
- •Предисловие
- •Общие рекомендации по работе над курсом «автоматизированный анализ устройств промышленной электроники»
- •2. Самостоятельное изучение
- •Раздел 1. Модели аналоговых компонентов электронных схем
- •Раздел 2. Графоаналитические и аналитические методы анализа аналоговых электронных схем
- •Раздел 3. Система схемотехнического моделирования micro-cap 6
- •Методические указания по изучению курса «автоматизированный анализ устройств промышленной электроники»
- •Раздел 1. Модели аналоговых компонентов электронных схем
- •Тема 1. Аппроксимация характеристик компонентов электронных схем
- •Вопросы и задания для самопроверки
- •Тема 2. Модели полупроводниковых приборов
- •Вопросы и задания для самопроверки
- •Раздел 2. Графоаналитические и аналитические методы анализа аналоговых электронных схем
- •Тема 3. Статический анализ электронных схем
- •Вопросы и задания для самопроверки
- •Тема 4. Малосигнальный анализ электронных схем
- •Вопросы и задания для самопроверки
- •Вопросы и задания для самопроверки
- •Вопросы и задания для самопроверки
- •Вопросы для самопроверки
- •Тема 8. Выполнение моделирование в программе micro-cap 6
- •Вопросы для самопроверки
- •Варианты контрольного задания
- •Задачи контрольного задания
- •Правила выполнения и оформления контрольных работ
- •Рустем Ирекович Калимуллин
- •Издательский отдел кгэу
- •420066, Казань, Красносельская, 51
- •420066, Казань, Красносельская, 51
Вопросы и задания для самопроверки
1. В чем заключается суть анализа устойчивости по критерию Гурвица?
2. В чем заключается суть анализа устойчивости по критерию Михайлова?
РАЗДЕЛ 3. СИСТЕМА СХЕМОТЕХНИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ MICRO-CAP 6
ТЕМА 7. ВВОД И РЕДАКТИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ В ПРОГРАММЕ MICRO-CAP 6
Литература: [3], глава 2, глава 4.
Вопросы для самопроверки
1. Сколько существует способов ввода полупроводниковых элементов? Назовите и кратко охарактеризуйте их на примере биполярного транзистора.
2. Какими буквами в программе обозначаются десятичные приставки «милли», «микро», «нано», «пико», «кило» и «мега»?
3. Как можно, не вводя все элементы схемы заново, нарисовать рядом ее копию?
4. Как можно изменить сопротивление уже введенного резистора?
5. Какой основной параметр указывается в программе для диода?
Тема 8. Выполнение моделирование в программе micro-cap 6
Литература: [3], глава 3.
Вопросы для самопроверки
1. Что откладывается по осям графика в анализе переходных процессов и частотном анализе?
2. Как в программе отображаются результаты анализа схемы по постоянному току (статического анализа)?
Варианты контрольного задания
Каждый студент выполняет задачи в соответствии со своим вариантом (смотри таблицу). Номер варианта обозначен последней цифрой номера зачетной книжки.
Номер варианта |
Номера задач |
||||
1 |
1 |
11 |
21 |
31 |
41 |
2 |
2 |
12 |
22 |
32 |
42 |
3 |
3 |
13 |
23 |
33 |
43 |
4 |
4 |
14 |
24 |
34 |
44 |
5 |
5 |
15 |
25 |
35 |
45 |
6 |
6 |
16 |
26 |
36 |
46 |
7 |
7 |
17 |
27 |
37 |
47 |
8 |
8 |
18 |
28 |
38 |
48 |
9 |
9 |
19 |
29 |
39 |
49 |
0 |
10 |
20 |
30 |
40 |
50 |
Задачи контрольного задания
1. По справочным вольт-амперным характеристикам диода Д2Б определить параметры его кусочно-линейной и нелинейной моделей при температуре окружающей среды 20С.
2. По справочным вольт-амперным характеристикам диода Д2В определить параметры его кусочно-линейной и нелинейной моделей при температуре окружающей среды 20С.
3. По справочным вольт-амперным характеристикам диода Д2Г определить параметры его кусочно-линейной и нелинейной моделей при температуре окружающей среды 20С.
4. По справочным вольт-амперным характеристикам диода Д2Д определить параметры его кусочно-линейной и нелинейной моделей при температуре окружающей среды 20С.
5. По справочным вольт-амперным характеристикам диода Д2Ж определить параметры его кусочно-линейной и нелинейной моделей при температуре окружающей среды 20С.
6. По справочным вольт-амперным характеристикам диода Д2И определить параметры его кусочно-линейной и нелинейной моделей при температуре окружающей среды 20С.
7. По справочным вольт-амперным характеристикам диода Д223 определить параметры его кусочно-линейной и нелинейной моделей при температуре окружающей среды 25С.
