
- •2. Строение атома. Понятие об энергетических уровнях и зонах твёрдого тела. Классификация и строение веществ в соответствии с зонной теорией твёрдого тела.
- •3. Электрофизические свойства полупроводников. Примесные полупроводники, структура, виды носителей зарядов, свойства.
- •П яти валентная примесь.
- •4. Электронно-дырочный переход его свойства.
- •5 . Поведение p-n-структуры при воздействии прямого и обратного напряжений.
- •7. Явления в структурах Ме-п/п, Ме-д/э-п/п.
- •8) Классификация, типы и свойства п/п-диодов.
- •10. Явления в pnp, npn – структурах. Принцип действия биполярного транзистора.
- •11. Схема включения транзистора с об. Характеристики, основные параметры.
- •12. Схема включения транзистора с оэ. Характеристики, основные параметры.
- •13. Схема включения транзистора с ок, характеристики, основные параметры.
- •15) Синтез транзистора как активного четырехполюсника, h-параметры.
- •16. Расчёт h-парам-ов для сх. Транз-ра с оэ.
- •17. Расчёт h-парам-ов для сх. Транз-ра с об.
- •18. Полевые транзисторы с pn-затвором: принцип действия, параметры, характеристики.
- •19. Полевые транзисторы с изолированным затвором: (мдп), принцип действия, параметры, характеристики.
- •20.Полевые транзисторы со встроенным каналом: (мдп), принцип действия, параметры, характеристики.
- •21) Полевые транзисторы с индуцированным каналом: (мдп), принцип действия, параметры, характеристики.
- •23. Тиристоры, виды, принцип действия динисторов, тиристоров, симисторов, их характеристики.
- •24) Общая характеристика транзисторных усилителей. Основные параметры и характеристики транзисторных усилителей (Ku, Rвх, Rвых, f, ачх, фчх, Кн, Кг).
- •25. Каскады унч на бт, схемы, характеристики, режимы работы.
- •26. Каскады унч на пт, схемы, характеристики, режимы работы.
- •27. Виды межкаскадной связи в усилителях. Ачх усилителя с ёмкостной связью.
- •28. Передаточная динамическая хар-ка каскада и режимы его работы.
- •29. Схемотехника выходных каскадов усилителей. Передают мощн. В цепь нагр. От источника питания. Осн. Требование: высокий кпд. Они строятся на однотактных и двухтактных схемах.
- •30. Классификация ос в усилителях. Влияние коэффициента ос на Ку усилителя при пос/V.
- •Поэтому
- •31. Классификация ос в усилителях. Влияние коэффициента ос на Ку усилителя при оос/V.
- •32. Влияние ос на характеристики усилителей (стабильность ку, rвх, rвых, полосу пропускания).
- •33. Ключевые схемы на пт и бт. Энергетика ключевой схемы.
- •34. Ключевые схемы на пт. Эмиттерный повторитель, схемотехника, особенности, пути повышения входного сопротивления эмиттерного повторителя.
- •35. Компенсационные стабилизаторы напряжения (ксн): типы, структура, принцип работы, энергетика. Ксн: схемотехника, анализ поведения схемы при изменении входного напряжения и тока нагрузки.
- •36. Оптоэлектронные элементы (оэ). Источники излучения: определения, принцип работы, режимы питания и схемы включения сид.
- •37. Оэ. Фотоприемники: основные характеристики и параметры, принцип работы. Фоторезисторы.
- •38. Оэ. Фотодиоды: режимы работы, характеристики, параметры, применение.
- •39. Оэ. Фототранзисторы: принцип работы, характеристики, применение.
- •40. Оптоэлектронные приборы. Фототиристоры: принцип работы, характеристики, применение.
- •41. Оптопары: резисторные и диодные. Схемотехнические примеры применения в технике.
- •42. Оптопары: транзисторные и тиристорные. Применение в автоматических устройствах.
- •43, 44. Применение фоточувствительных приборов в схемах усилителей и устройствах автоматики. Применение фототиристоров в устройствах автоматики.
- •Фототиристоры:
- •Этот процесс сопровождается разрядом внутри паразитного конденсатора
- •47. Структура, принцип действия и характеристики бтиз.
- •48. Эквивалентная схема, процессы переключения бтиз.
- •49. Дифференциальный каскад. Принцип работы, оос по току. Реакция каскада на воздействие синфазного сигнала, помехи и на различные варианты асинфазных сигналов, поступающих на входы дк.
- •50. Типовая схема дк. Динамическая нагрузка, термостабилизация режима работы каскада.
- •51. Основные схемы включения оу:
- •52. Усилитель с дифференциальным входом. Принцип работы, уравнения.
- •53. Влияние оос на коэффициент усиления, входные и выходные сопротивления оу. Вывод уравнения.
