Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Вопросы к ГОСАМ ВМКСС 0704.docx
Скачиваний:
29
Добавлен:
27.04.2019
Размер:
2.8 Mб
Скачать

15. Организация памяти эвм. Статические и динамические озу.

ЗУ с произвольным обращением обычно содержит множество одинаковых запоминающих элементов, образующих запоминающий массив (ЗМ). ЗМ разделен на отдельные ячейки, число разрядов в которых равно ширине выборки памяти. Способ организации памяти зависит от метода размещения и поиска информации в ЗУ. По этому признаку различают адресную, ассоциативную и стековую память.

АДРЕСНАЯ ПАМЯТЬ

В такой памяти размещение и поиск информации в ЗУ основаны на использовании адреса байта или слова. Адресом служит порядковый номер ячейки ЗМ, в которой это слово размещается. Структурная схема адресной памяти объемом N n-разрядных слов имеет следующий вид

 

При каждом обращении к ЗУ необходимо указывать номер (адрес) ячейки памяти, в которой размещается нужная информация. Для приема адреса А служит регистр адреса RGA. Этот адрес дешифруется дешифратором адреса DC, который формирует сигнал на одном из своих выходов. При этом номер этого выхода равен самому адресу А. Таким образом, дешифратор DC указывает номер ячейки памяти, к которой происходит обращение. При чтении информации из ЗУ устройство управления формирует управляющий сигнал «чтение», под действием которого прочитанное из ЗУ слово поступает в усилители чтения, а оттуда в регистр информации RGI.

Занесение прочитанного слова в RGI происходит под действием управляющего сигнала “Прием информации из ЗМ”. Аналогично происходит запись информации в ЗМ. При этом записываемое слово поступает с ШD в регистр RGI, а оттуда через усилитель записи под действием сигнала «запись» в выбранную ячейку ЗМ. Любой цикл обращения к памяти инициируется поступлением сигнала «обращение». На УУ поступают также сигналы «чтение» и «запись», которые указывают вид выполняемой в ЗУ операции (запись или чтение).

Для построения адресной памяти используются микросхемы памяти, в состав которых кроме ЗМ входят также усилители чтения и записи, а также дешифратор памяти.

АССОЦИАТИВНАЯ ПАМЯТЬ

В памяти этого типа поиск нужной информации производится не по адресу, а по содержанию самой информации (т.е. по ассоциативному признаку). При этом поиск по ассоциативному признаку происходит параллельно во времени для всех ячеек памяти. Ассоциативный поиск позволяет существенно упростить и ускорить обработку данных. Это достигается за счет того, что в такой памяти операция чтения информации совмещена с выполнением ряда логических операций. Например, можно выполнять такие операции, как:

1  поиск максимального или  минимального числа в ЗУ;

2 поиск слов, заключенных в определенные границы;

3 поиск слов, ближайших к ассоциативному признаку, как с большей, так и с меньшей стороны и т.д.

Простейшая ассоциативная память обычно выполняет единственную операцию по выборке слов, чей признак совпадает с ассоциативным признаком.

СТЕКОВАЯ ПАМЯТЬ

Стековая память также как и ассоциативная, является безадресной, она представляет собой совокупность ячеек, образующих одномерный массив, в котором соседние ячейки связаны друг с другом разрядными цепями передачи слов. Запись слов всегда производится в верхнюю нулевую ячейку. При этом все ранее записанные слова сдвигаются вниз на одну ячейку.

0

 

1

 

2

 

 

:

Слово, находившееся ранее в 0-ой ячейке, переходит в 1-ую, из 1-ой во 2-ую и так далее.

Чтение также производится из верней ячейки. Если чтение производится с удалением слова из стека ячейки с меньшим номером. В такой последовательности порядок чтения слов соответствует правилу: «последним поступил – первым обслужен». Чтение производится в порядке обратном порядку записи.

Динамическое ОЗУ.

Динамическое ОЗУ основывается на конденсаторах. Сегодня оперативная память персонального компьютера выполняется на микросхемах динамической памяти, в которых для каждой ячейки памяти используется один транзистор. Правда, транзистор применяется для управления, а запоминающим элементом служит конденсатор, который можно либо зарядить до величины логической "1", либо разрядить до логического "0". Микросхемы такого типа не только позволяют на ограниченной площади кристалла кремния создавать запоминающие матрицы огромной емкости, но и наиболее дешевы в производстве. В то же время, сокращение числа элементов в триггере до минимума кроме плюсов дает неприятный эффект — запоминающие конденсаторы очень быстро разряжаются, и уже через десяток миллисекунд отличить "1" от "0" невозможно. Но величина в миллисекунду - это для компьютера весьма большое время, в течение которого можно сделать очень многое. Поэтому инженеры придумали способ восстанавливать заряд конденсатора. Надо каждые 2 миллисекунды подключать конденсатор к шине питания. Если он хранит единицу, то конденсатор восстанавливает потерянное во время саморазряда напряжение логической единицы. Если конденсатор хранил "0", то подзарядки не будет. Такой способ восстановления информации называется регенерацией памяти.

Порядок доступа - по строкам. Память организована в двумерную (строки-колонки) или трёхмерную (банки-строки-колонки) структуру. Для доступа к ячейке памяти необходим сначала выбор строки, затем столбца.

Скорость доступа - зависит от порядка обращения. Доступ к ячейкам внутри строки производится очень быстро. Переключение между строками гораздо медленнее (в 2—8 раз). Помимо этого требуется перемежение с циклами регенерации.

Энергопотребление - среднее. Во время простоя необходима регенерация.

Физическая реализация ячеек памяти - конденсатор и один-два транзистора. Стоимость изготовления гораздо ниже, чем у статической.

Статическое ОЗУ.

В ЭВМ часто  требуется хранение временной информации, значение которой не важно при включении устройства. Такую память можно было бы построить на микросхемах EEPROM или FLASH -памяти, но, к сожалению, эти микросхемы дороги, обладают малым количеством перезаписей и чрезвычайно низким быстродействием при считывании и особенно записи информации. Для хранения временной информации можно воспользоваться параллельными регистрами. Так как запоминаемые слова не нужны одновременно, то можно воспользоваться механизмом адресации, который применяется в ПЗУ.

Схемы, в которых в качестве запоминающей ячейки используется параллельный регистр называются статическим оперативным запоминающим устройством - статическим ОЗУ (RAM - random access memory - память с произвольным доступом), т.к. информация в нем сохраняется все время, пока к микросхеме ОЗУ подключено питание. В отличие от статической ОЗУ в микросхемах динамического ОЗУпостоянно требуется регенерировать их содержимое, иначе информация будет испорчена.

В микросхемах ОЗУ присутствуют две операции: операция записи и операция чтения. Для записи и чтения информации можно использовать различные шины данных (как это делается в сигнальных процессорах), но чаще используется одна и та же шина данных. Это позволяет экономить внешние выводы микросхем, подключаемых к этой шине и легко осуществлять коммутацию сигналов между различными устройствами.