Часть 2. Исследование вах диода Шоттки
2.1 Собрать схему, изображенную на рис. 1.7. В качестве исследуемого элемента выбрать диод Шоттки. Марку диода следует выбирать из таблицы 3 в соответствии с номером подгруппы. Параметры элементов задать в соответствии с рис. 1.7.
рис. 1.7
Таблица 3
Вариант |
Марка диода Шоттки |
Напряжение пробоя, В |
Максимальный прямой ток, А |
1 |
10BQ015 |
19 |
|
2 |
8EQ045 |
50 |
|
3 |
10BQ040 |
46 |
|
4 |
BAT81 |
46 |
|
5 |
BAT14_098 |
6.1 |
|
6 |
MBR340 |
51 |
|
2.2. Получить данные для построения прямой ветви ВАХ диода Шоттки. Для чего изменяя величину ЭДС источника от 0 В до 1 В с шагом в 0.1 В, занести показания приборов амперметра U1 и вольтметра U2 в таблицу 4. Полученные данные позволяют построить начальную часть прямой ветви ВАХ диода Шоттки.
Для построения оставшейся части прямой ветви ВАХ диода определить максимальное значение ЭДС Еmax источника ЭДС, при котором обеспечивается максимальный прямой ток диода, используя выражение:
,
где Imax
- максимальный ток диода (см. таблицу
3). Изменяя величину ЭДС источника от 1
В до Еmax
с примерно равным шагом, провести 4
измерения и занести показания приборов
амперметра U1 и вольтметра U2 в таблицу
4.
Таблица 4
ЭДС, В |
0 |
0.1 |
0.2 |
0.3 |
… |
Ia , мА |
|
|
|
|
|
Uak , В |
|
|
|
|
|
2.3 Построить прямую ветвь ВАХ диода (графическую зависимость прямого тока через диод от напряжения Uak) используя данные из таблицы 4.
2.4 Получить данные для построения обратной ветви ВАХ диода. Для чего:
а. изменить полярность источника ЭДС. Это можно сделать двумя способами:
- отсоединить источнике ЭДС от остальной цепи и «перевернуть» (щелкнуть правой кнопкой мыши на источнике ЭДС, затем выбрать Flip Vertical), а затем снова соединить проводами с остальной цепью;
- задать отрицательное значение ЭДС источника.
б. увеличить значение сопротивления резистора до 200 кОм (установить 200k в параметре Resistance).
в. изменяя величину напряжения источника ЭДС от 0 В до напряжения пробоя (см. таблицу 3) с примерно равным шагом, позволяющим выполнить 5 - 6 измерений, провести измерения и занести показания приборов амперметра U1 и вольтметра U2 в таблицу 5, аналогичную таблице 4.
1.5 Построить обратную ветвь ВАХ диода (графическую зависимость прямого тока через диод от напряжения Uak) используя данные из таблицы 5.
Выводы
На основании анализа и сравнения ВАХ полупроводникового диода (Si) и диода Шоттки сделать выводы об отличии характеристик диодов и возможных областях применения рассмотренных диодов.