Этот процесс сопровождается разрядом внутри паразитного конденсатора

С_зс, когда U_зи= U_си, а U_си в момент выключения начинает увеличиваться, U_зи уменьшается. Транзистор работает как интегратор Миллера, при этом U_зи=const и кривая образует «хвост» (хвостовой ток). Этот эффект затягивает процесс выключения. Когда U_зи ум-ся до U_зи< U_{зи пор}, => I_с=0, U_си=U_нас.

Интервал времени между точками U_зи=0,9 U_{зи ном} , U_си=0,9 U_{си ном} называется временем выключения.

МДПТ-транзистор с обычным обратным диодом. Во внутренней структуре имеет время переключения (t=150 -1800 нс). В мостовых схемах силовых инъекторов с целью рассасывания носителей зарядов параллельно каждому из составляющих схему транзисторов включают диод. При этом ув-ся время выключения ключа, возрастает di/dt, => самопроизвольное включение внутр. паразит. поляр. транзистора, поэтому для исключения этих явлений создают структуры с внутренним быстродействующим обратным диодом, который имеет малое время восстановления обратного сопротивления.

47. Структура, принцип действия и характеристики бтиз.

Имееют вертикальную структуру с двумя короткими каналами, но дополнительно имееют область p+, которая образует коллектор.

В исходном состоянии объёмный заряд под затвором препятствует прохождению I_с, включение транзистора осуществляется подачей на затвор относительно эмиттера положительного потенциала. При U_зэ > U_{зэ пор} происходит индуцирование 2-х коротких каналов, и включается в проводящее состояние внутренний биполярный транзистор р^- (р⁺) N^- N⁺ . Благодаря насыщению N области дырками, проводимость транзистора данного типа выше, чем структура МДПТ.

Различают 2 типа транзисторов данного класса:

1. С эффектом прониц-ти пространственного заряда

2. Без эффекта прониц-ти пространственного заряда

Достоинства 2 структуры:

1. меньшая зависимость времени переключения и величины хвост. тока от температуры

2. меньшее значение хвост. тока

3. возможность включения транзисторов без дополнит. элементов(за счёт положит. Т⁰ коэф. напряжения насыщения U_си)

Выходные стокозатворные характеристики:

Принципиально транзистор не проводит в обратном направлении, но с целью увеличения скорости переключения используют схемы с обратным диодом.

48. Эквивалентная схема, процессы переключения бтиз.

При подаче U на затвор включается внутренний транзистор VT1 и база транзистора VT2 насыщается электронами=>тр-р VT2 переходит в насыщенное состояние. Частично процессу способствует внутр. «+» связь по току между VT2 , VT3, составляющих внутри теристорную структуру. При некоторых предельных значениях di/dt транзистор может включаться самопроизвольно без приложенного управляющего напряжения (включ. аналогично денистору). Для исключения эффектов спонтанного включения применяется спец. технология.

Временные диаграммы:

При U_ЗИ>U_ЗИ ­_ПОР I_К ув-ся скачком до пикового значения, при этом U_кэ практически не меняется. При окончательном формировании каналов U ум-ся до U_ОСТ , I­_К ум-ся до I_НАС. Интервал времени между точками U_ЗИ=0,1U_{ЗЭ НОМ ;} I_К=0,9 I_{К НОМ­} – время включения.

Включения структуры:

Для включения тр-ра дост. обеспечить к.з. между затвором и эмиттером. В этом случае исключается влияние внешних эл. воздействий, поэтому в схемах управления тр-ром им-ся 2 ветви: 1) на включение, 2) на выключение(п/п ключ(короткозамыкатель))

В отличие от МДПТ процессу запирания соответствует подача на вход тр-ра «-»напряжения(-5-10 В) , оптим. значение U_УПР=10В,

U_MAX ­ _ПРЕД=20В, U_ОПТ==15В

При превышении U=20В происходит разрушение структуры.

Для искл. самопроизвольного включения тр-ра от наводок, которые заряжают входную емкость, необходимо на практике контролировать отключающее состояние устройства управления с выходным потенциалом =0. также желательно между затвором и эмиттером включить резистор (сопротивление неск. кОм).

Существует мягкое и жесткое включения тр-ров. При жестком – ток или напряжения не равны 0 и τ=L/R > T=1/f_{ПЕРЕКЛ.} В момент включения возникает сверхток коллектора, а при отключении- сверхнапряжение.

Мягкое- осущ-ся путём контроля переходов тока или напряжения через ноль. Этот режим исключает появление сверхтоков и перенапряжений

VT1 и VT2- маломощные ПТ:

VT1 работает на включение БТИЗа VT3, VT2-короткозамыкатель, R_ЗЭ обеспечивает устойчивую работу .