- •1. Свойства p-n-перехода. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •2. Параметры и характеристики полупроводниковых диодов. Обозначение на схемах, общие условия выбора вентилей.
- •Характеристики стабилитронов и стабисторов. Назначение, способ включения, обозначение на схемах.
- •4. Классификация полупроводниковых приборов с одним p-n-переходом.
- •1.Стабилитрон.
- •Биполярный транзистор. Устройство, принцип работы, классификация. Условное графическое обозначение.
- •6. Биполярный транзистор. Характеристика схем включения.
- •7. Биполярный транзистор. Режимы работы.
- •8. Биполярный транзистор. Назначение и физический смысл h-параметров. Определение h-параметров по статическим входным и выходным характеристикам.
- •9. Простейший усилитель переменного тока на биполярном транзисторе. Назначение элементов. Выбор рабочей точки.
- •10. Устройство и принцип действия полупроводникового тиристора. Назначение. Условное обозначение на схемах.
- •Дифференциальный усилитель на биполярных транзисторах. Операционный усилитель. Схемы усилителей переменного тока на операционных усилителях.
- •15 Основные зависимости и характеристики трёхфазного неуправляемого выпрямителя по нулевой схеме. Принципиальная электрическая схема. Диаграммы токов и напряжений при работе на активную нагрузку.
- •16. Основные зависимости и характеристики трёхфазного неуправляемого выпрямителя по мостовой схеме. Принципиальная электрическая схема. Диаграммы токов и напряжений при работе на активную нагрузку.
- •17. Основные зависимости и характеристики шестифазного неуправляемого выпрямителя. Принципиальная электрическая схема. Диаграммы токов и напряжений при работе на активную нагрузку.
- •18. Резонансные фильтры. Назначение, типы, область применения, принципы настройки.
- •19 Сглаживающие фильтры. Назначение, анализ типов, условие выбора, показатели эффективности работы.
- •27) Инверторы. Назначение. Принцип действия.
Характеристики стабилитронов и стабисторов. Назначение, способ включения, обозначение на схемах.
Стабилитрон- полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения.
Изготавливают из кремния( у германиевых Эл.пробой легко переходит в тепловой.)
Характеристики:
Стабилитроны работают только в цепях постоянного тока. При включении напряжения следует соблюдать полярность. Для получения стабилизированного напряжения обязательно нужно включать последовательно со стабилитроном ограничивающее ток сопротивление. Полезная нагрузка, на которой нужно получить стабильное напряжение, включается параллельно стабилитрону.Стабилитрон включается параллельно тому участку цепи, на котором нужно стабилизировать U. Imin = 50…100 мА; Imax ограничивается допустимой рассеиваемой мощностью и может быть от нескольких десятков мА до нескольких ампер. Чем больше отношение ограничивающего ток R ко внутреннему R стабилитрона, тем тем лучше стабилизация. (R/ Ri ). Слишком большое R приводит к потере мощности. Для увеличения Uст можно включать стабилитрон последовательно.
Стабистор - полупроводниковый диод, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики. (то есть в области прямого смещения напряжение на стабисторе слабо зависит от тока).
Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является меньшее напряжение стабилизации.
Последовательное соединение двух или трёх стабисторов даёт возможность получить удвоенное или утроенное значение напряжения стабилизации. Стабисторам присущ отрицательный температурный коэффициент сопротивления, то есть напряжение на стабисторе при неизменном токе уменьшается с увеличением температуры. В связи с этим стабисторы используют для температурной компенсации стабилитронов с положительным коэффициентом напряжения стабилизации.
4. Классификация полупроводниковых приборов с одним p-n-переходом.
1.Стабилитрон.
2. Варикап - , применяемый в качестве Эл. Конденсатора, управляемого напряжением. В варикапах используется зависимость емкости p-n перехода от приложенного U. (как правило в обратном направлении) Применяют для электронной настройки высокочастотных колебательных контуров, управления частотой генератора гармонических колебаний.
3. Туннельный диод- диод, принцип дейчтвия которого основан на туннельном эффекте: заряженные частицы, имеющие энергию, недостаточную для прохождения через потенциальный барьер, все-таки может пройти сквозь него , если с другой стороны этого барьера имеется такой же свободный эн. Уровень, какой она занимала перед барьером. Переход совершается без затрат энергии.
4. Диод Шотки – это полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл — полупроводник. Полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. m-p ; m-n
5. Фотодиод – диод, в котором используется взаимодействие оптического излучения с носителями заряда в запирающем слое p-n перехода. В результате освещения p-n перехода повышается обратный ток.
6. Светодиоды – в режиме прямого тока в области p-n перехода возникает видимое или инфракрасное излучение. Длина волны света, зависит от состава полупроводника и от величины прямого тока.
7. Высокочастотные диоды – предназначены для обрабодки высокочастотных сигналов. Большую роль играет емкость p-n перехода.
Для расширения частотного диапозона уменьшают эту емкость.