Вольт-амперные характеристики рвт-10 и рвм-10

В этих разрядниках резисторы из разного материала: у РВМ-10 - вилит, а у РВТ-10 - тервит. РВТ-10 характеристика проходит ниже, а также выше коэффициенты а1 и а2, поэтому больше и ток гашения.

Таблица 3 - Вольт-амперные характеристики РВТ-10 и РВМ-10

I(А)	U(В, РВМ)	U(В, РВТ)
0,1	1618	692
1	3170	1585
5	5071	2829
10	6209	3631
50	9934	6481
100	12163	8381
400	18232	13701
700	21468	16759
1000	23825	19055
2000	26362	21890
3000	27970	23740
4000	29170	25146
5000	30136	26294
6000	30949	27271
7000	31653	28126
8000	32276	28887
9000	32836	29576
10000	33345	30206

Вилит:

а1 = 0,2920

а2 = 0,1460

тервит

al = 0,3600

а2 = 0,2001

k_защ при 10 кА

(РВМ-10), k_защ = 2,1223

(РВТ-10), k_защ = 1,9417

Рисунок 11 - Вольт-амперные характеристики РВТ-10 и РВМ-10

При снижении нелинейной характеристики РВТ-10 одновременно резко увели­чивается ток гашения и искровой промежуток РВМ его не сможет погасить, поэтому у РВТ еще лучше искровой промежуток.

Искровой промежуток разрядников рврд

Искровой промежуток состоит из двух медных электродов и керамической камеры, расположенных между кольцевыми постоянными магнитами. Камера к краям сужается и переходит в узкую щель. Ширина камеры от 4 мм до 0,7 мм.

Рисунок 12 - Конструкция искрового промежутка разрядника РВРД

Гашение дуги в искровом промежутке разрядника рврд

Дуга загорается в самом узком месте, где зазор всего 0,8-1,2, а затем под действием магнитного поля растягивается и загоняется в узкие щели и гасится. Дуга может погаснуть до перехода тока через 0. Эти промежутки лучше всех остальных гасят дугу.

Рисунок 13 - Гашение дуги в искровом промежутке разрядника РВРД

Получение низкого коэффициента импульса у рврд

Р азрядник РВРД имеет точно такую же схему, как и разрядник РВМ. поэтому и низкий коэффициент импульса получается также. Грозовой импульс в этой схеме распределяется по паразитным емкостям искровых промежутков С_ип и емкостям на землю С_з. Они обеспечивают быстрый последовательный пробой всех промежутков с k_и<1. На промышленной частоте сопротивления емкостей С_ип и С_з велики, поэтому распределение напряжения будет по шунтирующим резисторам ШР.