М инистерство инфраструктуры Украины ______________________________________________________________

Одесская национальная академия связи им. А.С. Попова

Кафедра телевидения и радиовещания

Курсовая работа

по дисциплине «Конструирование РЭА»

на тему «Охлаждение теплонагруженных элементов»

Выполнил: студент гр. Р4.01

Нестерук о.А

Руководитель: Шевченко Ю.П.

Одесса 2011

Министерство транспорта и связи Украины

_______________________________________________________________

Государственный департамент по вопросам связи и информатизации

Одесская национальная академия связи им. А.С. Попова

Кафедра телевидения и радиовещания

Задание на курсовую работу

из курса КРЭА

студенту Нестеруку Олегу гр.Р – 4.2.01

1. Номинальная мощность ___________________150 Вт______________________

2. Диапазон рабочих частот____________________65МГц____________________

3. Температура_______________________________25ºС_______________________

“____”_______________ в 2011 г. Руководитель:_Шевченко_Ю.П.__

СОСТАВ КУРСОВОЙ РАБОТЫ

Работадолжена содержать:

1. текстовую и графическую части

2. демонстрационный лист.

Содержание текстовой части

1. Выбор транзистора

2. Расчет заданного режима

3. Расчет согласующей цепи

4. Принципиальная схему каскада

5. Расчет параметров радиатора охлаждения

6. Расчет конструктивных параметров индуктивных элементов

7. Выбор типовых элементов R, C.

8. Эскиз конструкции усилительного модуля

9. Выводы.

Содержание

1. Выбор транзистора…………………………………………………….. 4

2. Расчет режима………………………………………………………….. .4

   1. Расчет стоковой цепи……………………………………………………….. ...4

   2. Расчет входной цепи……………………………………………………...6

3. Расчет согласующей цепи……………………………………………... 7

   1. Расчет конструктивных параметров индуктивных элементов……… 8

4. Принципиальная схема каскада……………………………………… 9

5. Расчет параметров радиатора охлаждения…………………………...9

   1. Охлаждение теплонагруженных элементов…………………………… …9

   2. Определение радиатора охлаждения и расчет его параметры….…...9

6. Выбор типовых элементовR и С………………………………………13

   1. Выбор резистора R………………………………………………………………13

   2. Выбор конденсатора С…………………………………………………………14

7. Эскиз конструкции усилительного модуля………………………….16

8. Литература ……………………………………………………………....17

1. Выбор транзистора

По заданным параметрам:

выбираем транзистор:BLF177

Тип транзистора	, МГц	, Вт	( )	, B
BLF177	108	150	15…19	50

2. Расчет заданный режим

Параметры транзистора, необходимые для расчета режима, приведены в таблице 2.1.

Таблица 2.1

Тип транзис-тора					,пФ
BLF177	4…6	0,2… 0,3	40	4	480	14	190

0,2	1	0.01	0	1,2	0,7	1,5	110		25