1 Електричний струм у напівпровідниках. Залежність опору напівпровідників від температури. Власна та домішкова електропровідність напівпровідників. Напівпровідниковий діод. Транзистор
Питомий опір низки елементів (кремнію, германію, селену тощо) та деяких оксидів, сульфідів, телуридів з підвищенням температури не зростає, як у металів, а, навпаки, різко зменшується (рис. 4.3.10). Такі речовини назвалинапівпровідниками. Як видно з графіка, при температурах, що наближаються до абсолютного нуля, питомий опір різко зростає, тобто при низьких температурах T напівпровідник веде себе як діелектрик. Зі зростанням температури питомий опір напівпровідників швидко зменшується.
Пояснимо ці закономірності, розглянувши будову напівпровідників на прикладі чотиривалентного елемента силіцію (рис. 4.3.11). Взаємодія пари сусідніх атомів здійснюється за допомогою ковалентного (парноелектронного) зв'язку. У темноті і при низьких температурах усі електрони зайняті в ковалентних зв'язках. Вільних носіїв у кристалі напівпровідника немає (n), отже I = q0nS = 0, тому кристал не проводить струму і його опір великий. За цих умов напівпровідник схожий на ізолятор.
З підвищенням температури кристала (або під час попадання на нього світла) деякі ковалентні зв'язки руйнуються. На місці кожного розірваного зв'язку відразу утворюється вакантне місце з нестачею електрона. Його називають діркою. Оскільки дірка переміщується в кристалі, як і вільний носій в електричного заряду, то їй приписують позитивний заряд. Якщо діє зовнішнє електричне поле, в кристалі напівпровідника виникає впорядковане переміщення дірок і до електричного струму вільних електронів додається електричний струм, пов'язаний з переміщенням дірок (діркова провідність).
Провідність чистих напівпровідників, що не мають ніяких домішок, називають власною провідністю напівпровідників.
Власна провідність напівпровідників невелика, оскільки малою є кількість вільних електронів. Особливість напівпровідників полягає в тому, що в них за наявності домішок поряд із власною провідністю виникає додаткова -домішкова провідність. Змінюючи концентрацію домішки, можна суттєво змінити кількість носіїв заряду того або того знака, а отже, створити напівпровідники з переважаючою концентрацією чи позитивно, чи негативно заряджених носіїв. Наприклад, внесемо в чотиривалентний кремній Si невелику кількість п'ятивалентного арсену (As) (рис. 4.3.12). Чотири електрони арсену (As) утворюють ковалентні зв'язки із сусідніми атомами силіцію (Si), а п'ятий одразу стає вільним. Домішки, що легко віддають електрони, і, отже, збільшують кількість вільних носіїв, називають донорними домішками.
Напівпровідники з донорною провідністю мають більшу кількість електронів порівняно з кількістю дірок. Їх називають напівпровідниками n-типу. У них електрони є основними носіями заряду, а дірки - неосновними.
Коли як домішку використовують індій (In), атоми якого тривалентні, то характер провідності силіцію зміниться. Тепер для встановлення нормальних парно-електронних зв'язків із сусідами атома індію не вистачає електрона.Унаслідок цього утворюється дірка. Кількість дірок у кристалі дорівнюватиме кількості атомів домішки (рис. 4.3.13). Домішки цього типу називають акцепторними (приймальними). Напівпровідники з переважанням діркової провідності над електронною називають напівпровідниками р-типу. Основними носіями заряду таких напівпровідників є дірки, а неосновними - електрони.
Цікаві явища спостерігаються під час контакту напівпровідників n- і р-типів.
З'єднаємо два напівпровідники: один з донорною, а другий з акцепторною домішкою. Контакт двох напівпровідників називають р-n-переходом (рис. 4.3.14). На межі контакту електрони частково переходять із напівпровідника n-типу в напівпровідник р-типу, а дірки - навпаки. Якщо подати напругу на напівпровідник з р-n-переходом так, щоб до напівпровідника р-типу під'єднувався позитивний полюс батареї, а на n-типу - негативний, то при цьому струм через р-n перехід забезпечується основними носіями: з n-типу в р-тип - електронами, а із р-типу в n-тип - дірками. Унаслідок цього провідність усього зразка велика, а опір малий. Такий перехід називають прямим.
Під'єднаємо батареї навпаки. Струм I в колі стане незначним за тієї ж напруги U, оскільки струм через р-n перехід забезпечується неосновними носіями заряду і провідність зразка стає незначною, а опір великим. Утворюється так званий запірний шар. Цей перехід називають зворотним. На вольт-амперній характеристиці залежність сили прямогоструму від напруги зображено лінією зростаючою в додатному напрямі осі напруги U (рис. 4.3.13). Після перемикання полюсів батареї, коли потенціал напівпровідника р-типу буде від'ємним, а потенціал напівпровідника n-типу - додатним, опір переходу зростає, а струм стає незначним. Напрям руху дірок протилежний рухові електронів. Тому напівпровідники мають електронну і діркову провідності (рис. 4.3.15).
Сила зворотного струму майже не змінюється у разі зміни напруги. Створюючи в одному кристалі (наприклад, германію) р-n перехід вплавленням в одну з його поверхонь домішки індію, можна виготовити напівпровідниковий діод. Щоб позбавитися шкідливих впливів повітря і світла, кристал германію вміщують у герметичний металевий корпус. На схемах діод зображують, як показано на рис. 4.3.16. Діоди використовують для випрямлення струму в радіосхемах. Напівпровідниковий діод має переваги перед електронними двоелектродними лампами: економія енергії для одержання носіїв струму, мініатюрність, висока надійність і тривалий термін дії.