- •54. Частотная характеристика оу. Скорость спада чх. Частотная характеристика оу при наличии ос. Произведения коэффициента усиления на полосу пропускания.
- •Скорость спада чх
- •Частотная характеристика оу при наличии ос
- •55. Самовозбуждение оу. Критерий устойчивости оу. Скорость нарастания выходного сигнала оу.
- •Скорость изменения выходного напряжения
- •57. Схемы и основные уравнения инвертирующего и неинвертирующего сумматора. Схемы сложения-вычитания. Инвертирующий сумматор
- •Сх. Сложения/вычитания
- •58. Интегратор. Вывод уравнения. Примеры интегрирования типовых сигналов.
- •60. Дифференциатор (д). Принцип работы, уравнения, частотная характеристика. Стабилизация дифференциатора.
- •61. Методика решения дифференциальных уравнений с помощью аналоговой техники. Пример решения уравнения.
- •62. Схема логарифмического преобразователя.
- •63. Антилогарифмический усилитель. Принцип построения и реализация нелинейных зависимостей с помощью функциональных преобразователей.
- •64. Пиковый детектор.
- •Детектор напряжения ‘от пика до пика’.
- •65. Детектор нуля сигнала. Фазовый детектор.
- •66. Схема выборки-хранения.
- •67. Схема выделения модуля.
- •69.Источник тока и напряжения.
- •70. Генератор колебаний прямоугольной формы.
- •71. Генератор сигналов треугольной формы.
- •72. Генератор линейного пилообразного напряжения.
- •73. Схемотехника, и принцип работы компораторов на оу.
- •74. Схемотехника и принцип действия триггеров Шмитта
- •75. Типовые схемы измерительных усилителей.
Какую работу нужно написать?
17. Расчёт h-парам-ов для сх. Транз-ра с об.
Сх. с ОБ:
Приближённые значения h-пар-ов можно опр-ить графоаналитич. способом на линейных участках вх. и вых. статических хар-стик транз-ра. Для опр-ния всех h-пар-ов необходимо иметь не менее 2х хар-ик каждого семейства (вх. и вых.). Пар-ры h11Б, h12Б опр-ся по вх. хар-кам IЭ=f(UБЭ)(рис. 1)
Рис. 1: семейство вх. хар-к
Строится характеристический треугольник проведением из рабочей точки А прямых, параллельных оси абсцисс и оси ординат до пересечения со второй хар-кой в точках В и С.
По вых. хар-кам(рис. 2) опр-ся пар-ры h21Б и h22Б в раб. точке А/.
Рис. 2: семейство вых. хар-к
18. Полевые транзисторы с pn-затвором: принцип действия, параметры, характеристики.
Полупроводниковые приборы, работа которых основана на модуляции сопротивления п/п-го материала поперечным эл. полем наз. ПТ. У них в создании эл. тока учавствуют носители заряда только 1-го типа (электроны или дырки).
2 типа ПТ:
ПТ с управляющим p-n переходом(с p-n затвором)
ПТ со структурой металл-диэлектрик-п/п (МДП-транзистор)
Структура:
Т
ранз-р
с упрвл. р-n
переходом представл собой пластину из
п/п материала, имеющ электропров-сть
определённого типа (n-типа),
от концов кот. сделаны 2 вывода: электроды
стока и истока. Вдоль пластины выполнен
р-n
перех, от кот сделан 3 вывод-затвор.
Внешнее напряж прикладывают так, что
м/у электродами С и И протекает эл. ток.
А напряж, прилож к затвору, смещает р-n
перех в обратном направлении. Сопрот.
обл-ти, располож под р-n
перех , кот носит назв канала, зависит
от напряж на затворе – это обусловлено
тем, что размеры перехода увеличиваются
с повышением прилож-го к нему обр. напряж
, а увел-ние обл-ти, объединённой носителями
заряда, приводит к увел-нию элек сопр-я
канала. Канал м. б. почти полностью
перекрыт и тогда сопрот-е м/у И и С будет
очень высоким (десятки МОм). . апряж м/у
З и И, при кот ток стока достигает
заданного низкого знач(Ic->0)
наз напряж отсечки (UЗИ
ОТС). Ic
при Uси>0
протекающий через канал создает на нём
падение напряж. Это приводит к увелич-ю
ширины р-n
перех и соотв-но к уменьш-ю сечения и
проводимости канала. Ширина р-n
перех увелич-ся по мере приближения к
обл-ти стока, где будет иметь место
наибольшее падение напряж, вызванное
током стока.