8. По справочным вольт-амперным характеристикам диода Д226 определить параметры его кусочно-линейной и нелинейной моделей при температуре окружающей среды 25С.
9. По справочным вольт-амперным характеристикам диода Д229А определить параметры его кусочно-линейной и нелинейной моделей при температуре окружающей среды 25С.
10. По справочным вольт-амперным характеристикам диода Д237А определить параметры его кусочно-линейной и нелинейной моделей при температуре окружающей среды 25С.
11. По справочным вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора 2Т333 определить параметры его малосигнальных моделей в h- и y-параметрах в усилительной области при токе базы Iб = 100 мкА и напряжении Uкэ = 5 В.
12. По справочным вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ710А определить параметры его малосигнальных моделей в h- и y-параметрах в усилительной области при токе базы Iб = 1 А и напряжении Uкэ = 5 В.
13. По справочным вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ826 (2Т826) определить параметры его малосигнальных моделей в h- и y-параметрах в усилительной области при токе базы Iб = 200 мкА и напряжении Uкэ = 5 В.
14. По справочным вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ827 (2Т827) определить параметры его малосигнальных моделей в h- и y-параметрах в усилительной области при токе базы Iб = 5 мА и напряжении Uкэ = 5 В.
15. По справочным вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ828 (2Т828) определить параметры его малосигнальных моделей в h- и y-параметрах в усилительной области при токе базы Iб = 1А и напряжении Uкэ = 5 В.
16. По справочным вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ834 (2Т834) определить параметры его малосигнальных моделей в h- и y-параметрах в усилительной области при токе базы Iб = 500 мА и напряжении Uкэ = 5 В.
17. По справочным вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора 2Т839А определить параметры его малосигнальных моделей в h- и y-параметрах в усилительной области при токе базы Iб = 0,5 А и напряжении Uкэ = 5 В.
18. По справочным вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ847А определить параметры его малосигнальных моделей в h- и y-параметрах в усилительной области при токе базы Iб = 0,4 А и напряжении Uкэ = 3 В.
19. По справочным вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ863А определить параметры его малосигнальных моделей в h- и y-параметрах в усилительной области при токе базы Iб = 0,1 А и напряжении Uкэ = 5 В.
20. По справочным вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ884А определить параметры его малосигнальных моделей в h- и y-параметрах в усилительной области при токе базы Iб = 200 мА и напряжении Uкэ = 5 В.
21. Для приведенной на рис. 1 схемы определить потенциалы всех узлов и токи всех ветвей. J = 2 А, R1 = 1 Ом, R2 = 5 Ом, R3 = 3 Ом, R4 = 2 Ом, R5 = 10 Ом, R6 = 1 Ом.
22. Для приведенной на рис. 2 схемы определить потенциалы всех узлов и токи всех ветвей. E = 15 В, R1 = 6 Ом, R2 = 5 Ом, R3 = 4 Ом, R4 = 3 Ом, R5 = 2 Ом, R6 = 1 Ом.
23. Для приведенной на рис. 1 схемы определить потенциалы всех узлов и токи всех ветвей. J = 0,2 А, R1 = 10 Ом, R2 = 15 Ом, R3 = 30 Ом, R4 = 2 кОм, R5 = 100 Ом, R6 = 1 кОм.
24. Для приведенной на рис. 2 схемы определить потенциалы всех узлов и токи всех ветвей. Е = 12 В, R1 = 12 Ом, R2 = 25 Ом, R3 = 35 Ом, R4 = 2 кОм, R5 = 10 Ом, R6 = 15 Ом.
25. Для приведенной на рис. 1 схемы определить потенциалы всех узлов и токи всех ветвей. J = 0,2 А, R1 = 10 Ом, R2 = 50 Ом, R3 = 35 Ом, R4 = 22 кОм, R5 = 100 Ом, R6 = 100 Ом.
26. Для приведенной на рис. 2 схемы определить потенциалы всех узлов и токи всех ветвей. Е = 1 В, R1 = 15 Ом, R2 = 25 Ом, R3 = 35 Ом, R4 = 2 кОм, R5 = 10 кОм, R6 = 1 кОм.
27. Для приведенной на рис. 1 схемы определить потенциалы всех узлов и токи всех ветвей. J = 0,02 А, R1 = 15 Ом, R2 = 15 Ом, R3 = 30 Ом, R4 = 20 Ом, R5 = 10 Ом, R6 = 100 Ом.
28. Для приведенной на рис. 2 схемы определить потенциалы всех узлов и токи всех ветвей. Е = 15 В, R1 = 5 Ом, R2 = 3 Ом, R3 = 4 Ом, R4 = 2 Ом, R5 = 6 Ом, R6 = 1 Ом.