Діод має односторонню провідність - сила прямого струму у разі навіть невеликих напруг значно більша від зворотного струму за такої самої напруги.
Недоліками цих діодів є погіршення їх роботи з підвищенням температури і вологості.
Напівпровідниковий прилад з двома р-n-переходами називають напівпровідниковим тріодом або транзистором. Для його виготовлення за допомогою відповідних домішок у монокристалі германію або силіцію створюють три ділянки (рис. 4.3.17). Ділянку з провідністю n-типу називають базою (Б). Ця ділянка розділяє ділянки провідності p-типу, які називають емітером (Е) і колектором (К). Таким чином, створюються два p-n-переходи, пропускні напрями яких протилежні. Під'єднання батарею e1 плюсом на емітер Е, а мінусом на базу Б, батарею e2 (її ЕРС значно більша) плюсом до бази (Б), мінусом до колектора К забезпечує прямий напрям в колі "емітер - база" і зворотний в колі "колектор - база".
Поки коло "Е - Б" розімкнено, в колі "Б - К" сила струму дуже мала, оскільки опір напрямленому рухові основних носіїв зарядів (електронів у базі та дірок у колекторі) у зворотному напрямі великий. Як тільки замикається коло "Е - Б", основні носії заряду емітера Е переходять із нього в базу Б, де вони є вже неосновними носіями. Оскільки товщина бази дуже мала і кількість основних носіїв (електронів) у ній невелика, дірки, що потрапили до неї, майже не рекомбінують з електронами бази і проникають у колектор унаслідок дифузії. Правий p-n перехід закритий для основних носіїв зарядубази - електронів, але не для дірок. У колекторі дірки захоплюються електричним полем і замикають коло. Сила струму, що відгалузився в коло емітера з бази, дуже мала, бо площа перерізу бази в горизонтальній площині набагато менша від перерізу у вертикальній площині.
Сила струму в колекторі К, що дорівнює силі струму в емітері Е, змінюється разом зі струмом в емітері. Опір резистора R мало впливає на струм у колекторі, тому його підбирають досить великим. Керуючи струмом емітера за допомогою джерела змінної напруги Uвх, можна змінити напругу Uвих на резисторі R. Якщо опір резистора великий, то зміна напруги на ньому може в десятки тисяч разів перевищувати зміну напруги сигналу в колі емітера. Це свідчить про підсилення напруги. Одночасно і потужність, що виділяється на навантаженні R, значно перевищуватиме потужність, яка витрачається в колі емітера. Відбувається підсилення за потужністю.
У електричних і радіотехнічних колах p-n-p транзистори зображаються, як показано на рис. 4.3.18 а, позначенняn-p-n транзисторів - на рис. 4.3.18 б.
Якщо напругу, отриману на резисторі R, знову подати на вхід підсилювача, матимемо пристрій, який генерує електричні коливання. Якщо після одного каскаду підсилення сигналу виявляється ще недостатнім, підсилення повторюють. Та підсилення коливань відбувається за рахунок енергії батареї e2, а транзистор лише керує її роботою.
Використання напівпровідникових приладів знаходить дедалі ширше застосування. За їх допомогою змінний струмперетворюють у постійний; генерують, перетворюють і підсилюють електричні коливання; обробляють інформацію на комп'ютерах і калькуляторах; перетворюють енергію світла в енергію електричного струму (сонячні батареї, фоторезистори); здійснюють дистанційне вимірювання температури, протипожежну сигналізацію (термістори).
Напівпровідникові прилади мають високу економічність, мініатюрність, довговічність, менше "бояться" вібрації.
2 Когере́нтність (рос. когерентность, англ. coherence, нім. Kohärenz f) — це властивість хвилі зберігати свої частотні, поляризаційні й фазові характеристики.
Здатність до інтерференції, яку виявляють за певних умов хвилі, зокрема світлові. Умовою когерентоності хвиль є незмінюваність у часі різниці між фазами коливань у них, що можливо лише тоді, коли хвилі мають однакову довжину (частоту).
Завдяки когерентності хвиль виникають інтерференційні явища.
Поняття плоскої монохроматичної хвилі, яке часто використовується в фізиці є абстракцією. Реальні хвилі, які випромінюються реальними джерелами, насправді є скінченнимихвильовими пакетами. Кожне джерело випромінює свої особливі хвилі, які розрізняються настільки ж, наскільки різняться відбитки пальців людей. Однак, для спостереження інтерференції необхідно, щоб хвиля зберігала самоподібність. Така самоподібність хвилі описується терміном когерентність.
Наприклад, для отримання двох когерентних між собою променів у оптиці використовують розділення початкового променя світла. Один із способів зробити це — поставити на шляху променя плоскопаралельну пластинку. Частина світла буде відбиватися від пластинки, а частина проходити далі. Використовуючи лінзи та дзеркала можна спрямувати розділені промені так, щоб вони знову перетиналися, подолавши різний шлях. Тоді, внаслідок різниці ходу променів, виникає інтерфернційна картина.
Термін когерентність використовується також для хвильових функцій у квантовій механіці.
Коли хвиля проходить через середовище, її когерентність поступово втрачається завдяки процесам розсіювання. Відстань, на якій когерентність зберігається, називаютьдовжиною когерентності.