Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Полное собрание шпор.doc
Скачиваний:
19
Добавлен:
24.04.2019
Размер:
34.83 Mб
Скачать

42. Оптопары: транзисторные и тиристорные. Применение в автоматических устройствах.

Транзисторные оптроны:

За счет излучения в область N – фототр. образуются пары е-дырка, кот. раздел-ся коллектор. .переходом, кот. раздел-ся полем коллекторного перехода. Дырки уходят в К, а электроны понижают высоту потенц.барьера, повышают ток Э(т.е. и суммар.ток К). Обозначение: АОТ.

С хема управления мощным реле или контактором от слаботочного управляющего устройства. включение реле осущ-ся подачей упр.импульса на тиристор, кот. генерирует после пробоя стабилитрона VD1. Когда оптопара в неакт. режиме работы, транзистор закрыт. Для включения реле необходимо активизировать фототранзистор.

Во второй схеме VT1 открыв-ся, обм.реле под током. Осущ-ся запирание VT1 и обесточивание реле.

Т иристорные оптроны: эл. п/п приборы, выполняющие ф-ю мощного силового ключа и имеющие гальван. развязку м/у входными и выходными цепями.

В кач-ве фотоприемника-кремниевый фототиристор. Инфракрасн.излуч.диод-ист-к оптич.излучения.

П од воздействием излучения со стороны ИИД, кот. распр-ся на одну область N(база внутр.тр-ра), в этой области образ-ся пара е-дырка. под воздей-ем поля перехода неосн.носители зар-в дырки инжектируют в сосед.обл. Р(база 2-го тр-ра), а электроны остаются в обл. N, повышая конц-ю осн.носителей зар-в. Благодаря такому положению, ток базы обоих внутр. тр-ров структуры повышается и как в обыч.тиристоре за счет внутр.ПОС по току происх. насыщение вых.цепей тр-ров, двух крайних обл-тей структуры. Все 3 перехода смещ-ся в прям. направлении, структура за короткое время переходит в проводящее состояние.

Прим-е: гальван.развязка м/у слаботочной сист.упр-я и сильноточн.нагрузкой, упр-е мощн.тиристорами, в кач-ве силового ключа в устр-вах, дающих большие помехи(сварка, лазер)

С хема управления 3х/фазн.асинхрон. двигателем в однофаз.цепи.

Обмотки 3х/фазн.дв-ля включ. по схеме «звезда», за счет этого созд.эллиптич. магнит.поле обмотки статора. N не превыш.0,5 от номин.мощности. За счет симистора VS1 подключ.оптопары. Возможно регулир. U(за счет подачи разнополяр. имп. упр-я на вход симистора ч/з фототир. оптопар 1 и 2) Управление включ. ФТ обеспеч. от микропроцессорной системы(МПС).

43, 44. Применение фоточувствительных приборов в схемах усилителей и устройствах автоматики. Применение фототиристоров в устройствах автоматики.

Фотоприемники генерир.слабые эл.сигналы, поэтому в схемах автоматики треб-ся их усиление.

Ф оторез-ры:

Транзист.усил-ль, режимы работы

которого опред-ся составом ФР. Уровень освещенности этого прибора смещ.рабоч. точку усил.

СэRэ-узел термокомпенсации.

У силитель низкой частоты, воздей-е оптич.излучения смещает режим работы тр-ра из области отсечки в лин.область усил-я сигналов.

Фотодиоды:

Схема для упр-я более мощн.нагр.

Составн.тр-р.

“-“ Нестабильность режима работы от уровня освещ-ти

За счет ОС, снимаем. с R 1,R2, обеспеч-ся хорошая лин-ть ф-ии освещенности.

Фототранзисторы:

Ф Т позвол.получить больший по мощн.вых.сигнал., то тр-р VT2 м/б более мощным. Эта схема замен.схему сост.тр-ра.

П ри затемнении рабочего элемента рабочая точка смещается.