29. Для приведенной на рис. 1 схемы определить потенциалы всех узлов и токи всех ветвей. J = 20 А, R1 = 1 кОм, R2 = 15 кОм, R3 = 30 Ом, R4 = 10 Ом, R5 = 100 Ом, R6 = 25 Ом.
30. Для приведенной на рис. 2 схемы определить потенциалы всех узлов и токи всех ветвей. Е = 15 В, R1 = 20 кОм, R2 = 15 кОм, R3 = 30 Ом, R4 = 250 Ом, R5 = 100 Ом, R6 = 5 кОм.
31. Провести частотный анализ представленного на рис. 3 активного фильтра и получить выражения для АЧХ и ФЧХ его коэффициента передачи по напряжению. R1 = 1 кОм, R2 = 2 кОм, R3 = 5 кОм, С = 5 нФ. Операционный усилитель считать идеальным.
32. Провести частотный анализ представленного на рис. 4 активного фильтра и получить выражения для АЧХ и ФЧХ его коэффициента передачи по напряжению. R1 = 2 кОм, R2 = 4 кОм, R3 = 10 кОм, С = 20 нФ. Операционный усилитель считать идеальным.
33. Провести частотный анализ представленного на рис. 3 активного фильтра и получить выражения для АЧХ и ФЧХ его коэффициента передачи по напряжению. R1 = 3 кОм, R2 = 6 кОм, R3 = 15 кОм, С = 5 нФ. Операционный усилитель считать идеальным.
34. Провести частотный анализ представленного на рис. 4 активного фильтра и получить выражения для АЧХ и ФЧХ его коэффициента передачи по напряжению. R1 = 4 кОм, R2 = 6 кОм, R3 = 10 кОм, С = 10 нФ. Операционный усилитель считать идеальным.
35. Провести частотный анализ представленного на рис. 3 активного фильтра и получить выражения для АЧХ и ФЧХ его коэффициента передачи по напряжению. R1 = 5 кОм, R2 = 10 кОм, R3 = 20 кОм, С = 2 нФ. Операционный усилитель считать идеальным.
36. Провести частотный анализ представленного на рис. 4 активного фильтра и получить выражения для АЧХ и ФЧХ его коэффициента передачи по напряжению. R1 = 3 кОм, R2 = 5 кОм, R3 = 20 кОм, С = 15 нФ. Операционный усилитель считать идеальным.
37. Провести частотный анализ представленного на рис. 3 активного фильтра и получить выражения для АЧХ и ФЧХ его коэффициента передачи по напряжению. R1 = 20 кОм, R2 = 25 кОм, R3 = 100 кОм, С = 300 пФ. Операционный усилитель считать идеальным.
38. Провести частотный анализ представленного на рис. 4 активного фильтра и получить выражения для АЧХ и ФЧХ его коэффициента передачи по напряжению. R1 = 1 кОм, R2 = 100 Ом, R3 = 3 кОм, С = 500 пФ. Операционный усилитель считать идеальным.
39. Провести частотный анализ представленного на рис. 3 активного фильтра и получить выражения для АЧХ и ФЧХ его коэффициента передачи по напряжению. R1 = 200 Ом, R2 = 1 кОм, R3 = 5 кОм, С = 20 нФ. Операционный усилитель считать идеальным.
40. Провести частотный анализ представленного на рис. 4 активного фильтра и получить выражения для АЧХ и ФЧХ его коэффициента передачи по напряжению. R1 = 200 Ом, R2 = 100 Ом, R3 = 50 кОм, С = 1 нФ. Операционный усилитель считать идеальным.
41. Провести анализ устойчивости схемы активного фильтра из задачи 31 по критериям Гурвица и Михайлова.
42. Провести анализ устойчивости схемы активного фильтра из задачи 32 по критериям Гурвица и Михайлова.
43. Провести анализ устойчивости схемы активного фильтра из задачи 33 по критериям Гурвица и Михайлова.
44. Провести анализ устойчивости схемы активного фильтра из задачи 34 по критериям Гурвица и Михайлова.
45. Провести анализ устойчивости схемы активного фильтра из задачи 35 по критериям Гурвица и Михайлова.
46. Провести анализ устойчивости схемы активного фильтра из задачи 36 по критериям Гурвица и Михайлова.
47. Провести анализ устойчивости схемы активного фильтра из задачи 37 по критериям Гурвица и Михайлова.
48. Провести анализ устойчивости схемы активного фильтра из задачи 38 по критериям Гурвица и Михайлова.
49. Провести анализ устойчивости схемы активного фильтра из задачи 39 по критериям Гурвица и Михайлова.
50. Провести анализ устойчивости схемы активного фильтра из задачи 40 по критериям Гурвица и Михайлова.
Рис. 1 Рис. 2
Рис. 3 Рис. 4