21. Новые типы динамической памяти: edram, cdram, sdram, rdram, sldram.

EDRAM (англ. embedded DRAM — встраиваемая DRAM) — DRAM-память на основе конденсаторов, как правило встраиваемая в тот же самый чип или в ту же самую систему, что и основной ASIC или процессор, в отличие от внешних модулей DRAM и SRAM на основе транзисторов, обычно используемой для кэшей.

Встраивание предусматривает использование более широких шин и более высоких скоростей работы чем при использовании дискретных DRAM модулей. При использовании EDRAM вместо SRAM на чипах, за счет более высокой плотности потенциально может быть реализовано примерно в 3 раза большее количество памяти на той же площади. В силу иной технологии, необходимой для создания памяти DRAM, в производство КМОП-чипов с EDRAM добавляется несколько дополнительных шагов, что удорожает производство.

EDRAM, как и любая другая DRAM память, требует переодического обновления хранящихся данных, что усложняет ее по сравнению с SRAM. Однако, контроллер обновлений EDRAM может быть интегрирован в нее, и тогда чип работает с памятью так же как с SRAM, например такой как 1T-SRAM.

SDRAM (англ. Synchronous Dynamic Random Access Memory) — синхронная динамическая память с произвольным доступом) — тип запоминающего устройства, использующегося в компьютере в качестве ОЗУ.

В отличие от других типов DRAM, использовавших асинхронный обмен данными, ответ на поступивший в устройство управляющий сигнал возвращается не сразу, а лишь при получении следующего тактового сигнала. Тактовые сигналы позволяют организовать работу SDRAM в виде конечного автомата, исполняющего входящие команды. При этом входящие команды могут поступать в виде непрерывного потока, не дожидаясь, пока будет завершено выполнение предыдущих инструкций (конвейерная обработка): сразу после команды записи может поступить следующая команда, не ожидая, когда данные окажутся записаны. Поступление команды чтения приведёт к тому, что на выходе данные появятся спустя некоторое количество тактов — это время называется задержкой (англ. SDRAM latency) и является одной из важных характеристик данного типа устройств

Циклы обновления выполняются сразу для целой строки, в отличие от предыдущих типов DRAM, обновлявших данные по внутреннему счётчику, используя способ обновления по команде CAS перед RAS.

RDRAM — cтандарт оперативной памяти, разработанный компанией Rambus в сотрудничестве с Intel в 1996 году. Высокие частоты памяти обеспечивали 99 % загрузку канала, в то время, когда у конкурирующих стандартов загрузка достигала максимум 70 %. Пропускная способность памяти 1 Гб\с, а позже и фантастические 4 Гб\с.

SLDRAM- разработана для применения в самом широком спектре ПК — от настольных и мобильных компьютеров до высокопроизводительных рабочих станций и серверов. Это достигается благодаря высокой пропускной действительной способности и эффективности, маленьким задержкам, низкому энергопотреблению, легкой возможности наращивания объема и расширяемости (масштабирования) для обеспечения широкой и/или глубокой иерархии конфигурации подсистемы памяти. Микросхема SLDRAM предоставляет собой внутрикристальную конфигурацию множественных независимых логических банков, обеспечивает быстрые циклы обращения шины (Bus Turnaround) при проведении операций чтения/записи и способность работать в полностью конвейеризированном пакетном режиме. Адресация SLDRAM происходит согласно всем основным требованиям, предъявляемым к динамической памяти в целом, однако имеет довольно серьезные особенности, основанные на полностью пакетном протоколе, что исключает совместимость с любыми другими архитектурами, делая данную уникальной.