Методические указания по изучению курса «автоматизированный анализ устройств промышленной электроники»

Программа курса состоит из трех разделов, которые разбиты на 8 тем. Ниже по каждой теме приводятся ссылки с указанием источника, где излагается данная тема. Номер учебника, указанный в квадратных скобках, соответствует его номеру в списке литературы. В конце каждого раздела приведены вопросы и задания для самопроверки, к которым следует приступать после изучения соответствующей темы.

Раздел 1. Модели аналоговых компонентов электронных схем

Тема 1. Аппроксимация характеристик компонентов электронных схем

Литература: [1], с. 11–17; [2], с. 36–38, 41–42.

Вопросы и задания для самопроверки

1. В чем сущность кусочно-линейной аппроксимации нелинейного элемента?

2. Назовите основные способы нелинейной аппроксимации элемента.

3. В чем сущность нелинейной аппроксимации элемента методом выбранных точек?

4. В чем сущность нелинейной аппроксимации элемента методом выравнивания? Для нахождения параметров моделей каких полупроводниковых элементов этот метод применяется?

Тема 2. Модели полупроводниковых приборов

Литература: [1], с. 17–31.

Вопросы и задания для самопроверки

1. Зарисуйте нелинейную модель диода и назовите ее элементы.

2. Приведите кусочно-линейную модель стабилитрона и объясните, как получить значения ее параметров.

3. Зарисуйте модель Эберса-Молла для биполярного транзистора и назовите ее элементы.

4. Охарактеризуйте h-параметры транзистора. Как они связаны с y-параметрами?

5. Изобразите модель полевого транзистора для статического анализа и назовите ее параметры.

5. Изобразите малосигнальную модель полевого транзистора и назовите ее параметры.

Раздел 2. Графоаналитические и аналитические методы анализа аналоговых электронных схем

Тема 3. Статический анализ электронных схем

Литература: [2], с. 67–72; 102–107; [4], с. 32–44.

Вопросы и задания для самопроверки

1. Как видоизменяют схему перед проведением статического анализа?

2. Как складываются ВАХ при построении обобщенной характеристики двух последовательных нелинейных элементов?

3. Как складываются ВАХ при построении обобщенной характеристики двух параллельных нелинейных элементов?

4. Существуют ли ограничения к применению метода построения нагрузочных прямых при статическом анализе?

Тема 4. Малосигнальный анализ электронных схем

Литература: [1], с. 49–62.

Вопросы и задания для самопроверки

1. Как видоизменяют схему перед проведением малосигнального анализа?

2. В чем суть обобщенного матричного метода узловых потенциалов при проведении малосигнального анализа?

3. Запишите собственные матрицы проводимостей для биполярного и полевого транзисторов.

4. В чем особенности малосигнального анализа схемы с идеальными операционными усилителями?

ТЕМА 5. МАЛОСИГНАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ В ЧАСТОТНОЙ ОБЛАСТИ

Литература: [1], с. 63–65.

Вопросы и задания для самопроверки

1. Как видоизменяют схему перед проведением частотного анализа?

2. Как из выражения схемной функции в комплексном виде получить амплитудно-частотную характеристику?

3. Как из выражения схемной функции в комплексном виде получить фазо-частотную характеристику?

ТЕМА 6. АНАЛИЗ УСТОЙЧИВОСТИ СХЕМ

Литература: [1], с. 66–68.