Вх. хар-ка:
Вых. хар-ка:
крутая обл-ть
пологая обл(обл насыщ)
обл-ть пробоя
При малых знач Uси и Ic тр-ор ведёт себя как линейное сопротивл. Увелич-е Uси приводит к почти к почти лин-му возрастанию Ic (1 обл-ть). По мере роста Uси вых. хар-ка Ic=f(Uси) всё сильнее отклоняется от линейной, что связано с сужением канала у стокового конца. При определ. знач тока наступает режим насыщ (2 обл-ть), кот хар-ся тем, что с увел-ем UСИ ток стока меняется незначительно. Это происходит потому, что при большом напряж UСИ канал стока стягивается в узскую горловину, дальнейшее увел-ие UСИ и рост IC вызывает ещё большее сужение канала и соответсвенно уменьш-е IC. Напряж, при кот наступает режим насыщ-я наз напряж-ем насыщения. Оно зависит от напряж UЗИ, т. к. влияние UЗИ и UСИ на ширину канала одинаково, то
При значит увел-нии напряж UСИ наблюд пробой p-n перех (3 обл-ть). В крутой обл-ти (1) тр-ор м. б. использован как омическое управляемое сопротивление. В усилительных каскадах тр-ор работает на пологом уч-ке хар-ки (2). При этом IC при заданном напряж UЗИ опр-ся выраж
IC =IС НАЧ (1-UЗИ/UЗИ ОТС)2, где IС НАЧ-начальный ток стока, под кот понимают ток при UЗИ=0 и напряж на С превышающим напряж насыщ: |UСИ|>|UСИ НАС|
Вх хар-ка ПТ с управляющим p-n перех представл собой обратную ветвь ВАХ p-n перех. Хотя ток З несколько меняется при измен напряж UСИ и достигает наибольш знач при условии короткого замык выводов И и С (ток утечки затвора IЗ УТ) им в большинстве случаев можно пренебречь. Изменение напряж UЗИ не вызывает существенных изменений тока затвора. Управление ПТ осущ-ся напряж-ем на затворе и для количественной оценки управляющего действия затвора исп-ют крутизну хар-ки.
Крутизна хар-ки уменьш при увел-ии напряж прилож-го к затвору. При UЗИ=0 крутизна имеет максимальное знач.
Усилительное св-во ПТ хар-ся коэф-ом усиления
кот связан с крутизной хар-ки и внутр сопрот-ем ур-ем K=SRСИ ДИФ , где
-диф-ое внутр
сопрот.
Инерционность (высокочастотное св-во) ПТ от части связана с конечным временем пролёта носителей вдоль канала. Но в основном обусловлена зарядом барьерной ёмкости p-n перех через сопрот-е канала. Уч-ки канала располож на разных расст-ях от И имеют разные по величине ёмк-ти и сопрот-ия. На высоких частотах оказывают влияние паразитные ёмкости: СЗИ, ССИ, СЗС. При измен t0C пар-ры и хар-ки ПТ изм-ся из-зи возд-ия след факторов: 1. измен обр тока закрытого p-n перех; 2. измен контактной разности потенциалов p-n перех; 3. измен удельного сопрот канала.
Обр ток у закрытого p-n перех увел-ся по экспоненц закону при увел-ии t0C (удваивается при увел-ии t0C на 6-8 0С). Если в цепи затвора стоит большое сопрот-ие, то падение напряж на нём вызванное изменившимся током, может существенно изменить напряж на затворе. Контактная разность потенц уменьш-ся при увел-ии t0C на 2.2 мВ/С0. При неизменном напряж на З это приводит к увел-ию тока стока. Для тр-ров с низким напряж отсечки этот эффект явл-ся преобладающим и измен тока стока будут иметь + знач. Удельное сопрот канала с ростом t0C увел-ся, что вызывает уменьш тока стока. Правильным выбором полож раб точки тр-ра можно взаимно компенсировать изм-ие тока С, вызванные изм-ем контактной разности потенц и удельного сопрот каналов. Раб точку, в кот изм-ие тока С с измен-ем t0C имеет min знач наз термостабильной точкой. Её ориентировочное положение можно найти из ур-ия: UЗИ Т=UЗИ ОТС – U1, где U1=0.53 В. При значит UЗИ ОТС крутизна хар-ки в термостабильной точке невелика и можно получить значит меньший коэф-т усил, чем при работе с малым напряж. Основными преимуществами ПТ с управл p-n перех перед БТ явл высокое вх сопрот, малые шумы, простота изготовления, отсутствие в открытом состоянии остаточного напряж м/у И и С открытого тр-ра.
Основные пар-ры:
1. крутизна хар-ки
S0.1-500 мА/В
2. начальный ток С: при UЗИ=0
IС НАЧ = 0.2-600 мА
3. напряж отсечки: UЗИ ОТС = 0.2-10 В
4. сопротивление С-И в открытом состоянии:
RСИ ОТКР = 2-300 Ом
5. Постоянный ток С: IC MAX=10 мА – 0.7 А
6. Остаточный ток С (ток С при напряж UЗИ ОТС)
IС ОСТ=0.001-10 мА
7. Максимальная частота усиления fГР – частота на кот коэф усиления по мощности равен 1.
(10-100 МГц)