Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Курсовая УГиФРС(моя).docx
Скачиваний:
28
Добавлен:
23.04.2019
Размер:
831.87 Кб
Скачать

Расчет маломощного усилителя свч.

Так как мощный усилитель имеет некоторое значение тока возбуждения, при котором открывается входящий в него транзистор, а сигнал АГ зачастую имеет значения выходной мощности, то возникает необходимость в промежуточном усилении. В нашем случае мощность возбуждения МУ мала (<0,3 Вт). Для этого в схему включается маломощный усилитель между АГ и мощным усилителем.

Расчет ММУ был проведен с помощью программы MMAMP.exe. Ниже приведены результаты расчета.

Для проведения расчетов необходимо посчитать мощность на выходе маломощного усилителя:

где – мощность возбуждения мощного усилителя.

– контурный КПД СТЦ2.

Транзистор – КТ648. Его параметры:

Ниже представлена методика расчета, используемая в программе.

Методика расчета ММУ [1]:

Рассматривается расчет режима маломощного транзистора, включенного по схеме ОЭ на заданную выходную мощность на рабочей частоте и некоторым смещением (если оно нужно).

Для расчета необходимы следующие данные: , ,

А также параметры транзистора в случае, когда его нет в библиотеке программы:

, , , , , , Cк, Cка, Cэ, , , , ,

Возможен расчет транзистора двумя разными подходами:

1) без учета индуктивности вывода ( )

2) с учетом индуктивности вывода ( )

По окончании расчетов необходимо проверить следующие условия:

1)

2)

Если эти условия удовлетворяются, то транзистор можно считать выбранным правильно.

I) Расчет режима транзистора по схеме оэ без учета индуктивности выводов .

1. Напряженность режима:

2. Амплитуда напряжения и тока коллектора, эквивалентное сопротивление коллекторной нагрузки:

3. Параметры эквивалентной схемы, граничная частота по крутизне fs и параметры Ωs, cos , sin :

4. Параметр Ф( ), определяющий угол отсечки :

Для полученных и с помощью табл. 1 находим коэффициент разложения . Далее принимаем .

Зависимость 1(,s) от параметра (, ) при .

Таблица 1

cos()

-0.2

-0.1

0

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

0.45

0.5

0.55

0.6

s

(,s)

-.32

-.18

0

0.11

0.23

0.37

0.53

0.74

1

1.25

1.6

2.12

2.74

3.49

4.29

0

1(,s)

0.63

0.55

0.5

0.45

0.43

0.4

0.38

0.34

0.3

0.28

0.25

0.21

0.18

0.16

0.14

s

(,s)

-.31

-.17

0

0.11

0.22

0.35

0.5

0.71

0.95

1.19

1.54

2

2.63

3.39

4

0.5

1(,s)

0.65

0.58

0.53

0.47

0.45

0.43

0.4

0.35

0.32

0.29

0.26

0.23

0.19

0.16

0.15

s

(,s)

-.28

-.16

0

0.1

0.21

0.33

0.49

0.67

0.89

1.12

1.46

1.89

2.5

3.14

3.8

1

1(,s)

0.7

0.63

0.55

0.51

0.48

0.45

0.41

0.38

0.34

0.31

0.28

0.24

0.2

0.17

0.16

s

(,s)

-.24

-.14

0

0.08

0.18

0.28

0.43

0.58

0.77

1

1.33

1.71

2.22

2.93

3.69

2

1(,s)

0.83

0.73

0.65

0.6

0.55

0.53

0.46

0.43

0.39

0.35

0.3

0.26

0.23

0.19

0.16

s

(,s)

-.23

-.12

0

0.07

0.16

0.25

0.37

0.51

0.69

0.93

1.18

1.64

2.15

2.86

3.58

3

1(,s)

0.84

0.83

0.75

0.69

0.64

0.6

0.54

0.49

0.44

0.37

0.34

0.27

0.23

0.19

0.17

s

(,s)

-0.2

-.11

0

0.07

0.14

0.23

0.33

0.47

0.63

0.82

1.08

1.44

2

2.65

3.43

5

1(,s)

1

0.93

0.84

0.77

0.73

0.65

0.6

0.54

0.48

0.43

0.37

0.31

0.25

0.21

0.17

Таблица 2

Коэффициенты разложения для косинусоидального импульса

1

.156

.196

.239

.288

.337

.390

.445

.500

.554

.611

.662

.713

.760

.805

.843

.878

.934

.979

.989

.997

1.00

g1

1.82

1.80

1.76

1.73

1.69

1.65

1.61

1.57

1.53

1.49

1.45

1.40

1.36

1.32

1.28

1.28

1.17

1.10

1.05

1.01

1.00

55

60

65

70

75

80

85

90

95

100

105

110

115

120

125

130

140

150

160

170

180

5. Зная по табл. 2 определим соответствующий ему коэффициент , а затем постоянную составляющую коллекторного тока:

6. Фаза первой гармоники тока эквивалентного генератора:

7. Амплитуда напряжения возбуждения:

8. Входная проводимость тока первой гармоники

9. Мощность возбуждения и коэффициент усиления по мощности:

10.Мощность, потребляемая от источника питания, мощность рассеивания на транзисторе, КПД:

11. Максимальное обратное напряжение на эмиттере: