рис.4.20а), для чего в рабочей точке строится характеристический треугольник АВС.
При постоянном напряжении задаем приращение напряжения на эмиттере
и определяем соответствующее ему приращение тока базы
.
Тогда входное сопротивление транзистора
Затем, при постоянном токе базы находим приращение коллекторного напряжения и определяем соответствующее ему приращение напряжения базы .
Тогда коэффициент обратной связи по напряжению
.
Параметры выходной цепи и можно определить по выходным характеристикам (Рис.4.20б).
Для определения выходной проводимости в рабочей точке А строится характеристический треугольник, для чего при постоянном токе базы задаем приращение коллекторного напряжения и находим получающееся при этом приращение тока коллектора . Тогда - выходная проводимость, См.
Затем при постоянном напряжении на коллекторе проводим через рабочую точку А линию, параллельную оси тока до пересечения с двумя соседними характеристиками и определяем приращение тока базы ., и соответствующее ему приращение тока коллектора . Тогда коэффициент передачи тока базы
.
Аналогично определяем параметры для других схем включения транзистора.
4.8.1.5 Связь между z,y и h - параметрами
Параметры одной системы могут быть выражены через параметры другой системы. Например, для перехода от H – параметров к Y – параметрам необходимо совместно решить следующие уравнения:
(4.15)
(4.16)
(4.17)
(4.18)
Определим из уравнений (4.15) ток :
(4.19)
Сравнивая (4.19) и (4.17), получаем:
; .
Подставим выражение (4.19) в уравнение (4.16) получим:
(4.20)
Сравнивая (4.20) с (4.18), получим:
; .
Формулы пересчета Z, Y и H - параметров приводятся в справочниках по полупроводниковым приборам.