
- •Волновые свойства микроцастиц. Гипотеза де Бройля (398)
- •Опыт Дэвиссона-Джермера (398)
- •Соотношение неопределенностей (400)
- •Уравнение Шрёденгира. Волновая функция. Реш-е для св-й микроч-цы (403-409)
- •Поведение микрочастицы в «ящике» (409-412)
- •Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект
- •Квантовый гармонический осциллятор
- •Решение ур. Шр. Для атома водорода. Квантовые числа.
- •Эффект Зеемана (420)
- •Опыт Штерна-Герлаха (423)
- •Принцип Паули. Распределение электронов в атоме по состояниям (425)
- •Плотность состояний (вики)
- •Два типа микрочастиц. Ф-я распределения (424, 441)
- •Уровень Ферми. Условие вырождения. (444)
- •Характеристики различных типов связей (431)
- •Кристаллическая решётка. Дефекты. (132-138)
- •§ 71. Типы кристаллических твердых тел
- •Колебания кристаллической решётки. Фононы (445)
- •Понятие о зонной теории твердых тел. Ме, пров-ки, изоляторы (450)
- •§ 241. Металлы, диэлектрики и полупроводники по зонной теории
- •Эффективная масса (вики)
- •§ 250. Полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы)
- •Фотопроводимость полупроводников (459)
- •§ 266. Цепная реакция деления
- •Кварки(-522)
Плотность состояний (вики)
Плотность состояний — величина, определяющая количество энергетических уровней в интервале энергий на единицу объёма в трёхмерном случае (на единицу площади — в двумерном случае). Является важным параметром в статистической физике и физике твёрдого тела. Термин может применяться к фотонам, электронам, квазичастицам в твёрдом теле и т. п. Применяется только для одночастичных задач, то есть для систем где можно пренебречь взаимодействием (невзаимодействующие частицы) или добавить взаимодействие в качестве возмущения (это приведёт к модификации плотности состояний).
Чтобы вычислять плотность состояний энергии для частицы, мы сначала вычислим плотность состояний в обратном пространстве (импульсное или k-пространство). Расстояние между состояниями задано граничными условиями. Для свободных электронов и фотонов в пределах ящика размера L, и для электронов в кристаллической решётке с размером решетки L используем периодические граничные условия Борна — фон Кармана. Используя волновую функцию свободной частицы получаем
где n —
любое целое число, а
—
расстояние между состояниями с
различными k.
Полное
количество k-состояний, доступных для
частицы - объем k-пространства доступного
для неё, разделенного на объём
k-пространства, занимаемого одним
состоянием. Доступный объем - просто
интеграл от k =
0 к k = k.
Объём k-пространства для одного состояния
в n-мерном случае запишется в виде
gs —
вырождение уровня (обычно это спиновое
вырождение равное 2). Это выражение
нужно продифференцировать, чтобы найти
плотность состояний в k-пространстве:
.
Чтобы найти плотность состояний по
энергии нужно знать закон дисперсии
для частицы, то есть выразить k и dk в
выражении g(k)dk в
терминах E и dE.
Например для свободного электрона:
,
С
более общим определением связано
соотношение
где
индекс s соответствует
некоторому состоянию дискретного или
непрерывного спектра, а δ — дельта-функция
Дирака. При переходе от суммирования
к интегрированию следут использовать
правило
В следующей таблице представлены плотность состояний для электронов с параболическим законом дисперсии
|
Доступный объём |
Объём для одного состояния |
Плотность состояний |
3D |
|
|
|
2D |
πk2 |
|
|
1D |
2k |
|
|
0D |
|
|
|
где l — индекс подзоны размерного квантования. Здесь рассмотрен не чистый случай, а когда квантование по одному или нескольким направлениям связано с некоторым ограничивающим потенциалом.
14?