
- •1 Вся элементная база в современном мире делятся на 4 группы
- •2 Основные параметры резисторов
- •3 Классификация резисторов
- •4 Система условных обозначений и маркировка резисторов
- •7. Температурный коэффициент сопротивления(ткс).
- •8. Классификация конденсаторов
- •9.Конденсаторы
- •Удельная ёмкость
- •Плотность энергии
- •Номинальное напряжение
- •Полярность
- •Опасность разрушения (взрыва)
- •Паразитные параметры
- •Электрическое сопротивление изоляции конденсатора — r
- •Эквивалентное последовательное сопротивление — r
- •Эквивалентная последовательная индуктивность — l
- •Саморазряд
- •Тангенс угла диэлектрических потерь
- •Температурный коэффициент ёмкости (тке)
- •Диэлектрическая абсорбция
- •Пьезоэффект
- •Самолечение
- •10. По виду диэлектрика различают:
- •11 Влияние внешних факторов на параметры конденсаторов, практическое определение параметров.
- •12 Трансформаторы. Классификация и принцип действия.
- •Основные и паразитные параметры катушек индуктивности.
- •16.Дроселли: обозначение, особенности конструкции и область применения.
- •17. Классификация полупроводниковых диодов.
- •18. Обозначение и маркировка полупроводниковых диодов.
- •19. Полупроводниковые диоды: вольтамперная характеристика и основные параметры.
- •20. Классификация транзисторов обозначение и маркировка.
- •21. Характеристики и основные параметры транзисторов.
- •Применение транзисторов
- •24. Светоизлучающий диод: принцип работы, область применения, основные параметры и характеристики.
- •Преимущества
- •26. Оптопары. Классификация, принцип действия и область применения.
- •28. Виды фотоприемников. Принцип работы.
- •29. Основные параметры и характеристики фотоприемников.
- •30. Фотодиод. Принцип работы, параметры и характеристики.
- •31. Фоторезистор(фр): принцип работы. Параметры и характеристики.
- •32. Когерентная оптоэлектроника. Лазеры. Классификация и основные параметры.
- •33. Структурная схема лазера. Принцип работы и область применения.
- •34.Волоконно-оптические линии связи, структурная схема, параметры.
- •35. Классификация элементов индикации. Принцип действия и параметры газоразрядных индикаторов.
- •38 Вакумно-иллюминисцентный индикатор
- •39 Классификация коммутационных устройств
- •37 Жидкокристалические индикаторы
- •36 Светоизлучающий диод
- •40 Классификация контактных устройств
- •41. Основные характеристики, параметры и виды электромагнитных реле.
- •42.Lc фильтры: схемы, параметры и характеристики.
- •43. Rc фильтры: схемы, параметры и характеристики.
- •44.Фильтры на поверхности акустических волн.
- •45. Фильтры на приборах с зарядовой связью.
- •47 Линия задержки
- •48 Электрические линии задержки
- •49 Ультразвуковые лз
30. Фотодиод. Принцип работы, параметры и характеристики.
Фотодиод — приёмник оптического излучения, который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрический заряд за счёт процессов в p-n-переходе.
Фотодиод, работа которого основана на фотовольтаическом эффекте (разделение электронов и дырок в p- и n- области, за счёт чего образуется заряд и ЭДС), называется солнечным элементом. Кроме p-n фотодиодов, существуют и p-i-n фотодиоды, в которых между слоями p- и n- находится слой нелегированного полупроводника i. p-n и p-i-n фотодиоды только преобразуют свет в электрический ток, но не усиливают его, в отличие от лавинных фотодиодов и фототранзисторов.
Принцип работы:
При воздействии квантов излучения в базе происходит генерация свободных носителей, которые устремляются к границе p-n-перехода. Ширина базы (n-область) делается такой, чтобы дырки не успевали рекомбинировать до перехода в p-область. Ток фотодиода определяется током неосновных носителей — дрейфовым током. Быстродействие фотодиода определяется скоростью разделения носителей полем p-n-перехода и ёмкостью p-n-перехода Cp-n
Фотодиод может работать в двух режимах:
- фотогальванический — без внешнего напряжения
- фотодиодный — с внешним обратным напряжением
Особенности:
- простота технологии изготовления и структуры
- сочетание высокой фоточувствительности и быстродействия
- малое сопротивление базы
- малая инерционность.
Параметры:
чувствительность
отражает изменение электрического состояния на выходе фотодиода при подаче на вход единичного оптического сигнала. Количественно чувствительность измеряется отношением изменения электрической характеристики, снимаемой на выходе фотоприёмника, к световому потоку или потоку излучения, его вызвавшему.
;
—
токовая чувствительность по световому
потоку
;
—
вольтаическая чувствительность по
энергетическому потоку
шумы
помимо полезного сигнала на выходе фотодиода появляется хаотический сигнал со случайной амплитудой и спектром — шум фотодиода. Он не позволяет регистрировать сколь угодно малые полезные сигналы. Шум фотодиода складывается из шумов полупроводникового материала и фотонного шума.
Характеристики:
вольт-амперная характеристика (ВАХ)
зависимость выходного напряжения от входного тока. UΦ = f(IΦ)
спектральные характеристики
зависимость фототока от длины волны падающего света на фотодиод. Она определяется со стороны больших длин волн шириной запрещённой зоны, при малых длинах волн большим показателем поглощения и увеличения влияния поверхностной рекомбинации носителей заряда с уменьшением длины волны квантов света. То есть коротковолновая граница чувствительности зависит от толщины базы и от скорости поверхностной рекомбинации. Положение максимума в спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от степени роста коэффициента поглощения.
световые характеристики
зависимость фототока от освещённости, соответствует прямой пропорциональности фототока от освещённости. Это обусловлено тем, что толщина базы фотодиода значительно меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда. То есть практически все неосновные носители заряда, возникшие в базе, принимают участие в образовании фототока.
постоянная времени
это время, в течение которого фототок фотодиода изменяется после освещения или после затемнения фотодиода в е раз (63 %) по отношению к установившемуся значению.
темновое сопротивлениесопротивление фотодиода в отсутствие освещения. инерционность.